公开(公告)号：CN102804328B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080028969.X

申请日：2010-06-18

Applicant: 特温克里克技术公司

Inventor： G.里丁 ,  T.H.斯米克 ,  K.珀泽 ,  J.D.吉莱斯皮 ,  H.格拉维什

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  F16J15/00 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2006 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202

Abstract: 一种用于使硅从硅晶片剥落的氢离子植入器使用大的扫描轮(14)，所述扫描轮在其周缘周围承载50+个晶片并且绕着轴线旋转。在一个实施方式中，轮的旋转轴线固定，并且氢离子的带状束(101)在轮的周缘上指向下方。带状束在轮上的晶片的整个径向宽度上方延伸。束是由离子源(16)生成的，离子源提供具有至少100mm主截面直径的提取带状束。离子源可以使用无芯鞍形类型的线圈(112、112a-c)，以便提供约束离子源中的等离子体的均匀场。带状束可以穿过90度弯曲的磁体(17)，所述磁体在带状平面中弯曲所述束。

公开(公告)号：CN104040681A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280065644.8

申请日：2012-03-06

Applicant: 维技盛达有限公司

Inventor： 比约恩·万贝里

IPC: H01J49/48 ,  G01N23/227 ,  H01J37/05 ,  H01J49/00

CPC classification number: H01J49/48 ,  G01N23/2273 ,  G01N2223/085 ,  H01J37/05 ,  H01J49/0031 ,  H01J49/06 ,  H01J49/061 ,  H01J49/484 ,  H01J2237/0535

Abstract: 本发明涉及一种用于确定与从粒子发出样本(11)发出的带电粒子相关的至少一个参数的方法，例如，涉及粒子的能量、起始方向、起始位置或转速的参数。该方法包括以下步骤：通过透镜系统(13)，将带电粒子束引导至测量区域的入口中，并检测粒子在测量区域内的位置，其表示所述至少一个参数。此外，该方法包括以下步骤：在粒子束进入测量区域之前，使粒子束在相同的坐标方向上至少偏转两次。从而，能以这样的方式控制粒子束在测量区域(3)的入口(8)处的位置和方向，使得，一定程度上消除对样本(11)的物理操纵的需求。接着，这允许有效地冷却样本，使得能改进能量测量中的能量分辨率。

公开(公告)号：CN103563042A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280025376.7

申请日：2012-05-24

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 威廉·哈比 ,  约瑟夫·沃林斯基

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/02 ,  H01J49/06 ,  H01J37/05

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/023 ,  H01J37/05 ,  H01J49/30 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/24514

Abstract: 提供了一种方法和装置，从离子束管线中减少离子注入组分的不期望同位素。本文公开的装置是一种质量分析可变出口孔，选择性地减小离子束所见的出口孔的尺寸。在一个实施例中，质量分析可变出口孔位于质量分析器内在分解孔上游的位置，并且被配置为有效地限制出口孔的尺寸以允许期望的注入同位素通过而阻止不期望的注入同位素经过。在一个具体实施例中，质量分析可变出口孔安装在射束导管中，所述射束导管安装在AMU磁体的磁极之间。机械驱动机构使能根据射束特性在控制单元的引导下以分级的方式将阻挡结构移入射束路径中。

公开(公告)号：CN103489742A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310398888.4

申请日：2013-09-05

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

Inventor： 张赛 ,  孙雪平 ,  易文杰

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明公开了一种超宽带状离子束产生装置及离子注入机。为了解决现有的超宽离子束的均匀性较差的问题，所述超宽带状离子束产生装置包括离子质量分析磁铁、分析光栏和离子束聚焦磁铁；所述离子质量分析磁铁具有斑状离子束穿过的空间；所述分析光栏具有从所述离子质量分析磁铁出来的汇聚的带状离子束穿行的空间；所述离子束聚焦磁铁具有从所述分析光栏出来的带状离子束穿行的空间；所述离子质量分析磁铁产生第一磁场，所述离子束聚焦磁铁产生第二磁场，所述第二磁场与所述第一磁场方向垂直。本发明在现有斑状离子源的基础上产生超宽带状离子束，并且达到质量分析的目的，并保证整个带状离子束宽度上不变。

公开(公告)号：CN102067268B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980123998.1

申请日：2009-06-23

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 杰弗里·瑞丁 ,  马文·法利 ,  博·范登伯格 ,  西奥多·史密克 ,  高尾坂濑

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/103 ,  H01J2237/1405 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/1523 ,  H01J2237/153 ,  H01J2237/21 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明公开了一种用于在离子注入工件(228)期间磁性过滤离子束(210)的系统(200)及方法，其中从离子源(212)发射离子且加速离子使其远离离子源以形成离子束。离子束由质谱仪(214)进行质量分析，其中离子是选定的。一旦离子束进行质量分析，离子束接着通过减速器(242)被减速，且在减速的下游进一步磁性过滤离子束。磁性过滤由四极磁性能量过滤器(250)提供，其中形成磁场，用于截取离开减速器的离子束中的离子，以选择性地过滤不想要的离子和快速中性粒子(264)。

公开(公告)号：CN102446679A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010514043.3

申请日：2010-10-13

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 戴习毛 ,  唐景庭 ,  伍三忠 ,  孙勇 ,  刘世勇

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明公开了一种新型大倾角单片式注入离子注入机离子光学系统，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。所述的离子源，产生需要的各种离子；所述的源过滤磁铁，初次进行离子偏转筛选；所述的加速管，束能量加速或减速到所需注入的能量；所述的质量分析器，实现离子筛选功能；所述的分析光栏，为可调分析缝，使所需要的离子通过，对离子具有提纯作用；所述的偏转扫描系统，将束扩张水平带状束；所述的平行束透镜，使离子束校正为平行束；所述的大倾角单片靶盘，单片装载晶片，注入角度0°-60°可调。本发明可实现大倾角离子注入机的光学系统的要求，具有离子纯度高、离子能量精确度高、注入角度精确高、传输效率高等优点。

公开(公告)号：CN101584017B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200780050095.6

申请日：2007-12-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 唐纳·L·史麦特雷克 ,  葛登·C·恩吉尔 ,  拉杰许·都蕾

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/317 ,  H01J37/05

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/026 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/31701

Abstract: 揭示离子注入机中束缚电子的装置与方法。所述装置与方法包含：沿离子束路径(30)的至少一部分来定位的磁体的第一阵列(31)以及磁体的第二阵列(32)，所述第一阵列位于所述离子束路径的第一侧上且所述第二阵列位于所述离子束路径的第二侧上，所述第一侧与所述第二侧相反。所述第一阵列中的至少一磁体(302)可具有面向所述第二阵列中的相应磁体(302)的相反磁极的磁极，磁体的所述第一与第二阵列可在所述离子束路径中或附近共同产生勾形磁场以束缚电子。

公开(公告)号：CN101807507A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010151648.0

申请日：2010-04-19

Applicant: 胡新平 ,  黄永章

Inventor： 胡新平 ,  黄永章

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05

Abstract: 本发明涉及离子束的注入领域，其公开了具有束流减速器的离子注入机系统，包括离子束系统和靶室系统，该离子束系统包括产生离子束的离子源和用以选择、成型和传输离子束到达靶室的电磁装置，该靶室系统用来对目标工件进行扫描；其特征在于：还包括减速装置，其位于所述靶室系统的上游位置并减小离子束的能量，并移除有害的上游中性分子和原子；所述减速装置包括一系列电极对；所述电极对设置有侧电极。本发明的有益效果是：本发明通过采用多电极进行减速和偏转离子束，既能去掉离子束的能量污染，又减小电极的端部效应。

公开(公告)号：CN101630623A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910164111.5

申请日：2004-04-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 野路伸治 ,  佐竹彻 ,  曾布川拓司 ,  金马利文 ,  田山雅规 ,  吉川省二 ,  村上武司 ,  渡边贤治 ,  狩俣努 ,  末松健一 ,  田部丰 ,  田岛凉 ,  远山敬一

IPC: H01J37/28 ,  H01J37/05 ,  H01L21/66 ,  G01N23/225

Abstract: 提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。

公开(公告)号：CN113811975B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202080034328.9

申请日：2020-05-14

Applicant: MI2工厂有限责任公司

Inventor： C·科萨托 ,  F·克里彭多夫

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425

Abstract: 用于将粒子注入衬底(12)的设备包括粒子源(2)和粒子加速器(4)，用于产生包括带正电离子的离子束(10)。设备还包括衬底支架(30)和能量过滤器(20)，其设置在粒子加速器(4)和衬底支架(30)之间。能量过滤器(20)是具有预定的结构轮廓的微结构化膜，用于设定在衬底(12)中由注入工艺产生的掺杂物深度分布和/或缺陷深度分布。设备还包括用于离子束(10)的无源制动元件(22)，所述元件设置在所述粒子加速器(4)和衬底支架(30)之间并且与能量过滤器(20)间隔设置。