-
公开(公告)号:CN103681556A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310445656.X
申请日:2013-09-25
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02331 , H01L2224/02351 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05025 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/0556 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/10165 , H01L2224/10175 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13008 , H01L2224/13015 , H01L2224/13017 , H01L2224/13027 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13164 , H01L2224/14133 , H01L2224/16105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了凸块结构、电连接结构及其形成方法。该凸块结构可以包括:主体部分,与设置在基板上的焊盘间隔开;和第一延伸部,从主体部分的一侧延伸到焊盘上。第二延伸部从主体部分的另一侧延伸。
-
公开(公告)号:CN103681556B
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201310445656.X
申请日:2013-09-25
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02331 , H01L2224/02351 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05025 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/0556 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/10165 , H01L2224/10175 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13008 , H01L2224/13015 , H01L2224/13017 , H01L2224/13027 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13164 , H01L2224/14133 , H01L2224/16105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了凸块结构、电连接结构及其形成方法。该凸块结构可以包括:主体部分,与设置在基板上的焊盘间隔开;和第一延伸部,从主体部分的一侧延伸到焊盘上。第二延伸部从主体部分的另一侧延伸。
-
公开(公告)号:CN102194768B
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201110065917.6
申请日:2011-03-08
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: H01L21/50 , H01L21/563 , H01L23/48 , H01L23/58 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83385 , H01L2924/00012
摘要: 本发明公开了一种基底、一种封装基底、一种具有该封装基底的半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。半导体封装件包括半导体芯片、封装基底和模制层。封装基底提供安装半导体芯片的区域。模制层被构造成模制半导体芯片。封装基底包括第一开口部,第一开口部提供电连接到半导体芯片的开口区域并延伸超过半导体芯片的侧面以电连接到半导体芯片。
-
公开(公告)号:CN103035543A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201210377594.9
申请日:2012-10-08
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/11 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11912 , H01L2224/13024 , H01L2224/13027 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14104 , H01L2224/14515 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/01022 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01046 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/014
摘要: 本发明涉及形成用于半导体器件的连接突块的方法,在所述半导体器件中形成重布线图案。所述方法包括:制备半导体衬底,在半导体衬底上通过钝化膜部分地暴露出焊盘;在焊盘和钝化膜上形成种子层;形成包括开口图案的光致抗蚀剂图案,所述开口图案包括暴露出焊盘上的种子层的一部分的第一开口以及暴露出钝化膜上的种子层的一部分并且与第一开口分开的第二开口;施行第一电镀,以便在开口图案中形成填充物层;施行第二电镀,以便在填充物层上形成焊料层;去除光致抗蚀剂图案;以及施行回流工艺,以便形成将各个填充物层彼此电连接的塌陷焊料层以及位于形成在第二开口中的填充物层上的焊料突块。
-
公开(公告)号:CN102194768A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110065917.6
申请日:2011-03-08
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: H01L21/50 , H01L21/563 , H01L23/48 , H01L23/58 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83385 , H01L2924/00012
摘要: 本发明公开了一种基底、一种封装基底、一种具有该封装基底的半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。半导体封装件包括半导体芯片、封装基底和模制层。封装基底提供安装半导体芯片的区域。模制层被构造成模制半导体芯片。封装基底包括第一开口部,第一开口部提供电连接到半导体芯片的开口区域并延伸超过半导体芯片的侧面以电连接到半导体芯片。
-
-
-
-