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公开(公告)号：CN114101967B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110709413.7
申请日：2021-06-25
申请人： 纳普拉有限公司
发明人： 关根重信
摘要： 本发明提供一种接合材料用合金锭，其可成为即使相对于极高温或极低温环境的严酷的温度变动也具有优异的接合强度、且具有可耐受连续振动工作状态的柔软性特性、具有优异的机械强度的接合材料。通过下述接合材料用合金锭而解决了上述课题，所述接合材料用合金锭在含有Sn及Sn‑Cu合金的母相中具有包含Sn、Cu、Ni及Ge的金属间化合物结晶，所述金属间化合物结晶的组成为Cu5～50质量％、Ni6.5～0.1质量％、Ge0.001～0.1质量％，剩余部分为Sn，所述母相的组成为Sn95～99.9质量％、Cu5质量％以下及不可避免的杂质0.1质量％以下，所述接合材料用合金锭通过使所述母相中的Sn‑Cu合金和所述金属间化合物结晶的至少一部分内延接合而形成。
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公开(公告)号：CN113385852A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202011450968.6
申请日：2020-12-10
申请人： 纳普拉有限公司
发明人： 关根重信
摘要： 本发明提供即使是对于极高温至极低温环境的严苛的温度变动也能够维持无论在怎样的接合部界面均可抑制过剩的Sn扩散现象而克服金属间化合物的脆性的优异的接合强度及机械强度的金属粒子。通过一种金属粒子来解决上述课题，该金属粒子在包含Sn及Sn‑Cu合金的母相中具有包含Sn、Cu、Ni及Ge的金属间化合物晶体，上述金属粒子的组成为Cu：0.7～15质量％、Ni：0.1～5质量％、Ge：0.001～0.1质量％、剩余部分为Sn，上述母相的组成为Sn：95～99.9质量％、Cu：5质量％以下及不可避免的杂质：0.1质量％以下，在上述母相中包含并存在上述金属间化合物，粒径为1μm～50μm。
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公开(公告)号：CN108573935B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810116107.0
申请日：2018-02-06
申请人： 纳普拉有限公司
发明人： 关根重信
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/49 , H01L21/316
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明提供提高接合线与密封树脂的密合性、防止两者间的剥离、并且第二接合中的接合线及引线端子间的接合强度得到改善的半导体装置。本发明的半导体装置(101)包含半导体芯片(2)、设置于半导体芯片(2)上的接合衬垫(211)、配置于半导体芯片(2)的周围的多个引线端子(50)、将半导体芯片(2)与多个引线端子(50)电连接的多个接合线(6)和将半导体芯片(2)及接合线(6)密封的密封树脂(11)，在接合线(6)与密封树脂(11)的界面中夹有绝缘性材料，绝缘性材料含有nm尺寸的绝缘性微粒和非晶质二氧化硅。
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公开(公告)号：CN108573935A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810116107.0
申请日：2018-02-06
申请人： 纳普拉有限公司
发明人： 关根重信
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/49 , H01L21/316
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明提供提高接合线与密封树脂的密合性、防止两者间的剥离、并且第二接合中的接合线及引线端子间的接合强度得到改善的半导体装置。本发明的半导体装置(101)包含半导体芯片(2)、设置于半导体芯片(2)上的接合衬垫(211)、配置于半导体芯片(2)的周围的多个引线端子(50)、将半导体芯片(2)与多个引线端子(50)电连接的多个接合线(6)和将半导体芯片(2)及接合线(6)密封的密封树脂(11)，在接合线(6)与密封树脂(11)的界面中夹有绝缘性材料，绝缘性材料含有nm尺寸的绝缘性微粒和非晶质二氧化硅。
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公开(公告)号：CN107579053A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201611051779.5
申请日：2016-11-25
申请人： 纳普拉有限公司
IPC分类号： H01L23/492
摘要： 本发明提供能够形成不易产生柯肯达尔孔洞、耐热性优良的高可靠性和高品质的电气配线、导电性接合部等的多层预成型片材。所述多层预成型片材至少具有第1层和第2层，其中，所述第1层是含有金属间化合物的焊料材料，所述第2层含有：熔点为300℃以上的第1金属；和能够与所述第1金属形成金属间化合物的第2金属。
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公开(公告)号：CN104553133B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201410528116.2
申请日：2014-10-09
申请人： 纳普拉有限公司
发明人： 关根重信
CPC分类号： H01L24/05 , B22F1/0003 , B22F1/0062 , B22F1/025 , B22F7/064 , B22F2999/00 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K35/302 , H01B1/02 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/53233 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/04026 , H01L2224/04073 , H01L2224/05647 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13347 , H01L2224/13411 , H01L2224/13447 , H01L2224/1349 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29313 , H01L2224/29347 , H01L2224/29411 , H01L2224/29447 , H01L2224/2949 , H01L2224/32507 , H01L2224/81447 , H01L2224/83447 , H01L2225/06544 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/13091 , H01L2924/3656 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , B22F2301/10 , B22F2301/255 , B22F2301/30 , B22F2301/205
摘要： 本发明提供一种不会产生空隙、裂纹等的高品质、高可靠度的电极接合部和电配线。将2个导体接合的接合部含有选自Si、B、Ti、Al、Ag、Bi、In、Sb、Ga的组中的至少一种、Cu和Sn，在其与导体之间形成有纳米复合结构的金属扩散区域。
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公开(公告)号：CN102456827B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110318442.7
申请日：2011-10-19
申请人： 纳普拉有限公司
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供可靠性高、容易制造的发光器件以及其制造方法。透明结晶基板的一个面是光出射面，发光元件1被层叠在透明结晶基板的与光出射面相反侧的另一面。位于透明结晶基板一侧的N型半导体层具有与P型半导体层不重合的部分。N型半导体层的第1半导体面电极设置在不重合的部分的表面，P型半导体层的第2半导体面电极设置在与第1半导体面电极相同侧的面。发光元件被绝缘层覆盖，绝缘层上层叠有支承基板。通过绝缘层与第1及第2半导体面电极连接的第1及第2纵导体，连接于贯通支承基板的第1及第2贯通电极。
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公开(公告)号：CN102686021B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210016743.9
申请日：2012-01-18
申请人： 纳普拉有限公司
IPC分类号： H05K1/09 , H01L23/522 , H01L31/02 , H01L33/62
CPC分类号： H05K1/097 , H01L23/49866 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L33/62 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81395 , H01L2224/81903 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8359 , H01L2224/83605 , H01L2224/83609 , H01L2224/83611 , H01L2224/83613 , H01L2224/83618 , H01L2224/83624 , H01L2224/83639 , H01L2224/83644 , H01L2224/83647 , H01L2224/83655 , H01L2224/8366 , H01L2224/83666 , H01L2224/83669 , H01L2224/83701 , H01L2224/83799 , H01L2224/83815 , H01L2224/83825 , H01L2224/83851 , H01L2224/83886 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/01327 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H05K1/111 , H05K2201/0338 , H05K2201/099 , Y02E10/547 , Y02P70/611 , H01L2924/00 , H01L2224/8159 , H01L2924/00014 , H01L2224/81799 , H01L2924/00012 , H01L2224/81639 , H01L2224/81647 , H01L2224/81644 , H01L2224/81669 , H01L2224/81666 , H01L2224/81624 , H01L2224/81618 , H01L2224/8166 , H01L2224/81655 , H01L2224/81611 , H01L2224/81609 , H01L2224/81613 , H01L2224/81605 , H01L2224/29075
摘要： 提供一种电子设备，具有导电性、电气化学的稳定性、耐氧化性、填充性、细致性、机械及物理强度良好，而且对基板的粘接力、粘附力高的高品质、高可靠性的金属化布线。基板(11)具备具有规定的图形的金属化布线(12)。金属化布线(12)包括金属化层(121)和绝缘层(122)。金属化层(121)包含高熔点金属成分和低熔点金属成分，高熔点金属成分以及低熔点金属成分相互扩散接合。绝缘层(122)与金属化层(121)同时形成，覆盖金属化层(121)的外面。电子部件(14)与金属化布线(12)的金属化层(121)电连接。
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公开(公告)号：CN102254896B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110132426.9
申请日：2011-05-20
申请人： 纳普拉有限公司
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/48 , H01L23/14 , H01L21/56 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L2224/13 , H01L2224/16146 , H01L2224/81 , H01L2924/09701 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： 提供一种电子器件及其制造方法，具有高性能及高功能、良好的高频特性、对降低成本有效的绝缘结构。半导体基板1具有在其厚度方向上延伸的纵孔30。绝缘物填充层3是通过向纵孔30内进行填充以覆盖其内周面而成的环状层。纵导体2由填充到被绝缘物填充层3所包围的区域20内的凝固金属体而成。绝缘填充层3是具有有机绝缘物或以玻璃为主成分的无机绝缘物、和具有纳米复合材料结构的陶瓷的层。纳米复合材料结构的陶瓷的常温电阻率超过1014Ω·cm，相对介电常数在4～9的范围内。
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