公开(公告)号：CN115527952A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210614095.0

申请日：2022-05-31

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤辽一 ,  村田悠马 ,  金井直之

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体模块，能够防止位于配置连接部的一侧的密封树脂的剥离，该连接部用于与半导体元件的连接。半导体模块具备外框、密封树脂、栅极信号输出端子以及分隔部，在所述分隔部配置有使连接部露出的状态的栅极信号输出端子，所述分隔部架设于外框来将空间分隔为多个收纳部。分隔部具有位于配置连接部的一侧的第一表面部、以及位于未配置连接部的一侧的第二表面部，所述第二表面部形成为相对于密封树脂的剥离强度比第一表面部的相对于密封树脂的剥离强度低。

公开(公告)号：CN116110857A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211164332.4

申请日：2022-09-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 日向裕一朗 ,  金井直之 ,  齐藤隆

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L23/18

Abstract: 本发明实现抑制了覆盖半导体芯片的涂敷件的形成不良的半导体装置。半导体装置具备：绝缘电路基板，其具有导电图案层；烧结部件，其配置在导电图案层上；半导体芯片，其配置在烧结部件上；涂敷件，其覆盖半导体芯片。烧结部件在与导电图案层相反一侧的面具有凹部以及构成其外缘的框部。半导体芯片搭载于凹部，以上表面位于比框部的上端更靠导电图案层侧的位置的方式配置。由此，烧结部件的框部作为使涂敷件留在其内侧的半导体芯片上的堤坝部而起作用，抑制半导体芯片从涂敷件露出。

公开(公告)号：CN107093587B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201611233908.2

申请日：2016-12-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 金井直之 ,  堀元人 ,  金子悟史

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置保护引线的接合部。半导体装置(100)具备：半导体元件(12)，其在表面具有电极；引线(15)，其与半导体元件(12)的电极接合；树脂层(22b)，其覆盖半导体元件(12)的表面的引线(15)的接合部；以及凝胶填充材料(23)，其密封半导体元件(12)、引线(15)和树脂层(22b)。通过利用树脂层(22b)对引线(15)的接合部进行保护，从而能够缓和其劣化，提高半导体装置(100)的可靠性。

公开(公告)号：CN116779572A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310048230.4

申请日：2023-01-31

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中田仁志 ,  金井直之 ,  日向裕一朗

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明提供一种能够实现生产率的提高的布线构造。构成布线构造的导电构件(5)具有：第1接合部(20)，其与电子元器件(4)接合；第2接合部(21)，其接合于与电子元器件连接的连接对象(14)；立起部(22)，其从第1接合部向上方突出并与第2接合部连结；以及开放形状的线材通过部(30)，其至少设于立起部的局部，该线材通过部(30)能够使从第1接合部沿着立起部配设的线材(6)以与沿着立起部的面(23、25)交叉的方式同第1接合部连接。

公开(公告)号：CN116259598A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211317347.X

申请日：2022-10-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 金井直之 ,  村田悠马

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/58

Abstract: 本发明提供一种半导体模块，抑制电气不良的发生。在第一绝缘片(23)与第二功率端子(25)之间，设置有与端子层叠部的层叠方向正交的平面方向的导热率比层叠方向的导热率高的热各向异性片(24)。由此，在通过激光焊接将连结部件(40)接合于第二功率端子(25)的正面时，能够抑制由激光产生的热向第一绝缘片(23)传导。因此，能够抑制第一绝缘片(23)产生损伤，维持第一功率端子(22)与第二功率端子(25)之间的绝缘性。

公开(公告)号：CN119965184A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411483637.0

申请日：2024-10-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤辽一 ,  金井直之 ,  日向裕一朗

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体模块及半导体模块的制造方法，能够降低施加于电极的热应力，降低电极的形变，提高可靠性。半导体模块具备：搭载有半导体元件（1）的层叠基板（5）、与半导体元件（1）电连接的引线框（10）、以及将包含半导体元件（1）、引线框（10）和层叠基板（5）的被密封部件密封的密封树脂（8）。引线框（10）在与半导体元件（1）接合的接合部（31）的上表面设置有多个凹部（23）。

公开(公告)号：CN118676097A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410133865.9

申请日：2024-01-31

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 日向裕一朗 ,  金井直之

IPC: H01L23/492

Abstract: 提供一种半导体装置。半导体装置具备：半导体芯片；键合线，其与设置于所述半导体芯片的电极电连接；以及连接用基板，其与所述半导体芯片的所述电极接合，其中，所述连接用基板的热膨胀系数与所述键合线的热膨胀系数相同，或者，所述连接用基板的热膨胀系数是所述键合线的热膨胀系数以下且第一热膨胀系数以上的范围内的值，所述第一热膨胀系数与所述键合线的热膨胀系数之差为规定值，所述键合线与所述连接用基板接合，通过所述连接用基板来与所述电极导通。

公开(公告)号：CN115763466A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210906429.1

申请日：2022-07-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 东展弘 ,  吉田大辉 ,  村田悠马 ,  金井直之

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/68 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/04 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49 ,  H01L23/16 ,  H10B80/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法，提高线键合的位置精度。半导体装置(1)具备：半导体元件(7)；控制端子(19)，其经由布线构件来与半导体元件的上表面电极电连接；以及外壳构件(4)，其与控制端子一体成型，所述外壳构件(4)划定出收容半导体元件的空间。控制端子具有成为布线构件的连接点的键合焊盘(19a)。外壳构件具有凸状的定位部(41d)，该定位部(41d)成为布线构件相对于焊盘的定位的基准点。

公开(公告)号：CN107230642A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710119851.1

申请日：2017-03-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 金井直之 ,  浅井竜彦

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  C08K3/32 ,  C08L63/00

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/52 ,  H01L21/565 ,  H01L23/053 ,  H01L23/08 ,  H01L23/18 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/01 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/067 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L21/561 ,  C08K3/32 ,  C08K2003/329 ,  H01L23/293 ,  C08L63/00

Abstract: 提供一种提高密封材料与被密封部件和/或外壳部件之间的粘着性的、高可靠性半导体装置。该半导体装置具有层叠基板2和密封介质10，其中，层叠基板2上安装有半导体元件1，密封材料10包括环氧树脂主剂、硬化剂和膦酸。

公开(公告)号：CN107093587A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201611233908.2

申请日：2016-12-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 金井直之 ,  堀元人 ,  金子悟史

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/565 ,  H01L23/049 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3178 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/85399 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置保护引线的接合部。半导体装置(100)具备：半导体元件(12)，其在表面具有电极；引线(15)，其与半导体元件(12)的电极接合；树脂层(22b)，其覆盖半导体元件(12)的表面的引线(15)的接合部；以及凝胶填充材料(23)，其密封半导体元件(12)、引线(15)和树脂层(22b)。通过利用树脂层(22b)对引线(15)的接合部进行保护，从而能够缓和其劣化，提高半导体装置(100)的可靠性。