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公开(公告)号：CN106086501B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201610377520.3
申请日：2016-05-31
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研医疗器械(北京)有限公司
摘要： 本发明公开了属于贵金属合金技术领域的一种贵金属合金及其制备方法和应用。所述合金包括：钯或铂75.2‑96wt％，镍0.5‑20wt％，铜0.15‑3.2wt％，钛3.9‑23.7wt％。按照所述合金的成分，利用纯铂或纯钯，以及纯钛板、纯铜板和纯镍板配制成混合原料，混合原料经真空自耗炉或真空感应炉熔炼成铸锭，再经过热处理获得所述的贵金属合金。获得的贵金属合金的强度得到显著提高，且其固态相转变滞后窄，相转变温度范围窄，使合金的感温敏感，能快速实现温度的精确控制，可广泛用于医疗器械用材料以及工业传感器自动控制用感温和控温材料。
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公开(公告)号：CN106086501A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610377520.3
申请日：2016-05-31
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研医疗器械(北京)有限公司
CPC分类号： C22C5/04 , A61L27/047 , A61L27/06 , A61L31/022 , A61L2430/02 , A61L2430/12
摘要： 本发明公开了属于贵金属合金技术领域的一种贵金属合金及其制备方法和应用。所述合金包括：钯或铂75.2‑96wt％，镍0.5‑20wt％，铜0.15‑3.2wt％，钛3.9‑23.7wt％。按照所述合金的成分，利用纯铂或纯钯，以及纯钛板、纯铜板和纯镍板配制成混合原料，混合原料经真空自耗炉或真空感应炉熔炼成铸锭，再经过热处理获得所述的贵金属合金。获得的贵金属合金的强度得到显著提高，且其固态相转变滞后窄，相转变温度范围窄，使合金的感温敏感，能快速实现温度的精确控制，可广泛用于医疗器械用材料以及工业传感器自动控制用感温和控温材料。
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公开(公告)号：CN118345341A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410558232.2
申请日：2024-05-08
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域，公开了一种钨靶材及其制备方法。以高纯的钨粉为原料，先通过真空热压烧结过程，或通过冷等静压后进行氢气氛烧结过程，获得相对密度为75％～85％的一次成型钨坯料；然后在一次成型钨坯料上下表面进行喷丸处理或化学气相沉积镀膜处理，在坯料表层厚度为0.1～0.5mm的范围内形成相对密度为95％～99％的致密层，且不改变内部大部分区域的微观组织和致密化程度；再对坯料进行无包套热等静压处理，获得相对密度≥99％的二次致密化钨靶坯；最后磨床去除钨靶坯上下表面深度为0.1～1mm的区域，获得致密度≥99.5％，平均晶粒尺寸≤10μm的高纯钨靶材。该方法既节约成本，同时也兼顾了靶材对密度和晶粒的要求。
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公开(公告)号：CN117758088A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311745746.0
申请日：2023-12-18
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域，公开了一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材及其制备方法。所述钼硅合金靶材，以钼块和硅块为原料，先通过熔炼的方式获得高纯度无偏析低氧的Mo3Si合金铸锭，经酸洗后使用无坩埚雾化制粉的方式，筛分制备高纯低氧的球形Mo3Si合金粉末。最后与Mo粉进行混合进行真空热压烧结，获得Si含量≤25wt％，尺寸≥300mm，纯度≥4N，致密度≥99.5％，平均晶粒尺寸≤20μm，整体靶面Si含量成分波动≤±0.5wt％，氧含量≤100ppm的高纯钼硅合金靶材。
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公开(公告)号：CN113981386B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202111160175.5
申请日：2021-09-30
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明提出一种高钪含量铝钪合金靶材的制造方法，通过采用Sc粉与第二相化合物Al3Sc粉进行配料混合，Sc的熔点(1541℃)Al3Sc的熔点(1320℃)均较高，能够提高粉末烧结温度至1000‑1300℃，提高了AlSc靶材的致密度；并且由于直接加入了第二相化合物Al3Sc粉，能够使得第二相更加均匀弥散的分布。
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公开(公告)号：CN116288237A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211636972.0
申请日：2022-12-16
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本发明涉及溅射靶材技术领域，具体涉及一种高纯钴溅射靶材的制备方法、高纯钴溅射靶材及应用。所述方法包括以下步骤：(1)基体预处理：选择靶材基体，对基体表面进行加工处理，控制基体表面粗糙度在0.1μm以下；(2)高纯钴沉积：采用化学气相沉积法将高纯钴沉积到基体上，沉积时基体的温度保持在200‑400℃，得到高纯钴溅射靶材。本发明采用气相沉淀法直接在基体表面沉积，一步法直接得到高纯度钴溅射靶材，反应过程均匀，产品一致性好；金属钴直接沉积到背板上，靶材内应力小，透磁均匀性高，有利于保证钴靶材产品质量，且生产成本低。得到的钴靶PTF比传统的冷热轧制加退火的工艺要高，同时组织均匀，具有更好的磁控溅射性能。
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公开(公告)号：CN116219446A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211546323.1
申请日：2022-12-05
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
IPC分类号： C23G5/028
摘要： 一种集成电路用靶材的精密清洗方法，包括：(1)靶材在高纯有机溶剂清洗剂中进行高频超声清洗；(2)经步骤(1)超声清洗后的靶材浸泡在高纯共沸物有机溶剂清洗剂中进行漂洗；(3)靶材在蒸汽干燥箱中加热器对步骤(2)所用的高纯有机溶剂清洗剂进行加热，高纯有机溶剂清洗剂加热形成蒸汽清洗靶材，再停止加热溶剂，对靶材进行单独加热，干燥后得到洁净的靶材。所述工艺方法能够实现靶材在成品清洗过程中全程避免和水接触，有效杜绝靶材表面发生电化学反应的可能性，同时能够有效去除靶材表面可能存在的颗粒和油污等污染物，其清洗过程简单高效，整个清洗过程在密闭环境中进行，清洗液可以回收循环利用，排放少，实现集成电路用靶材的精密清洗。
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公开(公告)号：CN115621238A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211212650.3
申请日：2022-09-30
申请人： 有研亿金新材料有限公司
IPC分类号： H01L23/492
摘要： 一种用于陶瓷覆铜板的活性焊料/铜复合材料，包括：铜板及复合在铜板上的AgCuTi活性焊料层；其制备方法包括：(1)真空退火炉加压焊接银铜焊料与无氧铜，(2)在复合后材料银铜一侧镀钛，(3)利用激光将复合材料切割成所需形状；经本发明制得的活性焊料/铜复合材料将复合后材料镀钛一侧，置于陶瓷体上，经真空加压焊接，得到的陶瓷覆铜基板结合牢固，无凸起、空隙，切割后边缘平整无分层断裂，提高焊接可靠性，解决了银铜钛合金脆性大难加工的问题，实现焊层厚度可控，实现按需定制，简化陶瓷覆铜板制备流程，大大缩短生产时间，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN114921656A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210536174.4
申请日：2022-05-17
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明提出一种降低高纯金碳含量的制备方法，通过下引式定向凝固提纯金锭，降低金锭中的碳含量再进行真空感应熔炼，通过反复充气熔炼，达到进一步去除碳杂质的目的。通过本发明所述方法得到的金锭，纯度超过99.9995％，碳含量＜3ppm，与化学还原金粉相比，碳含量降低近80％，与一般真空感应熔炼铸锭相比，碳含量降低60％以上。
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公开(公告)号：CN104342572B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410444144.6
申请日：2014-09-02
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明属于冷阴极材料制备技术领域的一种高二次电子发射系数冷阴极材料及其制备方法。所述材料包括：按重量百分比计，钡1.5％-4.5％，铂95.5％-98.5％；所述材料的微观结构为：铂为基体，Pt5Ba为第二相分布于基体中。所述高二次电子发射系数冷阴极材料在一次电子轰击功率为200W/cm2下，连续轰击3600h后，其二次电子发射系数δ大于3.0。本发明的冷阴极材料通过铸造、热轧、冷轧、热处理等一系列工艺制备而成。本发明的冷阴极材料具有二次电子发射系数高，使用寿命长，性能稳定等优点。
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