公开(公告)号：CN102779765B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201110123304.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 邱书楠 ,  白志刚 ,  徐雪松 ,  阎蓓悦 ,  葛友

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49555 ,  H01L21/4842 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有交错引线的半导体器件。提供了一种用于装配半导体器件的方法，所述方法包括提供引线框，所述引线框具有原始平面和具有原始引线节距的多个引线。所述方法包括裁切并成型所述多个引线的第一子集以提供第一排引线。所述方法包括裁切并成型所述多个引线的第二子集以提供第二排引线。引线的至少一个子集被成型为相对于所述原始平面具有钝角，使得与引线的所述第一子集或第二子集相关联的引线节距大于所述原始引线节距。

公开(公告)号：CN102403298B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201010276483.X

申请日：2010-09-07

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 白志刚 ,  姚晋钟 ,  徐雪松

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49558 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种用于半导体器件的引线框，其具有管芯焊盘和环绕管芯焊盘的连接条，所述管芯焊盘第一主表面用于接收半导体管芯。第一引线指从所述连接条向管芯焊盘凸出，所述第一引线指具有接近于管芯焊盘的近端和连接到连接条的远端。所述第一引线指的近端处于第一平面中。第二引线指从所述连接条向管芯焊盘凸出，所述第二引线指具有接近于管芯焊盘的近端和连接到连接条的远端。所述第二引线指的近端处于与第一平面平行且间隔开的第二平面中。隔离框架被设置在所述第一和第二引线指的近端之间。隔离框架将所述第一和第二引线指的近端分开但支撑它们。

公开(公告)号：CN103367286A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210131114.0

申请日：2012-04-10

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 贡国良 ,  邱书楠 ,  徐雪松

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开半导体器件及其装配方法。一种半导体管芯在接触表面上具有接触电极，并且在与接触表面相对的安装表面上具有导电层。导电层延伸到半导体管芯的侧面区域上。导电体将接触电极耦合至外部连接器焊盘。焊料合金将半导体管芯连接至标记。焊料合金设置在标记和导电层之间，并且在标记与安装表面和侧面区域之间提供连接。

公开(公告)号：CN102931105A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110227755.1

申请日：2011-08-10

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 邱书楠 ,  贡国良 ,  骆军华 ,  徐雪松

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/544 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括具有相反的第一面和第二面以及边缘表面的半导体管芯。边缘表面具有在第一面之下的底切。半导体管芯的第二面以管芯附接材料键合至管芯支撑部件(例如，引线框的导热旗座)的键合表面。键合材料的填角形成于底切之内。

公开(公告)号：CN102623482A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110062115.X

申请日：2011-02-01

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 庞兴收 ,  希拉·F·肖平 ,  李军 ,  徐雪松

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/495 ,  H01L23/552 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开MRAM器件及其装配方法。一种封装磁阻随机存取存储器(MRAM)管芯的方法包括提供具有管芯焊盘和引线指的引线框。使用第一管芯贴附粘合剂将MRAM管芯粘附至所述管芯焊盘，以及使用丝线键合工艺，利用丝线将MRAM管芯的接合焊盘电连接至引线框的引线指。使用第二管芯贴附粘合剂将预形成的复合磁屏蔽体粘附至所述MRAM管芯的顶表面。所述磁屏蔽体包括散布在有机基质中的磁渗透填充材料。将密封材料散布至所述引线框、MRAM管芯和磁屏蔽体的顶表面，使得所述密封材料覆盖所述MRAM管芯和所述磁屏蔽体。然后固化所述密封材料。

公开(公告)号：CN102779765A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110123304.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 邱书楠 ,  白志刚 ,  徐雪松 ,  阎蓓悦 ,  葛友

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49555 ,  H01L21/4842 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有交错引线的半导体器件。提供了一种用于装配半导体器件的方法，所述方法包括提供引线框，所述引线框具有原始平面和具有原始引线节距的多个引线。所述方法包括裁切并成型所述多个引线的第一子集以提供第一排引线。所述方法包括裁切并成型所述多个引线的第二子集以提供第二排引线。引线的至少一个子集被成型为相对于所述原始平面具有钝角，使得与引线的所述第一子集或第二子集相关联的引线节距大于所述原始引线节距。

公开(公告)号：CN102651449A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110044560.3

申请日：2011-02-23

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 李军 ,  王建洪 ,  徐雪松 ,  姚晋钟 ,  于万铭

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种装配磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，包括提供衬底，所述衬底具有在中央安置的孔。胶带被施加到所述衬底的第一主表面，以及第一磁屏蔽被配置到所述胶带上和所述衬底开口内。在所述第一磁屏蔽和所述衬底之间施加粘合剂，由此使得所述第一磁屏蔽连附到所述衬底。固化粘合剂。一种半导体器件连附到第一磁屏蔽的顶表面，并且利用线接合方法使用线路将所述MRAM管芯的接合衬垫电气地连接到所述衬底的与所述第一主表面相反的第二主表面上的相应衬垫。第二磁屏蔽连附到所述MRAM管芯的顶表面。封装材料被分配到所述衬底的所述第二主表面、所述MRAM管芯、所述第二磁屏蔽和所述第一磁屏蔽的顶表面的一部分上。随后固化所述封装材料并去除所述胶带。随后将焊球连附到所述衬底的所述第一主表面。

公开(公告)号：CN102956509A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110253157.1

申请日：2011-08-31

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 姚晋钟 ,  白志刚 ,  徐雪松

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/49537 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种功率器件和封装该功率器件的方法，所述方法包括提供双规引线框的第一引线框。第一引线框包括厚管芯焊盘。将载带附接到厚管芯焊盘的第一侧，并且将功率管芯附接到厚管芯焊盘的第二侧。提供双规引线框的第二引线框，第二引线框包括多个薄引线指。将引线指的第一端附接到功率管芯的有源面，从而引线指与功率管芯的焊盘电连接。然后在双规引线框的顶面上分配模塑料，从而模塑料覆盖半导体管芯和引线指。

公开(公告)号：CN101540289A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810087126.1

申请日：2008-03-19

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 徐雪松 ,  许南 ,  姚晋钟

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路封装及封装半导体集成电路的方法。根据本发明，在引线框架阵列的背面附接胶带，并将引线框架阵列背面朝上夹持于模具的上模套和下模套之间，上模套和下模套分别与引线框架阵列一起形成上部腔体和下部腔体。然后分别向上部腔体和下部腔体中注入模塑料，其中相对于引脚之间、管芯焊盘之间以及/或者引脚与管芯焊盘之间的间隙，在注入下部腔体中的模塑料充满间隙之前，注入上部腔体中的模塑料已经覆盖胶带的位于间隙之上的部分，从而使胶带下凹。在固化、去除模具并移除胶带之后得到的半导体集成电路封装中，上述间隙中填充的模塑料从背面凹进。由此可以增强后续表面贴装工艺中的可焊性，减小出现引脚短路的可能性。

公开(公告)号：CN102651449B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110044560.3

申请日：2011-02-23

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 李军 ,  王建洪 ,  徐雪松 ,  姚晋钟 ,  于万铭

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: 一种装配磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，包括提供衬底，所述衬底具有在中央安置的孔。胶带被施加到所述衬底的第一主表面，以及第一磁屏蔽被配置到所述胶带上和所述衬底开口内。在所述第一磁屏蔽和所述衬底之间施加粘合剂，由此使得所述第一磁屏蔽连附到所述衬底。固化粘合剂。一种半导体器件连附到第一磁屏蔽的顶表面，并且利用线接合方法使用线路将所述MRAM管芯的接合衬垫电气地连接到所述衬底的与所述第一主表面相反的第二主表面上的相应衬垫。第二磁屏蔽连附到所述MRAM管芯的顶表面。封装材料被分配到所述衬底的所述第二主表面、所述MRAM管芯、所述第二磁屏蔽和所述第一磁屏蔽的顶表面的一部分上。随后固化所述封装材料并去除所述胶带。随后将焊球连附到所述衬底的所述第一主表面。