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公开(公告)号：CN104637826B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201410452983.2
申请日：2014-09-05
申请人： 东芝存储器株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/563 , H01L23/544 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L25/074 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/10135 , H01L2224/1131 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1319 , H01L2224/1403 , H01L2224/1415 , H01L2224/14505 , H01L2224/16146 , H01L2224/1705 , H01L2224/17517 , H01L2224/73204 , H01L2224/8113 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/81862 , H01L2224/81907 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2924/35 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2224/8185 , H01L2924/0665 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
摘要： 本发明提供一种能够抑制凸块的接合不良的半导体装置的制造方法。实施方式是在第一半导体芯片的第一面形成第一凸块电极，且在第二半导体芯片的第二面形成第二凸块电极与突起。以第一面与第二面相对的方式，使用突起将第一&第二半导体芯片固定。对所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片进行回流焊而使它们电连接，其后以低于回流焊温度的温度使突起硬化。
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公开(公告)号：CN104637826A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410452983.2
申请日：2014-09-05
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/563 , H01L23/544 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L25/074 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/10135 , H01L2224/1131 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1319 , H01L2224/1403 , H01L2224/1415 , H01L2224/14505 , H01L2224/16146 , H01L2224/1705 , H01L2224/17517 , H01L2224/73204 , H01L2224/8113 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/81862 , H01L2224/81907 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2924/35 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2224/8185 , H01L2924/0665 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
摘要： 本发明提供一种能够抑制凸块的接合不良的半导体装置的制造方法。实施方式是在第一半导体芯片的第一面形成第一凸块电极，且在第二半导体芯片的第二面形成第二凸块电极与突起。以第一面与第二面相对的方式，使用突起将第一&第二半导体芯片固定。对所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片进行回流焊而使它们电连接，其后以低于回流焊温度的温度使突起硬化。
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公开(公告)号：CN102176439A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110085764.1
申请日：2008-08-12
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 徐敏硕
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/525 , H01L23/00 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L23/5256 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/90 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/06505 , H01L2224/13009 , H01L2224/13099 , H01L2224/1403 , H01L2224/14505 , H01L2224/16 , H01L2224/81191 , H01L2224/83138 , H01L2224/90 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭示一包括适合于一叠层半导体封装的通过电极以及一具有该电极的半导体封装。该半导体封装通过电极包括一具有凹槽部分的第一电极以穿过一半导体芯片。一第二电极配置于该第一电极的凹槽内。该半导体封装通过电极的第一电极包括一具有第一硬度的第一金属，该第二电极包括一具有低于第一硬度的第二硬度的第二金属。该通过电极穿过该半导体芯片体，并且可以由具有第一硬度和/或第一熔点的第一金属和具有低于第一硬度和/或第一熔点的第二硬度和/或第二熔点的第二金属形成。该通过电极能使数个半导体封装轻易地堆栈。
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公开(公告)号：CN106206329A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510850009.6
申请日：2015-11-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/02 , H01L23/538 , H01L23/31
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13014 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/1403 , H01L2224/14131 , H01L2224/14135 , H01L2224/14152 , H01L2224/14177 , H01L2224/14181 , H01L2224/14505 , H01L2224/14517 , H01L2224/16146 , H01L2224/16238 , H01L2224/75315 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/1438 , H01L2924/14511 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L21/50 , H01L23/02 , H01L23/31 , H01L23/538
摘要： 本发明的实施方式提供一种半导体装置，能够抑制积层的多个半导体芯片间的间隔不均。本实施方式的半导体装置包含在第1面上设有第1凸块的半导体芯片。多个第1粘接部设置在半导体芯片的第1面上。第2粘接部设置在半导体芯片的第1面上，刚性比第1粘接部低。第2粘接部被设置为，与多个第1粘接部中离半导体芯片的第1面的中心或重心最远的第1粘接部相比，离该中心或该重心更远。
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公开(公告)号：CN104916552A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410453506.8
申请日：2014-09-05
申请人： 株式会社东芝
发明人： 小牟田直幸
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49844 , H01L23/5384 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/1403 , H01L2224/14152 , H01L2224/14155 , H01L2224/14181 , H01L2224/14505 , H01L2224/16105 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/1713 , H01L2224/17181 , H01L2224/17517 , H01L2224/2731 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/2919 , H01L2224/30155 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81815 , H01L2224/8188 , H01L2224/81905 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/92242 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83
摘要： 本发明提供一种可防止在焊锡接合部产生龟裂的半导体装置的制造方法及半导体装置。将第1-第2电极焊垫位置对准而将包含第1贯通通道及接合在所述第1贯通通道的第2电极焊垫的第2半导体芯片搭载在包含第1电极焊垫的第1半导体芯片。将第2-第3电极焊垫位置对准而将第3半导体芯片搭载在第2半导体芯片，该第3半导体芯片包含第2贯通通道、在一面接合在所述第2贯通通道的第3电极焊垫、在另一面以接合在所述第2贯通通道的方式隔着保护膜而形成的配线及以接合在所述配线的方式形成的第4电极焊垫。将第1～第3电极焊垫接合，将树脂填充至包含第1～第3半导体芯片的积层体的间隙。将基板上的焊锡凸块与各积层体的第4电极焊垫位置对准而接合，并且利用黏接材固定多个积层体。最后，利用塑模树脂将积层体及基板的一面密封后将多个积层体单片化。
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公开(公告)号：CN103887289A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310705286.9
申请日：2013-12-19
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/538 , H01L21/98 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5386 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/5381 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L24/25 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/13101 , H01L2224/1412 , H01L2224/14505 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/1712 , H01L2224/24146 , H01L2224/2541 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2924/12042 , H01L2924/1432 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/15153 , H01L2924/15747 , H01L2924/381 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 描述了允许经由直接芯片附连（DCA）在微电子管芯和主板之间的高密度和低密度互连的实施例。在一些实施例中，微电子管芯具有高密度互连和低密度连接区域，高密度互连具有沿一个边缘定位的小凸点间距，低密度连接区域具有位于所述管芯的其它区域中的较大的凸点间距。管芯之间的高密度互连区域利用互连桥来互连，该互连桥由能够支持在其上制造高密度互连的材料制成，诸如硅。低密度互连区域用于利用DCA将经互连的管芯直接附连到板。当利用互连桥互连管芯时，高密度互连可利用当前的受控塌陷芯片连接(C4)间距，同时允许电路板上更大的间距。
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公开(公告)号：CN103035169A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210347941.3
申请日：2012-09-18
申请人： 乐金显示有限公司
CPC分类号： H01L23/36 , H01L21/563 , H01L23/3737 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/1403 , H01L2224/14505 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17519 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , Y10T156/10 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种显示设备及其驱动器组件以及传递热的方法。该驱动器组件是一种具有用于从集成电路（IC）芯片经过形成在基板上的热传递构件和导电图案线传递热的有效的机制的驱动器组件。所述IC芯片安装在连接器上并且布置在所述基板上方。所述IC芯片经过至少所述导电图案线的子集和所述连接器的子集与所述显示面板可操作地通信。所述热传递构件形成在所述基板上并且被配置为将所述集成电路芯片产生的热传递到比所述IC芯片温度更低的部件。热传递元件被布置在所述IC 芯片和所述热传递构件之间，以将所述IC芯片产生的热传递到所述热传递构件。
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公开(公告)号：CN101764112A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910253762.1
申请日：2009-12-17
申请人： 恩益禧电子股份有限公司
发明人： 园原英雄
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/544
CPC分类号： H01L24/06 , H01L22/32 , H01L23/3128 , H01L23/50 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05553 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/06153 , H01L2224/06505 , H01L2224/1403 , H01L2224/14505 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/48599 , H01L2224/4943 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体集成电路。根据本发明的示例性实施例的半导体集成电路包括被提供在半导体芯片中的I/O缓冲器、单层焊盘、以及多层焊盘。单层焊盘形成在I/O缓冲器的上方。多层焊盘与单层焊盘分离地形成在I/O缓冲器的上方。单层焊盘是专用于焊接的焊盘，并且多层焊盘是对其执行探针探测和焊接的焊盘。
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公开(公告)号：CN105097744A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410461293.3
申请日：2014-09-11
申请人： 精材科技股份有限公司
发明人： 刘建宏
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/488 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0231 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05573 , H01L2224/05575 , H01L2224/12105 , H01L2224/13017 , H01L2224/13024 , H01L2224/1403 , H01L2224/14505 , H01L2224/24146 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48145 , H01L2224/48149 , H01L2224/48227 , H01L2224/48451 , H01L2224/48464 , H01L2224/73227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/92164 , H01L2224/92244 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2924/10253 , H01L2924/141 , H01L2924/143 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2224/85 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一第一装置基底，贴附于一第二装置基底的一第一表面上；一第三装置基底，贴附于第二装置基底相对于第一表面的一第二表面上；一绝缘层，覆盖第一装置基底、第二装置基底及第三装置基底，其中绝缘层内具有至少一开口；至少一凸块，设置于开口的底部下方；一重布线层，设置于绝缘层上，且经由开口电性连接至凸块。本发明可缩小后续接合的电路板的尺寸，且能够简化制程、降低成本。
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公开(公告)号：CN103871909A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310692838.7
申请日：2013-12-17
申请人： IMEC公司
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L24/06 , G03F7/0002 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/98 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/05026 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/10126 , H01L2224/111 , H01L2224/1144 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11602 , H01L2224/1181 , H01L2224/1182 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13541 , H01L2224/13562 , H01L2224/13693 , H01L2224/14051 , H01L2224/14505 , H01L2224/1703 , H01L2224/17505 , H01L2224/29036 , H01L2224/2919 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/742 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/81902 , H01L2224/81903 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , Y10T29/49 , Y10T29/49014 , Y10T29/49117 , Y10T156/1028 , Y10T156/11 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及转移石墨烯片到用于封装的衬底金属接触凸块的方法。根据本发明的一种方法，用于将石墨烯片转移到半导体器件封装中使用的衬底的金属接触凸块，所述封装即由所述接触凸块连接的衬底叠层。特别地，该方法相关于铜接触凸块，石墨烯为其形成保护层。根据本发明的方法，使用压印器装置，该压印器装置包括压印器衬底，所述衬底设置有空腔，其中各个空腔设置有凸缘部。压印器衬底对准所述包括凸块的衬底，并降低到所述衬底上，使每个凸块都由空腔封闭，直至空腔的凸缘部切穿石墨烯片，当压印器被移除后，石墨烯层部分留在每个凸块的顶部。石墨烯片优选地通过将其压印到围绕所述凸块的钝化层中，以附着在衬底上。
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