MRAM器件及其装配方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102651449B

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201110044560.3

    申请日:2011-02-23

    IPC分类号: H01L43/12 H01L43/08 H01L27/22

    摘要: 一种装配磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法,包括提供衬底,所述衬底具有在中央安置的孔。胶带被施加到所述衬底的第一主表面,以及第一磁屏蔽被配置到所述胶带上和所述衬底开口内。在所述第一磁屏蔽和所述衬底之间施加粘合剂,由此使得所述第一磁屏蔽连附到所述衬底。固化粘合剂。一种半导体器件连附到第一磁屏蔽的顶表面,并且利用线接合方法使用线路将所述MRAM管芯的接合衬垫电气地连接到所述衬底的与所述第一主表面相反的第二主表面上的相应衬垫。第二磁屏蔽连附到所述MRAM管芯的顶表面。封装材料被分配到所述衬底的所述第二主表面、所述MRAM管芯、所述第二磁屏蔽和所述第一磁屏蔽的顶表面的一部分上。随后固化所述封装材料并去除所述胶带。随后将焊球连附到所述衬底的所述第一主表面。