公开(公告)号：CN107017175A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611124232.3

申请日：2016-12-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 邵栋梁 ,  董志航 ,  施玟伶 ,  陈筱芸 ,  余振华

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L23/488

摘要： 一种方法包括实施第一撞击工艺以使第一封装组件的金属凸块撞击第二封装组件的金属焊盘。金属凸块和金属焊盘的第一个包括铜。金属凸块和金属焊盘的第二个包括铝。该方法还包括实施第二撞击工艺以使金属凸块撞击金属焊盘。实施退火以使金属凸块接合在金属焊盘上。本发明实施例涉及封装及其形成方法以及用于接合的多撞击工艺。

公开(公告)号：CN107017175B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201611124232.3

申请日：2016-12-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 邵栋梁 ,  董志航 ,  施玟伶 ,  陈筱芸 ,  余振华

IPC分类号： H01L21/603 ,  H01L23/488

摘要： 一种方法包括实施第一撞击工艺以使第一封装组件的金属凸块撞击第二封装组件的金属焊盘。金属凸块和金属焊盘的第一个包括铜。金属凸块和金属焊盘的第二个包括铝。该方法还包括实施第二撞击工艺以使金属凸块撞击金属焊盘。实施退火以使金属凸块接合在金属焊盘上。本发明实施例涉及封装及其形成方法以及用于接合的多撞击工艺。

公开(公告)号：CN115662911A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211428741.0

申请日：2017-06-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 邵栋梁 ,  萧义理 ,  陈筱芸 ,  董志航 ,  余振华

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18

摘要： 公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造器件的方法包括通过间隔件将第一半导体器件连接至第二半导体器件。第一半导体器件具有在第一半导体器件上设置的第一接触焊盘并且第二半导体器件具有在第二半导体器件上设置的第二接触焊盘。该方法包括在第一半导体器件的第一接触焊盘和第二半导体器件的第二接触焊盘之间形成浸没互连件。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN107546138A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710494979.6

申请日：2017-06-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 邵栋梁 ,  萧义理 ,  陈筱芸 ,  董志航 ,  余振华

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/756 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/811 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/11

摘要： 公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造器件的方法包括通过间隔件将第一半导体器件连接至第二半导体器件。第一半导体器件具有在第一半导体器件上设置的第一接触焊盘并且第二半导体器件具有在第二半导体器件上设置的第二接触焊盘。该方法包括在第一半导体器件的第一接触焊盘和第二半导体器件的第二接触焊盘之间形成浸没互连件。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。