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公开(公告)号:CN103568139A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201210352749.3
申请日:2012-07-18
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B28D5/02
CPC classification number: H01L21/82 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2223/54426 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/10156 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体装置的方法,包括提供具有正面和背面并且其上制造有集成电路的阵列的半导体晶片。所述集成电路具有在晶片的正面上的有源面。从背面沿着在集成电路之间的锯道机械地切割沟槽,部分地切过晶片。接着通过如下来将集成电路单颗化:在正面沿着锯道并在锯道内扫描激光束,其从正面将晶片划片;以及燃后,通过沿着锯道机械地使晶片裂开。
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公开(公告)号:CN102651449A
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN201110044560.3
申请日:2011-02-23
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/552 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种装配磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法,包括提供衬底,所述衬底具有在中央安置的孔。胶带被施加到所述衬底的第一主表面,以及第一磁屏蔽被配置到所述胶带上和所述衬底开口内。在所述第一磁屏蔽和所述衬底之间施加粘合剂,由此使得所述第一磁屏蔽连附到所述衬底。固化粘合剂。一种半导体器件连附到第一磁屏蔽的顶表面,并且利用线接合方法使用线路将所述MRAM管芯的接合衬垫电气地连接到所述衬底的与所述第一主表面相反的第二主表面上的相应衬垫。第二磁屏蔽连附到所述MRAM管芯的顶表面。封装材料被分配到所述衬底的所述第二主表面、所述MRAM管芯、所述第二磁屏蔽和所述第一磁屏蔽的顶表面的一部分上。随后固化所述封装材料并去除所述胶带。随后将焊球连附到所述衬底的所述第一主表面。
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公开(公告)号:CN102623482A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201110062115.X
申请日:2011-02-01
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L27/22 , H01L23/495
CPC classification number: H01L21/561 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/552 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开MRAM器件及其装配方法。一种封装磁阻随机存取存储器(MRAM)管芯的方法包括提供具有管芯焊盘和引线指的引线框。使用第一管芯贴附粘合剂将MRAM管芯粘附至所述管芯焊盘,以及使用丝线键合工艺,利用丝线将MRAM管芯的接合焊盘电连接至引线框的引线指。使用第二管芯贴附粘合剂将预形成的复合磁屏蔽体粘附至所述MRAM管芯的顶表面。所述磁屏蔽体包括散布在有机基质中的磁渗透填充材料。将密封材料散布至所述引线框、MRAM管芯和磁屏蔽体的顶表面,使得所述密封材料覆盖所述MRAM管芯和所述磁屏蔽体。然后固化所述密封材料。
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公开(公告)号:CN102651449B
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:CN201110044560.3
申请日:2011-02-23
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Abstract: 一种装配磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法,包括提供衬底,所述衬底具有在中央安置的孔。胶带被施加到所述衬底的第一主表面,以及第一磁屏蔽被配置到所述胶带上和所述衬底开口内。在所述第一磁屏蔽和所述衬底之间施加粘合剂,由此使得所述第一磁屏蔽连附到所述衬底。固化粘合剂。一种半导体器件连附到第一磁屏蔽的顶表面,并且利用线接合方法使用线路将所述MRAM管芯的接合衬垫电气地连接到所述衬底的与所述第一主表面相反的第二主表面上的相应衬垫。第二磁屏蔽连附到所述MRAM管芯的顶表面。封装材料被分配到所述衬底的所述第二主表面、所述MRAM管芯、所述第二磁屏蔽和所述第一磁屏蔽的顶表面的一部分上。随后固化所述封装材料并去除所述胶带。随后将焊球连附到所述衬底的所述第一主表面。
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