公开(公告)号：CN103871916A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310689036.0

申请日：2013-12-16

申请人： IMEC公司

发明人： 胡毓祥 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81012 ,  H01L2224/81047 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83047 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明涉及半导体衬底的接合方法以及由此得到的器件。根据本发明，提供一种使用低温热压的将第一半导体衬底（1）接合到第二半导体衬底（2）的方法。该接合方法包括在热压接合步骤前，原位地机械摩擦金属接触结构表面（3），从而平坦化并去除金属接触结构表面（3）上的氧化物和/或污染物。在热压接合步骤之后是热退火步骤，用于创建所述第一半导体衬底（1）和第二半导体衬底（2）的金属接触结构3之间的界面扩散。

公开(公告)号：CN103871909A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310692838.7

申请日：2013-12-17

申请人： IMEC公司

发明人： 胡毓祥 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L24/06 ,  G03F7/0002 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1144 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11602 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13541 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13693 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81902 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  Y10T29/49 ,  Y10T29/49014 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T156/1028 ,  Y10T156/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及转移石墨烯片到用于封装的衬底金属接触凸块的方法。根据本发明的一种方法，用于将石墨烯片转移到半导体器件封装中使用的衬底的金属接触凸块，所述封装即由所述接触凸块连接的衬底叠层。特别地，该方法相关于铜接触凸块，石墨烯为其形成保护层。根据本发明的方法，使用压印器装置，该压印器装置包括压印器衬底，所述衬底设置有空腔，其中各个空腔设置有凸缘部。压印器衬底对准所述包括凸块的衬底，并降低到所述衬底上，使每个凸块都由空腔封闭，直至空腔的凸缘部切穿石墨烯片，当压印器被移除后，石墨烯层部分留在每个凸块的顶部。石墨烯片优选地通过将其压印到围绕所述凸块的钝化层中，以附着在衬底上。

公开(公告)号：CN103871916B

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201310689036.0

申请日：2013-12-16

申请人： IMEC公司

发明人： 胡毓祥 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/603

摘要： 本发明涉及半导体衬底的接合方法以及由此得到的器件。根据本发明，提供一种使用低温热压的将第一半导体衬底（1）接合到第二半导体衬底（2）的方法。该接合方法包括在热压接合步骤前，原位地机械摩擦金属接触结构表面（3），从而平坦化并去除金属接触结构表面（3）上的氧化物和/或污染物。在热压接合步骤之后是热退火步骤，用于创建所述第一半导体衬底（1）和第二半导体衬底（2）的金属接触结构3之间的界面扩散。