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公开(公告)号:CN104269388B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410454353.9
申请日:2011-12-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
CPC classification number: G01N27/226 , B81B7/00 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , G01N27/26 , G01N27/4148 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01L21/82 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/0694 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L28/00 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/06 , H01L35/00 , H01L35/28 , H01L35/30 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/0557 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48265 , H01L2225/06531 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H02S10/10 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统,包括:在半导体管芯的前侧制造的有源层;在所述半导体管芯的背侧的能量收集层,所述能量收集层配置为将非电形式的能量转换为电荷;以及至少一条电气路径,配置为分配所述电荷以向所述集成电路系统中的部件供电。
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公开(公告)号:CN104362142B
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201410454357.7
申请日:2011-12-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/48 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L23/64 , B81B7/02
CPC classification number: G01N27/226 , B81B7/00 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , G01N27/26 , G01N27/4148 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01L21/82 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/0694 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L28/00 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/06 , H01L35/00 , H01L35/28 , H01L35/30 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/0557 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48265 , H01L2225/06531 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H02S10/10 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统,包括:第一层,包括半导体管芯的有源电路;在所述半导体管芯上的包括电路元件的第二层;将所述电路元件耦合到所述有源电路的电路径;以及与所述第一层和所述第二层垂直堆叠的第三层,所述第三层包括微机电系统(MEMS)部件,其中所述第三层与所述半导体管芯进行通信。
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公开(公告)号:CN102569291A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110433902.0
申请日:2011-12-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: G01N27/226 , B81B7/00 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , G01N27/26 , G01N27/4148 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01L21/82 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/0694 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L28/00 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/06 , H01L35/00 , H01L35/28 , H01L35/30 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/0557 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48265 , H01L2225/06531 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H02S10/10 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统,其包括在半导体管芯的前侧上制造的第一有源层及在所述半导体管芯的背侧上并且具有包含在其中的电气部件的第二预制层,其中所述电气部件包括至少一个分立的无源部件。所述集成电路系统还包括至少一条耦合所述第一有源层与第二预制层的电气路径。
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公开(公告)号:CN102077067A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN200980124758.3
申请日:2009-06-17
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G01K7/00
CPC classification number: G01K7/01 , G01K2219/00 , H03M1/0612 , H03M1/12
Abstract: 提供了一种用于高精度数字温度传感器(DTS)的系统和方法。该系统包括基于双极型结的差分模拟温度传感器,提供作为两个双极型结的VBE之间的差别而获得的输出信号。该信号被转换至数字域并且与N-1个阈值数字值进行比较以针对DTS中不同误差源的温度变化而提供分段线性误差校正。该系统和方法有利地提高了扩展温度范围中的DTS的精确度。
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公开(公告)号:CN104282684B
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN201410454354.3
申请日:2011-12-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统,包括:在半导体管芯的前侧制造的有源层;在所述半导体管芯的背侧设置的流体保持层,所述流体保持层包括用于流体流动的通道;至少一条导电路径,配置为电连接所述集成系统中的不同的层;以及至少一条非导电路径,配置为连接所述集成电路系统中的不同的层。
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公开(公告)号:CN103493138B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201280020579.7
申请日:2012-03-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G11C7/02
CPC classification number: G11C27/026 , G11C7/02
Abstract: 一种集成电路的架构允许在已对输入信号进行采样之后消除在所述集成电路中的电容器上所采样的噪声。在一序列的时钟相位期间,在选择性地控制多个开关装置之后,可以消除与任意输入信号相关的热噪声。一种辅助电容器可用来储存与所述热噪声相等的电压,并且连同噪声消除单元一起实现所述热噪声从所采样信号的消除。
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公开(公告)号:CN104362143A
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201410454358.1
申请日:2011-12-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/48 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L23/64 , B81B7/02
CPC classification number: G01N27/226 , B81B7/00 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , G01N27/26 , G01N27/4148 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01L21/82 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/0694 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L28/00 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/06 , H01L35/00 , H01L35/28 , H01L35/30 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/0557 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48265 , H01L2225/06531 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H02S10/10 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统,包括:衬底;在所述衬底上的第一半导体管芯,所述第一半导体管芯包括制造在前侧的有源层和在背侧的部件层,其中所述部件层包括分立的无源部件;在所述衬底上的第二半导体管芯,具有与所述第一半导体管芯不同的操作电压;隔离阻挡物,配置为将所述第一和第二半导体管芯彼此电隔离;以及通信电路,配置为在所述第一和第二半导体管芯之间传输数据。
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公开(公告)号:CN104362142A
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201410454357.7
申请日:2011-12-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/48 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L23/64 , B81B7/02
CPC classification number: G01N27/226 , B81B7/00 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , G01N27/26 , G01N27/4148 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01L21/82 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/0694 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L28/00 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/06 , H01L35/00 , H01L35/28 , H01L35/30 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/0557 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48265 , H01L2225/06531 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H02S10/10 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统,包括:第一层,包括半导体管芯的有源电路;在所述半导体管芯上的包括电路元件的第二层;将所述电路元件耦合到所述有源电路的电路径;以及与所述第一层和所述第二层垂直堆叠的第三层,所述第三层包括微机电系统(MEMS)部件,其中所述第三层与所述半导体管芯进行通信。
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公开(公告)号:CN103493138A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201280020579.7
申请日:2012-03-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G11C7/02
CPC classification number: G11C27/026 , G11C7/02
Abstract: 一种集成电路的架构允许在已对输入信号进行采样之后消除在所述集成电路中的电容器上所采样的噪声。在一序列的时钟相位期间,在选择性地控制多个开关装置之后,可以消除与任意输入信号相关的热噪声。一种辅助电容器可用来储存与所述热噪声相等的电压,并且连同噪声消除单元一起实现所述热噪声从所采样信号的消除。
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公开(公告)号:CN104362143B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410454358.1
申请日:2011-12-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/48 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L23/64 , B81B7/02
CPC classification number: G01N27/226 , B81B7/00 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , G01N27/26 , G01N27/4148 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01L21/82 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/0694 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L28/00 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/06 , H01L35/00 , H01L35/28 , H01L35/30 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/0557 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48265 , H01L2225/06531 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H02S10/10 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统,包括:衬底;在所述衬底上的第一半导体管芯,所述第一半导体管芯包括制造在前侧的有源层和在背侧的部件层,其中所述部件层包括分立的无源部件;在所述衬底上的第二半导体管芯,具有与所述第一半导体管芯不同的操作电压;隔离阻挡物,配置为将所述第一和第二半导体管芯彼此电隔离;以及通信电路,配置为在所述第一和第二半导体管芯之间传输数据。
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