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公开(公告)号：CN104701310B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201410734195.2
申请日：2014-12-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/8238
摘要： 本发明提供了具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件。半导体结构包括在绝缘层的开口中形成的金属栅极结构。该金属栅极结构包括栅极介电层、阻挡层、位于栅极介电层和阻挡层之间的功函金属层、以及位于阻挡层上方的功函调整层，其中，功函金属具有有序的晶粒取向。本发明还提供了制造具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN103811538B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201310279559.8
申请日：2013-07-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L29/4966 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L29/401 , H01L29/66545 , H01L29/78
摘要： 本发明提供了半导体结构。半导体结构包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅叠层。栅叠层包括高k介电材料层、位于高k介电材料层上方的富钛TiN层以及设置在富钛TiN层上方的金属层。金属层包括铝。本发明还提供了具有器件收益和生产率改进的金属栅极结构。
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公开(公告)号：CN103887340B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310072572.6
申请日：2013-03-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/28194 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L29/4966 , H01L29/785
摘要： 提供了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极堆叠件的N功函数金属及其形成方法。实施例FinFET包括由半导体衬底支撑的鳍，该鳍在源极和漏极之间延伸并且具有沟道区域；以及在鳍的沟道区域上方形成的栅极堆叠件，该栅极堆叠件包括包含位于碳化钽铝(TaAlC)层相对侧上的氧化物层的N功函数金属层。
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公开(公告)号：CN1828884A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006255.4
申请日：2006-01-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53295 , H01L21/76805 , H01L21/76844 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其提供在介电层中具有独特阻障层的开口。在一实施例中，该开口包括介层窗与沟槽，而阻障层为一层或多层阻障层。在该开口侧壁上，该一层或多层阻障层沿大约沟槽底部与介电层顶部的中心位置的厚度与其沿沟槽底部的厚度的比例大于0.55。在另一实施例中，该开口侧壁上，该一层或多层阻障层沿大约沟槽底部与介电层顶部的中心位置的厚度与其沿介层窗底部的厚度的比例大于1.0。位于下方的导电层可形成凹陷区。根据本发明的半导体装置，其中的阻障层能避免或减少金属物质沿介层窗侧壁扩散及降低介层窗与下层导电物质间接触电阻。
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公开(公告)号：CN113540220A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110347242.8
申请日：2021-03-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/336
摘要： 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括移除虚置栅极与虚置栅极介电层以形成凹陷于相邻的多个栅极间隔物之间。沉积栅极介电层于凹陷中，并沉积阻挡层于栅极介电层上。沉积第一功函数层于阻挡层上。形成第一抗反应层于第一功函数层上，而第一抗反应层减少第一功函数层的氧化。沉积填充材料于第一抗反应层上。
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公开(公告)号：CN113410178A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110141088.9
申请日：2021-02-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092
摘要： 本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种结构包括：包括第一半导体区域和第二半导体区域的半导体衬底；在第一半导体区域中的第一晶体管；以及在第二半导体区域中的第二晶体管。第一晶体管包括：在第一半导体区域之上的第一栅极电介质；在第一栅极电介质之上并与其接触的第一功函数层；以及在第一功函数层之上的第一导电区域。第二晶体管包括：在第二半导体区域之上的第二栅极电介质；在第二栅极电介质之上并与其接触的第二功函数层，其中，第一功函数层和第二功函数层具有不同的功函数；以及在第二功函数层之上的第二导电区域。
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公开(公告)号：CN107123675A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201610915645.7
申请日：2016-10-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/4966 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/42356 , H01L29/7842
摘要： 本发明的实施例提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET包括衬底、栅极堆叠件和应变层。该衬底具有半导体鳍。栅极堆叠件设置为横跨半导体鳍。栅极堆叠件包括栅极介电层、功函层和金属填充层。栅极介电层设置在半导体鳍上。功函层设置在栅极介电层上。金属填充层位于功函层上方。过滤层设置在功函层和金属填充层之间以防止或减少扩散原子的穿透。应变层位于栅极堆叠件旁边。过滤层的材料与功函层的材料和金属填充层的材料不同。本发明的实施例还涉及n‑型FinFET、半导体器件和FinFET的制造方法。
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公开(公告)号：CN104701310A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410734195.2
申请日：2014-12-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/8238
摘要： 本发明提供了具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件。半导体结构包括在绝缘层的开口中形成的金属栅极结构。该金属栅极结构包括栅极介电层、阻挡层、位于栅极介电层和阻挡层之间的功函金属层、以及位于阻挡层上方的功函调整层，其中，功函金属具有有序的晶粒取向。本发明还提供了制造具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN100429772C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200610006255.4
申请日：2006-01-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53295 , H01L21/76805 , H01L21/76844 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其提供在介电层中具有独特阻挡层的开口。在一实施例中，该开口包括介层窗与沟槽，而阻挡层为一层或多层阻挡层。在该开口侧壁上，该一层或多层阻挡层沿大约沟槽底部与介电层顶部的中心位置的厚度与其沿沟槽底部的厚度的比例大于0.55。在另一实施例中，该开口侧壁上，该一层或多层阻挡层沿大约沟槽底部与介电层顶部的中心位置的厚度与其沿介层窗底部的厚度的比例大于1.0。位于下方的导电层可形成凹陷区。根据本发明的半导体装置，其中的阻挡层能避免或减少金属物质沿介层窗侧壁扩散及降低介层窗与下层导电物质间接触电阻。
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公开(公告)号：CN1604298A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410070050.3
申请日：2004-08-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/00 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67781
摘要： 一种晶片装载室，包括一腔体、一升降台、一伸缩轴以及一蒸气捕捉装置；腔体包括一底表面；升降台是设置于腔体之内；伸缩轴包括一上端及一下端，上端是连结于升降台，下端连接于底表面，其中一润滑剂涂覆于伸缩轴之上；蒸气捕捉装置可防止润滑剂产生的蒸气造成晶片的污染。
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