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公开(公告)号：CN105140134A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510507995.5
申请日：2008-09-26
申请人： 泰塞拉公司
发明人： J·权
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L25/10
CPC分类号： H01L24/14 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L23/3178 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/1147 , H01L2224/13015 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13023 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1412 , H01L2224/16 , H01L2224/16058 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/73204 , H01L2224/81001 , H01L2224/81011 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/81894 , H01L2224/831 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1532 , H01L2924/19041 , H01L2924/2064 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/29099
摘要： 一种封装微电子组件，包括具有前表面(122)和远离前表面(122)延伸的多个第一固态凸柱(110)的微电子元件(104)。每个第一凸柱(110)具有在前表面(122)方向上的宽度和从前表面(122)延伸的高度，其中高度(H2)是宽度(W1)的至少一半。还存在基板(102)，基板(102)具有顶表面(101)和从顶表面(102)延伸且结合到第一固态金属凸柱(110)的多个第二固态金属凸柱(108)。
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公开(公告)号：CN103212776A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210495330.3
申请日：2012-11-28
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： B23K20/00 , B23K20/24 , B23K20/26 , H01L21/603 , H01L23/488 , H01R4/00 , H01R43/00
CPC分类号： H01L21/76254 , B23K20/026 , B23K20/24 , B23K20/26 , B23K2101/42 , G21K5/02 , H01L21/2686 , H01L21/32134 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/67144 , H01L23/488 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/11462 , H01L2224/118 , H01L2224/1182 , H01L2224/1184 , H01L2224/11845 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/75102 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/81002 , H01L2224/8101 , H01L2224/81013 , H01L2224/81014 , H01L2224/8102 , H01L2224/81031 , H01L2224/81047 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/8109 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8122 , H01L2224/818 , H01L2224/8183 , H01L2224/81907 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/20105 , H01L2924/20108 , H01L2924/2021 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要： 本发明提供一种电子器件、制造方法和电子器件制造装置。根据本公开内容，所述制造方法包括：使第一电子元件的第一电极的顶表面暴露于有机酸，利用紫外光照射第一电极的暴露于有机酸的顶表面，以及通过对第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：CN102693914A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210050652.7
申请日：2012-02-29
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L21/335
CPC分类号： H01L24/81 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L2224/11013 , H01L2224/1184 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/75101 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8183 , H01L2224/83192 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13064 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：通过对半导体元件的第一电极的表面进行处理来形成包括晶体的第一层；通过对该半导体元件安装在其上的安装元件的第二电极的表面进行处理来形成包括晶体的第二层；在第一温度下对在第一层上或第一层中存在的第一氧化膜以及在第二层上或第二层中存在的第二氧化膜进行还原，第一温度低于在第一电极中包含的第一金属以固态进行扩散的第二温度且低于在第二电极中包含的第二金属以固态发生扩散的第三温度；以及通过固相扩散将第一层和第二层彼此接合。
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公开(公告)号：CN103370784B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201180067909.3
申请日：2011-04-01
申请人： 德塞拉股份有限公司
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/00 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05186 , H01L2224/0519 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/0613 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06505 , H01L2224/116 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/276 , H01L2224/29023 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/73103 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/8323 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/9202 , H01L2224/9221 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了两元件(100,200)的微电子组件(300)及其形成方法。微电子元件(100)包括主表面(102)、及在主表面(102)暴露的介电层(120)和至少一个结合垫(110)。微电子元件(100)可包含复数个有源电路元件。第一金属层(130)沉积为覆盖至少一个结合垫(110)和介电层(120)。提供了具有第二金属层(230)沉积于其上的第二元件(200)，第一金属层(130)与第二金属层(230)接合。组件(300)可沿切割线(301)切割为单独的单元，每个都包括芯片。
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公开(公告)号：CN103985667A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310556722.0
申请日：2013-11-11
申请人： 财团法人交大思源基金会
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/49866 , H01L23/53228 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/03826 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05666 , H01L2224/11462 , H01L2224/13005 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/16145 , H01L2224/27462 , H01L2224/29005 , H01L2224/29023 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/32145 , H01L2224/75272 , H01L2224/75704 , H01L2224/75705 , H01L2224/81011 , H01L2224/8109 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81208 , H01L2224/8121 , H01L2224/8183 , H01L2224/81895 , H01L2224/83011 , H01L2224/8309 , H01L2224/83097 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83208 , H01L2224/8321 , H01L2224/8383 , H01L2224/83895 , H01L2224/94 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
摘要： 本发明是有关于一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构及其制备方法，其中制备方法包括：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板上设有一第一铜膜，第二基板上设有一第一金属膜，第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将第一铜膜及第一金属膜相互接合以形成接点，其中第一铜膜的第一接合面与第一金属膜的第二接合面相互对应。
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公开(公告)号：CN103094138A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210433490.5
申请日：2012-11-02
申请人： 国际商业机器公司
发明人： S·V·源
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/488 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13025 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1358 , H01L2224/13649 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13666 , H01L2224/13676 , H01L2224/13681 , H01L2224/13684 , H01L2224/16145 , H01L2224/16501 , H01L2224/29147 , H01L2224/29564 , H01L2224/2957 , H01L2224/2958 , H01L2224/29649 , H01L2224/29655 , H01L2224/29657 , H01L2224/29666 , H01L2224/29676 , H01L2224/29681 , H01L2224/29684 , H01L2224/32501 , H01L2224/80075 , H01L2224/80097 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81005 , H01L2224/81193 , H01L2224/8183 , H01L2224/81895 , H01L2224/83005 , H01L2224/83193 , H01L2224/8383 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/00012 , H01L2924/053 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开涉及具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法。至少在第一器件晶片的Cu表面上形成至少一个金属粘附层。具有另一Cu表面的第二器件晶片被放置在第一器件晶片的Cu表面顶上且在至少一个金属粘附层上面。第一器件晶片和第二器件晶片然后被接合在一起。接合包含在施加或不施加外部施加的压力的情况下在低于400°C的温度下加热器件晶片。在加热期间，两个Cu表面被接合在一起，并且至少一个金属粘附层从两个Cu表面得到氧原子，并且在Cu表面之间形成至少一个金属氧化物接合层。
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公开(公告)号：CN101978483A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200880125542.4
申请日：2008-11-10
申请人： 斯盖沃克斯解决方案公司
发明人： S·X·梁
CPC分类号： H01L24/14 , B81B7/0077 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/315 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05144 , H01L2224/10135 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81139 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81207 , H01L2224/814 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81464 , H01L2224/8183 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H03H9/0523 , H03H9/059 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
摘要： 在倒装芯片裸片粘结工艺期间在选定的裸片部分下面就地形成空腔的倒装芯片半导体封装装置和方法。倒装芯片半导体元件的封装方法包括提供有第一表面的裸片；在裸片的第一表面上形成屏障，该屏障至少部份地在裸片的第一表面上围住某个指定位置；把裸片按倒装芯片配置粘结到基体上，以及让模塑料在裸片上以及至少在一部分基体上流动。把裸片粘结到基体上包括使屏障和基体之间这样接触，以致模塑料的流动被该屏障阻挡在裸片和基体之间提供空腔，该空腔接近裸片第一表面上的指定位置。
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公开(公告)号：CN101878527A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200880118203.3
申请日：2008-06-25
申请人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司
发明人： B·塔布利兹
CPC分类号： H01L23/13 , B81B7/0064 , B81B7/0077 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0118 , B81C2203/031 , H01L23/055 , H01L23/10 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L23/66 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/165 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/484 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/8183 , H01L2224/81894 , H01L2224/8383 , H01L2224/85207 , H01L2224/85444 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/81 , H01L2224/85
摘要： 一种半导体封装器件以及在封装工艺期间并入了在电子器件周围形成腔的封装方法。在一个实例中，所述器件封装包括：第一衬底，具有形成在其中的第一凹陷；以及第二衬底，具有形成在其中的第二凹陷；以及安装在所述第一凹陷中的电子器件。所述第一和第二衬底被接合到一起，其中所述第一和第二凹陷基本上彼此覆盖，从而形成在所述电子器件周围的腔。
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公开(公告)号：CN103985667B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201310556722.0
申请日：2013-11-11
申请人： 财团法人交大思源基金会
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/49866 , H01L23/53228 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/03826 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05666 , H01L2224/11462 , H01L2224/13005 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/16145 , H01L2224/27462 , H01L2224/29005 , H01L2224/29023 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/32145 , H01L2224/75272 , H01L2224/75704 , H01L2224/75705 , H01L2224/81011 , H01L2224/8109 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81208 , H01L2224/8121 , H01L2224/8183 , H01L2224/81895 , H01L2224/83011 , H01L2224/8309 , H01L2224/83097 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83208 , H01L2224/8321 , H01L2224/8383 , H01L2224/83895 , H01L2224/94 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
摘要： 本发明是有关于一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构及其制备方法，其中制备方法包括：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板上设有一第一铜膜，第二基板上设有一第一金属膜，第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将第一铜膜及第一金属膜相互接合以形成接点，其中第一铜膜的第一接合面与第一金属膜的第二接合面相互对应。
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公开(公告)号：CN101874296B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN200880117714.3
申请日：2008-09-26
申请人： 泰塞拉公司
发明人： J·权
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/14 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L23/3178 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/1147 , H01L2224/13015 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13023 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1412 , H01L2224/16 , H01L2224/16058 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/73204 , H01L2224/81001 , H01L2224/81011 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/81894 , H01L2224/831 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1532 , H01L2924/19041 , H01L2924/2064 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/29099
摘要： 一种封装微电子组件，包括具有前表面(122)和远离前表面(122)延伸的多个第一固态凸柱(110)的微电子元件(104)。每个第一凸柱(110)具有在前表面(122)方向上的宽度和从前表面(122)延伸的高度，其中高度(H2)是宽度(W1)的至少一半。还存在基板(102)，基板(102)具有顶表面(101)和从顶表面(102)延伸且结合到第一固态金属凸柱(110)的多个第二固态金属凸柱(108)。
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