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公开(公告)号：CN1838380A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510091651.7
申请日：2001-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/742 , H01L21/67138 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01065 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/351 , Y10T29/4921 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。
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公开(公告)号：CN1275304C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN01819199.1
申请日：2001-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , B23K20/007 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2223/54453 , H01L2223/54473 , H01L2223/5448 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/45144 , H01L2224/78301 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种用来用于在对半导体晶片(201)上形成凸点的方法，它包括步骤：从以网格图案形式设置在所述半导体晶片(201)上准备进行凸点粘结的ICs中限定出由一定数目的行和列组成的基本方块(230)，其中所述数目被存储在一控制装置的存储器中，且所述基本方块中的每一个都带有具有按行或列方向或者按照行和列方向彼此相邻的ICs(223)；和执行相对于每一个所述基本方块的位置识别用于形成凸点进行。因此，与每次对每个IC形成凸点时都执行位置识别过程的传统技术相比，识别的次数大大地减少，从而生产效率得到提高。
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公开(公告)号：CN1306674A
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：CN99807558.2
申请日：1999-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在半导体片上形成凸点时,进行与现有的不同的温度控制的凸点形成装置以及在该凸点形成装置中所实行凸点形成方法。包括焊接台(110)、移载装置(140)以及控制装置(180),在凸点形成后,根据上述控制装置的控制在上述焊接台的上方放置由上述移载装置所支撑的凸点形成后片(202),控制该片的温度下降。因此,即使是对温度变化敏感的化合物半导体片也能防止由热应力引起的龟裂等不良现象的发生。
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公开(公告)号：CN1291072A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00122672.X
申请日：1995-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/67144 , Y10T29/53087 , Y10T29/53191
Abstract: 一种将电子元件装配于透明面板的电子元件装配装置,其面板保持装置为了将面板的任意边定位于规定的装配位置后安装电子元件而使所述面板转动或翻转、将任意的边定位在规定的位置并加以保持,上述装配装置还具有根据目前的边指定数据与下道工序的边指定数据对由面板定位装置进行的面板的转动角或翻转动作进行控制的面板姿势控制装置。
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公开(公告)号：CN1196830A
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：CN97190814.1
申请日：1997-07-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H05K13/0486
Abstract: 本发明涉及倒装片安装设备的IC剔出装置,具有置放IC的玻璃板、使此玻璃板每次按一定角度转动的机构,一旦成为误差识别时,在保持吸附IC状态下、使连接头向玻璃板上的IC剔出位置移动后、下降至IC与玻璃板接触为止、将IC剔出排列、据此能不使被剔出的IC表面受损伤、不遭受静电破坏、且容易进行目测再检查、达到再利用目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100382261C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN00809896.4
申请日：2000-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/67144 , H01L21/67138
Abstract: 本发明的目的是提供可以防止对电荷发生半导体基板(201、202)的热电破坏及物理破损的凸起形成装置(101、501)、利用该凸起形成装置实施的电荷发生半导体基板的除静电方法、电荷发生半导体基板用除静电装置、及电荷发生半导体基板。采用以下所述构成：即，至少在向晶片(202)焊接凸起后冷却该晶片时，使该晶片直接接触后热装置(170)，除去由于该冷却而蓄积在该晶片中的电荷，或者，通过可在非接触状态下除去静电的温度下降控制来除去静电。因此，与以往相比可以降低所述晶片的带电量，所以，可以防止所述晶片的热电破坏，而且可以防止晶片自身的断裂等损伤的发生。
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公开(公告)号：CN1222026C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN01812387.2
申请日：2001-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/742 , H01L21/67138 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01065 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/351 , Y10T29/4921 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。
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公开(公告)号：CN1155068C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN99807558.2
申请日：1999-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在半导体片上形成凸点时，进行与现有的不同的温度控制的凸点形成装置以及在该凸点形成装置中所实行凸点形成方法。包括焊接台(110)、移载装置(140)以及控制装置(180)，在凸点形成后，根据上述控制装置的控制在上述焊接台的上方放置由上述移载装置所支撑的凸点形成后片(202)，控制该片的温度下降。因此，即使是对温度变化敏感的化合物半导体片也能防止由热应力引起的龟裂等不良现象的发生。
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公开(公告)号：CN1144278C
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN99810354.3
申请日：1999-08-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L22/12 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/75 , H01L2224/759 , H01L2224/81801 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 使电子部件(150)和电路板(20)产生相对振动，所述电子部件的电极(13)和上述电路板的电极部分(21)通过压点(11、12)被焊接在一起时，由振动衰减检测装置(140)以及判定装置(141)测量所述压点和所述电极部分焊接过程导致的振动的衰减，根据该振动衰减来判定所述焊接的好坏。另外，对超声波发生器(133)而言，针对阻抗、或者吸嘴(93)的位移量、或者向VCM(121)提供的电流，将焊接过程中这些波形和正品的波形进行比较，加以判定。通过这样的构成，可以在焊接实施过程中对电子部件与电路板接合的好坏进行判定。另外，在焊接过程中，如果焊接状态变差，可以通过改变焊接条件，防止次品的产生，提高成品率。
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公开(公告)号：CN1324496A
公开(公告)日：2001-11-28
申请号：CN99812718.3
申请日：1999-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/6838 , H01L21/68 , H01L24/78 , H01L2224/05599 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种加工装置包括:具有为固定被吸附的电子部件(1)的位置的吸附孔(C12)、把电子部件作位置调整时吸附电子部件的位置调整用吸附孔(C11)的平台(5)、确定此平台上的电子部件的位置的位置调整爪(7)、可以控制对该平台上的电子部件作位置调整时的位置调整吸附力的位置调整吸附力控制部(22、1100)。
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