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1.

发明公开
功率半导体模块无效

公开(公告)号：CN104916630A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410450064.1

申请日：2014-09-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 松山宏

IPC分类号： H01L25/18

CPC分类号： H01L25/18 , H01L23/49838 , H01L23/5386 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/065 , H01L2224/451 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/48265 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/4917 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/49179 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2224/45099 , H01L2924/00

摘要： 实施方式的功率半导体模块具备：基板；第1布线层，设置于所述基板上；多个半导体元件，设置于所述第1布线层上，分别具有第1电极、第2电极和第3电极，所述第2电极与所述第1布线层电连接；以及整流元件，设置于所述第1布线层上，具有与所述第1布线层电连接的第5电极、和与所述第1电极电连接的第4电极。

2.

发明授权
非接触式数据载体的制造方法失效

公开(公告)号：CN1295645C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN02145600.3

申请日：2002-12-28

申请人： 大日本印刷株式会社

发明人： 八木裕 , 渡边正直 , 关口毅 , 池永知加雄 , 中村诚

IPC分类号： G06K19/077

CPC分类号： G06K19/0775 , G06K19/07749 , H01F5/003 , H01F5/06 , H01F41/042 , H01L21/568 , H01L23/49855 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , Y10T436/17 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012

摘要： 一种非接触式数据载体，包括通过树脂部(13)密封的半导体元件(11)和天线电路(12)。半导体元件(11)的电极部(11a)通过导线(14)连接到天线电路(12)的两端部(12a)、(12b)。因此通过保护层(16)保护在天线电路面(12)中与树脂部(13)相反一侧的面。

3.

发明授权
平面安装型电子电路组件失效

公开(公告)号：CN1208835C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN01118123.0

申请日：2001-05-17

申请人： 阿尔卑斯电气株式会社

发明人： 善里彰之 , 植田和彦 , 五十岚康博 , 井上明彦 , 佐久间博

IPC分类号： H01L27/01 , H05K3/30 , H05K3/00 , H05K13/00 , H01L25/16

CPC分类号： H02M7/003 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/16 , H05K3/403 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099

摘要： 本发明提供一种电子电路组件，其包括在氧化铝基板上，通过薄膜方式形成的包含电容器和电阻器以及电感元件的电路元件，其中，该电子电路组件还包括：通过导线焊接于上述氧化铝基板上的半导体裸片，上述电感元件至少具有共振频率设定用电感元件，该共振频率设定用电感元件呈螺旋状，通过薄膜方式形成，通过薄膜方式形成与上述共振频率设定用电感元件连接的调整用导电图形，通过该调整用导电图形的修整处理，将上述共振频率设定用电感元件的圈数增加，从而调整共振频率。

4.

发明授权
电子电路组件失效

公开(公告)号：CN1201643C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN01118235.0

申请日：2001-05-24

申请人： 阿尔卑斯电气株式会社

发明人： 善里彰之 , 植田和彦 , 井上明彦 , 佐久间博

IPC分类号： H05K1/18 , H01L25/00 , H05K3/30 , H01L27/01

CPC分类号： H05K3/403 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L27/016 , H01L2224/05599 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K1/16 , H05K3/246 , H05K2201/0317 , H05K2201/0347 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099

摘要： 一种电子电路组件，在氧化铝基板上以薄膜形式形成包括电容器和电阻以及电感元件的电路元件和与这些电路元件相连接的导电图形，还具有半导体裸芯片，该半导体裸芯片搭载在上述氧化铝基板上，同时，与上述导电图形进行引线接合，其特征在于，在上述氧化铝基板的侧面上设置与上述导电图形相连接的端面电极。

5.

发明授权
电子电路组件失效

公开(公告)号：CN1179414C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN01118147.8

申请日：2001-05-18

申请人： 阿尔卑斯电气株式会社

发明人： 善里彰之 , 植田和彦 , 五十岚康博

IPC分类号： H01L25/16 , H05K5/00

CPC分类号： H01L25/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48265 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/16 , H05K1/162 , H05K3/403 , Y10S257/924 , H01L2924/00014

摘要： 用简单的电路除去不需要的高次谐波成分的倍频电路。在振荡电路14a的内部，设置级联连接的3级2倍频电路2，向第1级2倍频电路2供给源振荡信号，为了产生8倍频的本振信号，即便是源振荡信号低，也可以产生足够高频率的本振信号。采用在倍频电路2的级间设置滤波器电路31的办法，就可以用插入到滤波器电路31内的电阻R6～R8来抵消90度移相电路21a的限幅放大器26所产生的固定的移相量，因而可以确实地抑制不需要的高次谐波的产生。

6.

发明公开
电子电路组件失效

公开(公告)号：CN1326263A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN01118147.8

申请日：2001-05-18

申请人： 阿尔卑斯电气株式会社

发明人： 善里彰之 , 植田和彦 , 五十岚康博

IPC分类号： H03B5/12

CPC分类号： H01L25/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48265 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/16 , H05K1/162 , H05K3/403 , Y10S257/924 , H01L2924/00014

摘要： 本发明提供一种小型化的平面安装型的电子电路组件。该电子电路组件是在氧化铝基板上以薄膜状形成电路元件,电路元件包括电容C1－C7,电阻R1－R3以及电感元件L1－L3,用引线接合二极管D1和晶体管Tr1的半导体裸芯片,而且,使各电容C1－C7的一部分成为另一矩形从一矩形的一边处突出的异形。

7.

发明授权
垂直集成系统有权

公开(公告)号：CN104362143B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410454358.1

申请日：2011-12-22

申请人： 美国亚德诺半导体公司

发明人： A·奥都奈尔 , S·艾瑞阿尔特 , M·J·姆菲 , C·莱登 , G·卡塞 , E·E·恩格利什

IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/48 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L23/64 , B81B7/02

CPC分类号： G01N27/226 , B81B7/00 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , G01N27/26 , G01N27/4148 , H01F17/00 , H01F17/04 , H01L21/82 , H01L23/3677 , H01L23/38 , H01L23/473 , H01L23/481 , H01L23/58 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L27/0694 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L28/00 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L31/0392 , H01L31/0525 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/06 , H01L35/00 , H01L35/28 , H01L35/30 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0556 , H01L2224/0557 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48265 , H01L2225/06531 , H01L2924/00014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H02S10/10 , H02S40/38 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05552 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599

摘要： 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统，包括：衬底；在所述衬底上的第一半导体管芯，所述第一半导体管芯包括制造在前侧的有源层和在背侧的部件层，其中所述部件层包括分立的无源部件；在所述衬底上的第二半导体管芯，具有与所述第一半导体管芯不同的操作电压；隔离阻挡物，配置为将所述第一和第二半导体管芯彼此电隔离；以及通信电路，配置为在所述第一和第二半导体管芯之间传输数据。

8.

发明公开
基于级联电路的半导体封装结构有权

公开(公告)号：CN105914192A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201510991622.X

申请日：2015-12-25

申请人： 苏州捷芯威半导体有限公司

发明人： 赵树峰

IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/492 , H01L23/552 , H01L25/07

CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/057 , H01L23/3735 , H01L23/49562 , H01L23/642 , H01L23/645 , H01L23/647 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0655 , H01L25/16 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/4175 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/7805 , H01L2224/04042 , H01L2224/32225 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48265 , H01L2224/49111 , H01L2224/73267 , H01L2924/00014 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/3025 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L25/072 , H01L23/481 , H01L23/492

摘要： 本发明公开了一种基于级联电路的半导体封装结构，包括：高压耗尽型半导体晶体管；低压增强型半导体晶体管；导电支撑片，高压耗尽型半导体晶体管和所述低压增强型半导体晶体管固定于导电支撑片上；管壳，管壳上设有高压端子、第一低压端子及第二低压端子；级联电路，高压耗尽型半导体晶体管、低压增强型半导体晶体管及管壳间通过级联电路电连接，其中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极直接固定于导电支撑片上并导电支撑片电连接。本发明的半导体封装结构中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极通过导电支撑片电连接，可有效减少引入的寄生电感和寄生电阻，提高器件的工作性能。