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公开(公告)号：CN101273452A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680032657.X
申请日：2006-08-28
申请人： 宇芯(毛里求斯)控股有限公司
发明人： S·伊斯拉姆 , R·S·撒恩安东尼奥 , A·苏巴迪奥
CPC分类号： H01L23/49503 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49548 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/86 , H01L24/97 , H01L2224/05599 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/83101 , H01L2224/85001 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/19107 , H01L2224/82 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2224/86 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/01005
摘要： 一种半导体器件封装(10)，包含至少部分被模塑化合物(18)覆盖的半导体器件(20)和导电的引线框架(22)。导电的引线框架(22)包含邻近封装(10)的周边设置的多根引线(23)和设置在由多根引线(23)形成的中心区域中的裸片焊盘(30)。半导体器件(20)被固定到裸片焊盘(30)上，并且从裸片(20)向外延伸的裸片焊盘(23)的一部分被粗糙化以改善与模塑化合物(18)的粘接性。在其它的方面中，沟槽(50、52)被设置在裸片焊盘(30)表面上以进一步促进与裸片焊盘(30)的粘接性并防止水分渗入半导体器件(20)的附近。
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公开(公告)号：CN107579054A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710709418.3
申请日：2011-07-26
申请人： 宇芯(毛里求斯)控股有限公司
发明人： R·S·S·安东尼奥 , A·苏巴吉奥 , S·伊斯拉姆
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种用于半导体封装的连接芯片焊盘的引线框架。用于成型的塑料半导体封装的再分布引线框架其由导电衬底通过连续金属移除工艺形成。所述工艺包括图案化衬底的第一侧以形成由沟道隔离的连接盘阵列；将第一成型化合物设置在那些沟道内；图案化衬底的第二侧以形成芯片附着点阵列和电互连连接盘阵列与芯片附着点阵列的路径电路；直接将半导体装置上的输入/输出焊盘电互连到芯片附着点；以及用第二成型化合物密封半导体装置、芯片附着点阵列和路径电路。本工艺尤其适于制造芯片级封装和非常薄的封装。
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公开(公告)号：CN102412224A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110265774.3
申请日：2011-07-26
申请人： 宇芯(毛里求斯)控股有限公司
发明人： R·S·S·安东尼奥 , A·苏巴吉奥 , S·伊斯拉姆
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种用于半导体封装的连接芯片焊盘的引线框架。一种用于成型的塑料半导体封装的再分布引线框架，其由导电衬底通过连续金属移除工艺形成。所述工艺包括图案化衬底的第一侧以形成由沟道隔离的连接盘阵列；将第一成型化合物设置在那些沟道内；图案化衬底的第二侧以形成芯片附着点阵列和电互连连接盘阵列与芯片附着点阵列的路径电路；直接将半导体装置上的输入/输出焊盘电互连到芯片附着点；以及用第二成型化合物密封半导体装置、芯片附着点阵列和路径电路。本工艺尤其适于制造芯片级封装和非常薄的封装。
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公开(公告)号：CN101273452B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200680032657.X
申请日：2006-08-28
申请人： 宇芯(毛里求斯)控股有限公司
发明人： S·伊斯拉姆 , R·S·撒恩安东尼奥 , A·苏巴迪奥
CPC分类号： H01L23/49503 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49548 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/86 , H01L24/97 , H01L2224/05599 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/83101 , H01L2224/85001 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/19107 , H01L2224/82 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2224/86 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/01005
摘要： 一种半导体器件封装(10)，包含至少部分被模塑化合物(18)覆盖的半导体器件(20)和导电的引线框架(22)。导电的引线框架(22)包含邻近封装(10)的周边设置的多根引线(23)和设置在由多根引线(23)形成的中心区域中的裸片焊盘(30)。半导体器件(20)被固定到裸片焊盘(30)上，并且从裸片(20)向外延伸的裸片焊盘(23)的一部分被粗糙化以改善与模塑化合物(18)的粘接性。在其它的方面中，沟槽(50、52)被设置在裸片焊盘(30)表面上以进一步促进与裸片焊盘(30)的粘接性并防止水分渗入半导体器件(20)的附近。
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