公开(公告)号：CN101047156A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610141451.2

申请日：2006-09-29

申请人： 富士通株式会社

发明人： 松木浩久 ,  福田淳

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/57 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48477 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种提高FeRAM抗湿性的半导体器件及其制造方法。在使用焊盘进行探针测试之后，形成金属膜以覆盖保护膜开口中的焊盘以及从该焊盘到该保护膜的开口外围的区域。在该金属膜上形成金属凸点。该金属膜形成为具有第一和第二金属膜的双层结构。主要考虑与该保护膜的粘着性和与该金属凸点的粘着性，分别选择下层和上层的材料。设置金属膜的膜形成条件以提供具有预期质量和厚度的金属膜。因此，能够阻止湿气从焊盘或外围侵入到铁电电容器中，从而有效地抑制由于侵入的湿气导致的电位反转异常的发生。