公开(公告)号：CN103229286A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201080070413.7

申请日：2010-11-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 田中宏明

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/498 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本说明书所公开的半导体装置具有：半导体基板，其具有形成有半导体元件的元件区域；表面电极，其被形成于半导体基板的元件区域的表面上。表面电极具备第一厚度区域、和与第一厚度区域相比较厚的第二厚度区域，键合线被接合于第二厚度区域。

公开(公告)号：CN1985376A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580024082.2

申请日：2005-06-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 田中宏明 ,  河路佐智子

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0696

Abstract: 一种半导体器件，具有集电极、集电极上形成的p+集电极区(22)、集电极区上形成的n－漂移区(24)、漂移区上形成的p－体区(26)、以及体区中形成的多个n+发射极区(28)。发射极区连接到发射极。多个沟槽栅极(32)形成于体区中。每个沟槽栅极通过绝缘层(34)与将漂移区和发射极区隔开的那部分体区相对。体区被分为多个体区段，这些体区段被划分为两组。一组(26a)在体区段中带有发射极区，另一组(26b)在体区段中不带发射极区。多个第一沟槽(35a、35b、35c)形成于不带发射极区的体区段中。

公开(公告)号：CN103229286B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201080070413.7

申请日：2010-11-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 田中宏明

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/498 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本说明书所公开的半导体装置具有：半导体基板，其具有形成有半导体元件的元件区域；表面电极，其被形成于半导体基板的元件区域的表面上。表面电极具备第一厚度区域、和与第一厚度区域相比较厚的第二厚度区域，键合线被接合于第二厚度区域。

公开(公告)号：CN101803013A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106288.3

申请日：2008-09-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 田中宏明

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/78318 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置(2)，包括：场限环(FLR)(65)，其布置在半导体基板上，以便将所述半导体基板划分成内部区域和外部区域；第一焊接盘(24a至24d)，其布置在所述内部区域中，并且通过一端连接到外部电路上的导线(14a至14d)而连接到所述外部电路上；以及第二焊接盘(26a至26d)，其布置在所述外部区域中，并且所述导线的另一端被焊接在所述第二焊接盘上。

公开(公告)号：CN100449778C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200580024082.2

申请日：2005-06-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 田中宏明 ,  河路佐智子

IPC: H01L29/739

Abstract: 一种半导体器件，具有集电极、集电极上形成的p+集电极区(22)、集电极区上形成的n-漂移区(24)、漂移区上形成的p-体区(26)、以及体区中形成的多个n+发射极区(28)。发射极区连接到发射极。多个沟槽栅极(32)形成于体区中。每个沟槽栅极通过绝缘层(34)与将漂移区和发射极区隔开的那部分体区相对。体区被分为多个体区段，这些体区段被划分为两组。一组(26a)在体区段中带有发射极区，另一组(26b)在体区段中不带发射极区。多个第一沟槽(35a、35b、35c)形成于不带发射极区的体区段中。

公开(公告)号：CN101803013B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200880106288.3

申请日：2008-09-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 田中宏明

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/78318 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体装置(2)，包括：场限环(FLR)(65)，其布置在半导体基板上，以便将所述半导体基板划分成内部区域和外部区域；第一焊接盘(24a至24d)，其布置在所述内部区域中，并且通过一端连接到外部电路上的导线(14a至14d)而连接到所述外部电路上；以及第二焊接盘(26a至26d)，其布置在所述外部区域中，并且所述导线的另一端被焊接在所述第二焊接盘上。