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公开(公告)号：CN104425473B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410450460.4
申请日：2014-09-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/561 , H01L21/566 , H01L21/568 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/48 , H01L23/492 , H01L23/49562 , H01L23/562 , H01L24/24 , H01L24/33 , H01L24/72 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/03002 , H01L2224/06181 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/29011 , H01L2224/32245 , H01L2224/82039 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/96 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/2064 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2224/03 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体装置及制造和运行方法和制造多个芯片组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板、多个芯片组件、介电填料以及控制电极互连结构。每个芯片组件具有拥有半导体本体的半导体芯片，半导体本体具有上侧和对置的在垂直方向上隔开的下侧。每个半导体芯片具有在上和下侧上的上和下主电极、在上侧上的控制电极和导电上补偿小板，通过填料将芯片组件以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。每个芯片组件的上补偿小板的背离半导体本体的侧并不或至少不完全被填料覆盖。控制电极互连结构布置在复合体上并且将芯片组件的控制电极彼此导电连接。每个芯片组件布置在上与下接触板之间，使得上补偿小板的背离半导体本体的侧电接触上接触板。
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公开(公告)号：CN104299953B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201410343331.5
申请日：2014-07-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 电子器件和用于制造电子器件的方法。用于制造具有由金属层连接的两个部件的电子器件的实施例方法包括：将金属层施加至每一个部件，以及连接金属层，使得形成单个金属层。
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公开(公告)号：CN104299953A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410343331.5
申请日：2014-07-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/29 , H01L23/3736 , H01L24/27 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/27332 , H01L2224/27848 , H01L2224/29247 , H01L2224/29647 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/83011 , H01L2224/83065 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2224/85547 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/01001 , H01L2924/20106 , H01L2924/00
摘要： 电子器件和用于制造电子器件的方法。用于制造具有由金属层连接的两个部件的电子器件的实施例方法包括：将金属层施加至每一个部件，以及连接金属层，使得形成单个金属层。
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公开(公告)号：CN105895535B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510247656.8
申请日：2015-05-15
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及包括金属块的电子器件封装。一种制造电子器件封装的方法包括对金属层结构化来生成具有多个开口的结构化的金属层。将半导体芯片放置到所述开口中的至少一些中。在所述结构化的金属层和所述半导体芯片上方施加密封材料来形成密封体。将所述密封体分离成多个电子器件封装。
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公开(公告)号：CN104425413A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410450708.7
申请日：2014-09-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/566 , H01L21/568 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L24/24 , H01L24/33 , H01L24/72 , H01L24/82 , H01L24/90 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2224/03002 , H01L2224/06181 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/29011 , H01L2224/33181 , H01L2224/82039 , H01L2224/96 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/35 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造和运行方法和制造半导体组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板以及多个芯片组件。每个芯片组件具有半导体芯片，其具有半导体本体，半导体本体具有上侧和与上侧对置的在垂直方向上隔开的下侧。在上侧上分别布置有单独的上主电极和控制电极。芯片组件分别具有独立的布置在有关的芯片组件的半导体芯片的下侧上的下主电极或在每个芯片组件中布置在该芯片组件的半导体本体的下侧上的共同的下主电极。在每个芯片组件中借助其控制电极能够控制在上主电极与下主电极之间的电流。芯片组件通过介电填料以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。嵌入复合体中的控制电极互连结构将芯片组件的控制电极彼此导电连接。
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公开(公告)号：CN109592633A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811167057.5
申请日：2018-10-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： I.埃舍尔-珀佩尔 , K.霍赛尼 , J.洛德迈尔 , J.马勒 , T.迈尔 , G.迈尔-贝格 , I.尼基廷 , R.普法尔 , E.里德尔 , K.施密特 , M.施内甘斯 , P.施瓦茨
摘要： 公开了金属互连，制造金属互连的方法，半导体装置和制造半导体装置的方法。一种金属互连和包括该金属互连的半导体装置，其中制造半导体装置的方法可以包括：提供包括第一金属层的第一结构，第一金属层具有突出的第一微结构；提供包括第二金属层的第二结构，第二金属层具有突出的第二微结构；使第一微结构和第二微结构接触以在各结构之间形成机械连接，其中机械连接被配置为允许流体穿透；利用穿透机械连接并且与一种或多种非金属化合物反应的还原剂来去除在第一金属层和第二金属层上的一种或多种非金属化合物；以及在引起第一金属层和第二金属层相互扩散的温度下加热第一金属层和第二金属层，以在各结构之间形成金属互连。
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公开(公告)号：CN104425413B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201410450708.7
申请日：2014-09-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/566 , H01L21/568 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L24/24 , H01L24/33 , H01L24/72 , H01L24/82 , H01L24/90 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2224/03002 , H01L2224/06181 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/29011 , H01L2224/33181 , H01L2224/82039 , H01L2224/96 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/35 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造和运行方法和制造半导体组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板以及多个芯片组件。每个芯片组件具有半导体芯片，其具有半导体本体，半导体本体具有上侧和与上侧对置的在垂直方向上隔开的下侧。在上侧上分别布置有单独的上主电极和控制电极。芯片组件分别具有独立的布置在有关的芯片组件的半导体芯片的下侧上的下主电极或在每个芯片组件中布置在该芯片组件的半导体本体的下侧上的共同的下主电极。在每个芯片组件中借助其控制电极能够控制在上主电极与下主电极之间的电流。芯片组件通过介电填料以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。嵌入复合体中的控制电极互连结构将芯片组件的控制电极彼此导电连接。
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公开(公告)号：CN105895535A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510247656.8
申请日：2015-05-15
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/538 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2221/68318 , H01L2221/68372 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/2518 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L21/4889 , H01L23/3114 , H01L23/481
摘要： 本发明涉及包括金属块的电子器件封装。一种制造电子器件封装的方法包括对金属层结构化来生成具有多个开口的结构化的金属层。将半导体芯片放置到所述开口中的至少一些中。在所述结构化的金属层和所述半导体芯片上方施加密封材料来形成密封体。将所述密封体分离成多个电子器件封装。
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公开(公告)号：CN104425473A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410450460.4
申请日：2014-09-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/561 , H01L21/566 , H01L21/568 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/48 , H01L23/492 , H01L23/49562 , H01L23/562 , H01L24/24 , H01L24/33 , H01L24/72 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/03002 , H01L2224/06181 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/29011 , H01L2224/32245 , H01L2224/82039 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/96 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/2064 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2224/03 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体装置及制造和运行方法和制造多个芯片组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板、多个芯片组件、介电填料以及控制电极互连结构。每个芯片组件具有拥有半导体本体的半导体芯片，半导体本体具有上侧和对置的在垂直方向上隔开的下侧。每个半导体芯片具有在上和下侧上的上和下主电极、在上侧上的控制电极和导电上补偿小板，通过填料将芯片组件以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。每个芯片组件的上补偿小板的背离半导体本体的侧并不或至少不完全被填料覆盖。控制电极互连结构布置在复合体上并且将芯片组件的控制电极彼此导电连接。每个芯片组件布置在上与下接触板之间，使得上补偿小板的背离半导体本体的侧电接触上接触板。
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