公开(公告)号：CN107230646A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710138673.7

申请日：2017-03-09

申请人： 迪睿合株式会社

发明人： 梶谷太一郎

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： H01L2224/73204 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83203

摘要： 本发明涉及连接体的制造方法。本发明的课题在于防止电子部件的连接工序中的对准偏离，抑制连接体的连接不良。解决本发明课题的手段涉及一种连接体的制造方法，其具有下述工序：在第一电子部件(12)上配置光固化型的各向异性导电膜(1)的工序(A)，隔着各向异性导电膜(1)而在第一电子部件(12)上配置第二电子部件(18)的工序(B)，从第二电子部件(18)侧进行光照射的工序(C)，以及利用加热工具从第二电子部件(18)侧将第一电子部件(12)与第二电子部件(18)连接的工序(D)。

公开(公告)号：CN106796898A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580053121.5

申请日：2015-09-21

申请人： 丹佛斯硅动力有限责任公司

发明人： 罗纳德·艾西尔 ,  霍尔格·乌尔里奇

IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC分类号： H01L24/83 ,  B22F3/14 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/255 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29295 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7511 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83095 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83911 ,  H01L2224/83948 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

摘要： 用于通过低温加压烧结生产电子组件的方法，该方法包括以下步骤：将电子部件安排在具有导体轨道的电路载体上，并且通过低温加压烧结接合材料将该电子部件连接到该电路载体上，其中，为了避免该电子部件或该导体轨道的氧化，该低温加压烧结在包含具有0.005％至0.3％的相对氧含量的低氧气氛的可气密封闭的烧结室(10)中进行。烧结操作可以在几乎无氧的气氛中进行，只要存在含有足够的氧并且在压力下释放其的含氧材料，如特氟隆分隔膜(68)，使得在处理气氛中的最小氧浓度可以通过施加压力和温度在烧结位置直接实现。在封闭该烧结室(10)并且建立该低氧气氛之后，在进行该烧结之前可以经过一段时间以允许该室(10)内的材料与该低氧气氛的平衡。如果该电子组件在该低温加压烧结之后被部分氧化，则该电子组件可以用还原剂喷射或蒸发涂覆。

公开(公告)号：CN104934292A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410097889.X

申请日：2014-03-17

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 张先明 ,  丁敬秀 ,  陈福成

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L24/28 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/28105 ,  H01L2224/83048

摘要： 本发明提供一种提高晶圆间键合强度的方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述器件晶圆表面上依次形成等离子沉积氧化硅层和无定形硅层；执行激光退火步骤；进行化学机械平坦化步骤；执行热键合步骤。根据本发明的制造工艺在BSI器件晶圆键合面上采用激光退火方法对等离子沉积氧化硅层进行致密化处理，能有效避免器件晶圆热损伤缺陷的产生，生成氧化物层的致密性高，可提高晶圆间键合强度。

公开(公告)号：CN104051397A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410089178.8

申请日：2014-03-12

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： J.赫格劳尔 ,  M-A.库特沙克 ,  李德森 ,  G.洛曼 ,  R.奥特伦巴 ,  W.佩因霍普夫

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49517 ,  H01L21/561 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025

摘要： 本发明涉及包括非整数引线间距的封装器件及其制造方法。公开了包括非整数引线间距的封装芯片、系统和用于制造封装芯片的方法。在一个实施例中，一种封装器件包括第一芯片、包装第一芯片的封装以及从封装突出的多个引线，其中所述多个引线包括不同的非整数倍引线间距。

公开(公告)号：CN103299407A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201180064777.9

申请日：2011-12-12

申请人： 诺信公司

发明人： 阿莱克·J·巴比亚尔兹 ,  托马斯·L·拉特里格 ,  霍拉蒂奥·基尼奥内斯

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： 用于在真空辅助下施加底部填充剂（30）的方法。该方法可以包括：在接近附接到基板（10）的电子装置（14）的至少一个外边缘（18、20、22、24）处，将底部填充剂（30）分配到基板（10）上。通过在所述底部填充剂（30）中的至少一个间隙（27、42、61、62），来排空电子装置（14）与基板（10）之间的空间（28）。该方法进一步包括：加热底部填充剂（30），以使底部填充剂（30）流入到空间（28）中。因为在流动开始之前在空间（28）的敞开部中提供真空状态，所以降低了底部填充空洞的发生率。

公开(公告)号：CN103635997B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201280033105.6

申请日：2012-06-26

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： M·居耶诺 ,  M·冈瑟 ,  T·赫博特

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/64 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/70 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29015 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30051 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2224/30142 ,  H01L2224/3016 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明的基本构思是制造衬底（11）与芯片（13）之间的烧结层连接，其不仅建立衬底（11）与芯片（13）之间的良好电连接和热连接而且减小芯片（13）中的机械应力。本发明涉及一种用于制造烧结层（12）的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底（11）的主表面（11a）的接触面（21）上结构化地施加由构成所述烧结层（12）的初始材料构成的多个烧结元件（22a、22b、22c）；在所述烧结元件（22a、22b、22c）上设置待与所述衬底（11）连接的芯片（13）；加热以及压缩所述烧结元件（22a、22b、22c）以制造连接所述衬底（11）和所述芯片（13）的结构化的烧结层（12），所述烧结层（12）在所述接触面（21）内延伸，其中，在所述衬底（11）上在所述接触面（21）的中部区域（21a）中所述烧结元件（22a、22b、22c）的表面覆盖密度大于在所述接触面（21）的边缘区域（21c）中所述烧结元件（22a、22b、22c）的表面覆盖密度，其中，从所述烧结元件（22a、22b、22c）中的每一个存在至少一个横向于所述衬底（11）的所述主表面（11a）延伸至所述接触面（21）的边缘的穿通通道（23）。在所述接触面（21）的中部区域（21a）中可以设置一个大面积的烧结元件（22a）并且在所述接触面（21）的边缘区域（21c）中可以设置多个例如圆形的烧结元件（22c）。所述烧结元件（22a、22b、22c）也可以具有凹口（24）。本发明还涉及一种相应的装置（10、10’、10’’）。

公开(公告)号：CN107112248A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004693.9

申请日：2016-10-31

申请人： 古河电气工业株式会社

发明人： 中村照幸 ,  关野章良 ,  谷口英广

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L21/52 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/751 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75281 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/1011 ,  H01L2924/12042 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/1039 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0105

摘要： 一种芯片接合装置，其向第一部件接合第二部件，其特征在于，具备：载置台，其将第一部件载置于载置区域；加热器，其设置在所述载置台的下侧；侧壁，其设置为包围所述载置台的载置区域；盖，其具有能够供第一部件以及第二部件通过的大小的孔，且载置于侧壁；夹头，其能够利用前端部对第二部件进行真空夹紧，从而对第二部件进行保持；移动机构，其使夹头移动，以使夹头保持的第二部件通过孔而与第一部件接合；以及气体供给管，其设置于侧壁，向由侧壁与盖形成的加热空间供给加热气体，盖包括能够对由加热器以及加热气体产生的红外线辐射进行反射、或吸收‑再辐射的材料。

公开(公告)号：CN102802846B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201080065477.8

申请日：2010-04-23

申请人： 同和电子科技有限公司

发明人： 远藤圭一 ,  久枝穣 ,  宫泽彰宏 ,  长原爱子 ,  上山俊彦

IPC分类号： B22F9/00 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  H01L21/52 ,  H05K3/32

CPC分类号： H01L24/83 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0062 ,  B22F7/064 ,  B22F9/24 ,  B22F2301/255 ,  B22F2303/01 ,  B22F2304/054 ,  B22F2304/056 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  B23K1/203 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/36 ,  B23K35/3618 ,  B23K2101/42 ,  B82Y30/00 ,  C09J11/06 ,  C22C5/06 ,  H01B1/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/203 ,  H05K3/32 ,  H05K3/3489 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2203/086 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/3512

摘要： 提供使用金属纳米粒子形成的接合体的形成方法。具体是提供含有即使是在惰性气氛下也能够形成金属相的焊剂成分的膏料。通过使用该膏料，能够提供在以氮气为代表的惰性气氛下且低温下，而且无需进行以往所需的加压，就能够发挥可经受实用的接合强度的接合材料。通过使用膏料的构成为含有平均一次粒径1～200nm、被碳数8以下的有机物质被覆的银纳米粒子与至少具有两个羧基的焊剂成分及分散介质的构成的接合材料，即使是300℃以下的温度也能够进行物质间接合。

公开(公告)号：CN102709203B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201110216967.X

申请日：2011-07-28

申请人： 山田尖端科技株式会社

发明人： 小林一彦

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75313 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75317 ,  H01L2224/7532 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/75984 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81093 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83093 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/95093 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供接合装置及接合方法。该接合装置通过高效地使基板升温来降低对半导体装置进行倒装式连接时产生错位、连接不良。上模块使夹紧面接近被支承于基板保持板的基板，利用辐射热对基板和半导体装置进行预加热，在该基板支承于基板保持板的状态下，将夹紧面按压于半导体装置而使绝缘性粘接剂硬化，并使半导体装置的凸块接合于基板端子部。

公开(公告)号：CN103635997A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280033105.6

申请日：2012-06-26

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： M·居耶诺 ,  M·冈瑟 ,  T·赫博特

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/64 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/70 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29015 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30051 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2224/30142 ,  H01L2224/3016 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明的基本构思是制造衬底（11）与芯片（13）之间的烧结层连接，其不仅建立衬底（11）与芯片（13）之间的良好电连接和热连接而且减小芯片（13）中的机械应力。本发明涉及一种用于制造烧结层（12）的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底（11）的主表面（11a）的接触面（21）上结构化地施加由构成所述烧结层（12）的初始材料构成的多个烧结元件（22a、22b、22c）；在所述烧结元件（22a、22b、22c）上设置待与所述衬底（11）连接的芯片（13）；加热以及压缩所述烧结元件（22a、22b、22c）以制造连接所述衬底（11）和所述芯片（13）的结构化的烧结层（12），所述烧结层（12）在所述接触面（21）内延伸，其中，在所述衬底（11）上在所述接触面（21）的中部区域（21a）中所述烧结元件（22a、22b、22c）的表面覆盖密度大于在所述接触面（21）的边缘区域（21c）中所述烧结元件（22a、22b、22c）的表面覆盖密度，其中，从所述烧结元件（22a、22b、22c）中的每一个存在至少一个横向于所述衬底（11）的所述主表面（11a）延伸至所述接触面（21）的边缘的穿通通道（23）。在所述接触面（21）的中部区域（21a）中可以设置一个大面积的烧结元件（22a）并且在所述接触面（21）的边缘区域（21c）中可以设置多个例如圆形的烧结元件（22c）。所述烧结元件（22a、22b、22c）也可以具有凹口（24）。本发明还涉及一种相应的装置（10、10’、10’’）。