Patent search cpc:"H01L2224/14051" Page 1

1.

发明公开
包括通过平面化减少焊接垫拓扑差异的制造电子结构的方法和对应的电子结构有权转让

公开(公告)号：CN105308732A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480036296.0

申请日：2014-06-05

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： J.雷 , S.希亚菲诺 , A.H.尼克尔 , M.G.吴 , S.阿克拉姆

IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/485 , H01L23/498

CPC classification number: H01L24/11 , B23K1/20 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11825 , H01L2224/11826 , H01L2224/1184 , H01L2224/11845 , H01L2224/119 , H01L2224/11902 , H01L2224/13017 , H01L2224/13022 , H01L2224/13147 , H01L2224/13564 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/14104 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2924/12041 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/1146 , H01L2924/00

Abstract: 公开了一种用于使芯片（40）上的焊料凸块的顶表面处于相同平面中以确保芯片（40）与衬底（62）之间的更可靠的键合的技术。芯片（40）提供有可以具有不同高度的焊接垫（42,44）。电介质层（50）形成在焊接垫（42,44）之间。相对厚的金属层（52）电镀在焊接垫（42,44）之上。对金属层（52）平面化以使焊接垫（42,44）之上的金属层（52）部分的顶表面处于相同平面中并且处于电介质层（50）上方。基本上均匀薄的焊料层（58）沉积在平面化的金属层部分（52）之上使得焊料凸块的顶表面基本上处于相同平面中，该平面可以基本上平行于芯片（40）的顶表面或者在相对于芯片（40）的顶表面的角度处。芯片（40）然后定位在具有对应金属垫（64）的衬底（62）之上，并且使焊料（58）回流或超声键合到衬底垫（64）。

2.

发明公开
具有穿过封装互连的半导体装置组合件及相关联系统、装置与方法有权

公开(公告)号：CN105027280A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480012133.9

申请日：2014-01-10

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 辰·游 , 塔德·O·伯肯

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/566 , H01L21/82 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/495 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/06177 , H01L2224/1012 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/12105 , H01L2224/1301 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13024 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14051 , H01L2224/16055 , H01L2224/16057 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73207 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2224/92163 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2224/83

Abstract: 本文揭示用于制造半导体装置的方法。一种根据特定实施例配置的方法包含在囊封剂上形成间隔件材料使得所述囊封剂将所述间隔件材料与半导体装置的作用表面及突出远离所述作用表面的至少一个互连分离。所述方法进一步包含模制所述囊封剂使得所述互连的至少部分延伸通过所述囊封剂且延伸到所述间隔件材料中。所述互连可包含与所述半导体装置的所述作用表面实质上共面以提供与所述半导体装置的电连接的接触表面。

3.

发明公开
具有穿通电极的半导体器件及其制造方法和半导体封装体有权

公开(公告)号：CN104952831A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410459197.5

申请日：2014-09-10

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴完春

IPC: H01L23/498 , H01L23/48

CPC classification number: H01L24/14 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L25/065 , H01L25/0657 , H01L27/11898 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02126 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/13006 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14051 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/01074 , H01L2924/014

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体层，其具有第一表面和第二表面；穿通电极，其穿通半导体层，并且具有在半导体层的第二表面之上突出的突出部分；前侧凸块，其设置在半导体层的第一表面上，且与穿通电极电耦接；钝化图案，其包括第一绝缘图案和第二绝缘图案，所述第一绝缘图案包围穿通电极的突出部分的侧壁并且延伸至半导体层的第二表面上，所述第二绝缘图案覆盖第一绝缘图案并且具有相对于第一绝缘图案的刻蚀选择性；以及后侧凸块，其覆盖穿通电极的突出部分的端面并且延伸至钝化图案上。

4.

发明公开
具有外部连接凸块的半导体器件失效

公开(公告)号：CN104952821A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510146619.8

申请日：2015-03-31

Applicant: 辛纳普蒂克斯显像装置合同会社

Inventor： 铃木进也 , 幕田喜一

IPC: H01L23/482

CPC classification number: H01L24/14 , G02F1/13458 , H01L21/4825 , H01L23/50 , H01L23/585 , H01L24/17 , H01L27/3223 , H01L2224/13013 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/14133 , H01L2224/14134 , H01L2224/14517 , H01L2224/17517 , H01L2225/06517 , H01L2924/30205 , H01L2224/1405 , H01L2224/1412

Abstract: 本发明涉及具有外部连接凸块的半导体器件。一种半导体器件包括主结构、以及被提供在主结构的表面之上的有源凸块和虚设凸块。有源凸块布置在第一到第n行中。定位在每一行中的有源凸块在第一方向上以预定的第一间距排列。有源凸块的第一到第n行在垂直于第一方向的第二方向上排列。对于作为从1到n-1的任何一个整数的j而言，第（j+1）行在第二方向上以第二间距从有源凸块的第j行偏移，并且在第一方向上以预定的子间距从有源凸块的第j行偏移。虚设凸块在第一方向上以第一间距排列，并且每一个虚设凸块在第二方向上的长度长于第二间距。

5.

发明授权
将双极性结型晶体管用于缓冲电路的方法和缓冲电路有权

公开(公告)号：CN103001478B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201210340087.8

申请日：2012-09-13

Applicant: 全汉企业股份有限公司

Inventor： 林国藩

IPC: H02M1/34

CPC classification number: H01L23/4952 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L23/62 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/13111 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/16106 , H01L2224/16245 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/12035 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种将一双极性结型晶体管用于一缓冲电路的方法和缓冲电路。该缓冲电路包括有：至少一阻抗组件、一电容器、以及一双极性结型晶体管。该缓冲电路是用于保护电力／电子组件、降低高频干扰及突波电压、以及改善效率。尤其是，该缓冲电路中的该至少一阻抗组件可为至少一齐纳二极管；针对保护电力／电子组件、降低高频干扰及突波电压、以及改善效率，该缓冲电路在采用齐纳二极管的情况下的效能较在采用别种阻抗组件的情况下的效能更佳。

6.

发明公开
发光二极管(LED)的晶圆级封装无效

公开(公告)号：CN104285277A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024612.8

申请日：2013-03-25

Applicant: 克里公司

Inventor： M·J·伯格曼 , D·T·爱默生 , J·G·克拉克 , C·P·赫塞尔

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L25/0756 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13147 , H01L2224/13639 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/1411 , H01L2224/14131 , H01L2224/14155 , H01L2224/14177 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81805 , H01L2224/81895 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

Abstract: LED晶圆包括在LED衬底上的LED管芯。LED晶圆和载体晶圆是接合的。接合到载体晶圆的LED晶圆被成形。将波长转换材料施加到被成形的LED晶圆。执行切单以提供接合到载体管芯的LED管芯。可以将切单的器件安装在LED灯具中以提供高的每单位面积的光输出。

7.

发明公开
表面安装芯片无效

公开(公告)号：CN103579157A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310340289.7

申请日：2013-08-01

Applicant: 意法半导体(图尔)公司 , 法国国立图尔大学

Inventor： O·奥里 , C·勒科克

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/01 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051

Abstract: 本发明公开了一种表面安装芯片，包括：在表面侧上连接到外部设备的第一焊盘和第二焊盘，其中，在顶视图中，第一焊盘具有伸长的总体形状，并且第二焊盘为点形焊盘，其不与第一焊盘对准。

8.

发明公开
用于倒装芯片LED的P-N分离金属填充物有权转让

公开(公告)号：CN103548162A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024680.X

申请日：2012-04-25

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： J.雷 , Y.魏 , A.H.尼克 , S.希亚菲诺 , D.A.斯泰格瓦德

IPC: H01L33/62 , H01L33/00 , H01L33/48

CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L2224/13008 , H01L2224/13022 , H01L2224/13144 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17517 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/14517

Abstract: 一种发光二极管（LED）结构（10）具有半导体层，所述半导体层包括p型层、有源层以及n型层。p型层具有底表面，并且n型层具有穿过其发光的顶表面。部分p型层和有源层被蚀刻掉以露出n型层。LED的表面利用光致抗蚀剂来图案化，并且铜被镀在露出的表面上以形成电接触其相应的半导体层的p和n电极。在n和p电极之间存在间隙。为了提供对间隙之间的半导体层的机械支撑，在间隙中形成电介质层（34），之后用金属（42）填充间隙。金属被图案化以形成基本上覆盖LED管芯的底表面的柱状凸起（40,42,44），但是不会使电极短路。基本上均匀的覆盖在随后的工艺步骤期间支撑半导体层。

9.

发明公开
将双极性结型晶体管用于缓冲电路的方法和缓冲电路有权

公开(公告)号：CN103001477A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210338784.X

申请日：2012-09-13

Applicant: 全汉企业股份有限公司

Inventor： 林国藩

IPC: H02M1/34

CPC classification number: H01L23/4952 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L23/62 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/13111 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/16106 , H01L2224/16245 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/12035 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种将一双极性结型晶体管用于一缓冲电路的方法和缓冲电路。该缓冲电路包含有：一电容器，该电容器具有一第一端子与一第二端子，其中该电容器的该第一端子是电气连接至该缓冲电路的一第一端子；以及一双极性结型晶体管，其中该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的一者是电气连接至该电容器的该第二端子，且其发射极与集电极中的另一者是电气连接至该缓冲电路的一第二端子。该缓冲电路可并联于一主动组件或一负载以保护负载所连接的电路，尤其可吸收主动组件在高频切换时所产生的突波或噪声以做能量回收，而可达到降低突波电压、提高效率的功效。