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公开(公告)号：CN105051898A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480015666.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 饭塚祐二
CPC classification number: H01L23/053 , H01L23/16 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2023/4056 , H01L2023/4062 , H01L2023/4087 , H01L2224/13005 , H01L2224/13016 , H01L2224/13023 , H01L2224/16238 , H01L2224/48 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种使构成半导体装置的基本结构通用，实现生产效率的提高，并且能够确保充分的冷却性能的半导体装置。该半导体装置具备：支撑板(3)，其具有第一面(3a)、位于第一面(3a)相反侧的第二面(3b)和从第一面(3a)贯通至第二面(3b)的贯通孔(16)；和半导体单元(2)，其具有半导体芯片(15)和突出的金属块(14)，半导体单元(2)固定于支撑板(3)的第一面(3a)，金属块(14)穿过贯通孔(16)而贯通至第二面(3b)。
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公开(公告)号：CN115706067A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210769408.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 饭塚祐二
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L23/13
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，能够防止焊料接合时的构件的位置偏移，而能够形成均匀厚度的接合层，而具有高可靠性。半导体装置的制造方法包括以下工序：准备具有导电板(12)的绝缘电路基板(1)；通过将板状的接合材料(2x)局部地固定在导电板(12)上，来将接合材料(2x)在水平方向上进行定位；在接合材料(2x)上载置半导体芯片(3)；加热接合材料(2x)来使接合材料(2x)熔融，从而形成将绝缘电路基板(1)与半导体芯片(3)接合的接合层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105051898B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201480015666.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 饭塚祐二
CPC classification number: H01L23/053 , H01L23/16 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2023/4056 , H01L2023/4062 , H01L2023/4087 , H01L2224/13005 , H01L2224/13016 , H01L2224/13023 , H01L2224/16238 , H01L2224/48 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种使构成半导体装置的基本结构通用，实现生产效率的提高，并且能够确保充分的冷却性能的半导体装置。该半导体装置具备：支撑板(3)，其具有第一面(3a)、位于第一面(3a)相反侧的第二面(3b)和从第一面(3a)贯通至第二面(3b)的贯通孔(16)；和半导体单元(2)，其具有半导体芯片(15)和突出的金属块(14)，半导体单元(2)固定于支撑板(3)的第一面(3a)，金属块(14)穿过贯通孔(16)而贯通至第二面(3b)。
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公开(公告)号：CN104170086A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380012416.9
申请日：2013-03-11
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48 , H02M7/5387 , H05K1/14
CPC classification number: H01L24/80 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/34 , H01L23/49811 , H01L23/5385 , H01L24/02 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/117 , H01L25/18 , H01L29/66325 , H01L2224/06 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H05K1/0263 , H05K2201/10166 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种提高对冷却体的密合性，并且能够实现生产效率提高的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置是三个功率半导体模块(1)以预定的间隔排列在同一平面内，从功率半导体模块(1)向外部引出的销状导电体(25～27)分别与三片主端子板(2A～2C)连接，从而它们构成一个整体的复合模块。将整个复合模块收纳于保护壳中，进一步配置散热片的情况下，通过利用插入到贯穿孔(29)的螺栓将保护壳和散热片联结，能够使绝缘基板的底面与散热片可靠地密合而收纳在保护壳中。
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公开(公告)号：CN109950866B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201811313159.3
申请日：2018-11-06
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H02H3/08
Abstract: 本发明提供一种电流切断器，其能够进行高速的电流切断，并能够降低电流导通损耗。电流切断器(10)具备作为电流的导通部的主导通部(11)以及与其并联连接的辅助导通部(12)，主导通部(11)包括不具有自关断功能的第一半导体开关元件(1)以及与其串联连接的对导通部进行切换的导通部切换元件(2)，辅助导通部(12)包括第二半导体开关元件(3)。该电流切断器(10)具备对第一半导体开关元件(1)、导通部切换元件(2)、第二半导体开关元件(3)的接通、断开动作分别进行控制的控制电路。
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公开(公告)号：CN109950866A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811313159.3
申请日：2018-11-06
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H02H3/08
Abstract: 本发明提供一种电流切断器，其能够进行高速的电流切断，并能够降低电流导通损耗。电流切断器(10)具备作为电流的导通部的主导通部(11)以及与其并联连接的辅助导通部(12)，主导通部(11)包括不具有自关断功能的第一半导体开关元件(1)以及与其串联连接的对导通部进行切换的导通部切换元件(2)，辅助导通部(12)包括第二半导体开关元件(3)。该电流切断器(10)具备对第一半导体开关元件(1)、导通部切换元件(2)、第二半导体开关元件(3)的接通、断开动作分别进行控制的控制电路。
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公开(公告)号：CN104170086B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201380012416.9
申请日：2013-03-11
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L24/80 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/34 , H01L23/49811 , H01L23/5385 , H01L24/02 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/117 , H01L25/18 , H01L29/66325 , H01L2224/06 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H05K1/0263 , H05K2201/10166 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种提高对冷却体的密合性，并且能够实现生产效率提高的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置是三个功率半导体模块(1)以预定的间隔排列在同一平面内，从功率半导体模块(1)向外部引出的销状导电体(25～27)分别与三片主端子板(2A～2C)连接，从而它们构成一个整体的复合模块。将整个复合模块收纳于保护壳中，进一步配置散热片的情况下，通过利用插入到贯穿孔(29)的螺栓将保护壳和散热片联结，能够使绝缘基板的底面与散热片可靠地密合而收纳在保护壳中。
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