公开(公告)号：CN108292654A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201580084531.6

申请日：2015-12-11

申请人： 英特尔公司

发明人： E.李 ,  T.戈塞林 ,  Y.富田 ,  S.利夫 ,  A.艾坦 ,  M.萨尔塔斯

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5381 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27

摘要： 一种微电子结构包括：微电子衬底，其具有第一表面和从微电子衬底第一表面延伸到衬底中的腔；附接至微电子衬底第一表面的第一微电子器件和第二微电子器件；以及设置在微电子衬底腔内且附接至第一微电子器件和第二微电子器件的微电子桥。在一个实施例中，该微电子结构可以包括从第一微电子器件和第二微电子器件形成的重建晶圆。在另一实施例中，助焊剂材料可以在第一微电子器件和微电子桥之间以及在第二微电子器件和微电子桥之间延伸。

公开(公告)号：CN108281410A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711462241.8

申请日：2013-06-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林育蔚 ,  吴胜郁 ,  曾裕仁 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了凸块导线直连(BOT)结构的一个实施例，包括：由集成电路支撑的接触元件、与接触元件电连接的凸块下金属(UBM)部件、设置在凸块下金属部件和集成电路之间的绝缘层和钝化层；安装在凸块下金属部件上的金属梯状凸块和安装在衬底上的衬底导线，其中，金属梯状凸块具有第一楔形轮廓，并具有最接近集成电路的安装端和离集成电路最远的末端，末端的宽度介于10μm至80μm之间，安装端的宽度介于20μm至90μm之间，该衬底导线具有第二楔形轮廓并且通过直接金属与金属接合连接至金属梯状凸块。可以以类似的方式制造芯片与芯片结构的实施例。本发明还提供了互连结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN104603640B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201480001837.6

申请日：2014-09-04

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： N·J·A·范费恩 ,  R·戈申 ,  D·约格夫 ,  A·利夫内

IPC分类号： G01T1/24

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L24/09 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/042 ,  H01L25/043 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14663 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/091 ,  H01L2224/09165 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/16506 ,  H01L2224/171 ,  H01L2224/81047 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明总体上涉及一种辐射探测器元件，其中，光电二极管通过至少一个包括两个熔合的焊球的连接被横向地固定到探测器元件基板，其中，所述两个熔合的焊球中的第一个接触所述光电二极管，并且所述两个熔合的焊球中的第二个接触所述探测器元件基板。本发明还涉及一种横向地附接两个基板，具体为构造上述辐射探测器元件的方法。本发明还涉及包括至少一个辐射探测器元件的成像系统。

公开(公告)号：CN104471680B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201380038241.9

申请日：2013-07-02

申请人： 美光科技公司

发明人： 欧文·R·费伊 ,  卢克·G·英格兰德 ,  克里斯托弗·J·甘比

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/311 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/11

摘要： 制作用于半导体裸片的互连结构的方法包括形成导电元件，所述导电元件沿所述导电元件的全柱体直径接触活性表面上的结合垫，接着将包括光致抗蚀剂的光可界定材料施加到所述活性表面和所述导电元件上方。使聚酰亚胺材料选择性地暴露及显影以移除覆盖所述导电元件的至少项部的光可界定材料。还揭示半导体裸片及半导体裸片组合件。

公开(公告)号：CN104425394B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201410436888.3

申请日：2014-08-29

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 蔡曜骏 ,  许镇鹏 ,  温士逸 ,  杨季瑾 ,  胡鸿烈

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/60 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/481 ,  G02B6/12 ,  G02B6/34 ,  G02B2006/12061 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/60 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/861 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48148 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/026 ,  H01S5/34 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明公开一种基板、其制造方法及其应用，该基板包括基材、两个导体结构以及至少一二极管。两个导体结构分别从基材的第一表面，经由贯穿基材的两个穿孔，延伸到基材的第二表面。至少一二极管埋入于所述穿孔其中之一的一侧壁的基材中。

公开(公告)号：CN104241229B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410279831.7

申请日：2014-06-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑显秀 ,  马金希 ,  李仁荣 ,  赵文祺 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。

公开(公告)号：CN106206420A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610121743.3

申请日：2016-03-03

申请人： 株式会社东芝

发明人： 内田健悟

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03005 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/1068

摘要： 本发明的实施方式提供一种能够提高晶片的上表面与支撑衬底的接合强度的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置半导体衬底(11)的上表面；绝缘层(13)，位于元件层(12)上；以及贯通电极(143)，包含主体部(143b)及头部(143c)，且经由绝缘层(13)的贯通孔而与元件层(12)中的上层配线(121)电连接，该主体部(143b)位于设置在绝缘层(13)的贯通孔内，该头部(143c)位于绝缘层(13)上，且相比于主体部(143b)直径扩大；而且头部(143c)的下表面侧的轮廓(143e)的尺寸可小于头部(143c)的上表面侧的轮廓(143d)的尺寸。(1)具备：半导体衬底(11)；元件层(12)，位于

公开(公告)号：CN103366798B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201310289419.9

申请日：2013-07-10

申请人： 格科微电子(上海)有限公司

发明人： 赵立新 ,  兰军强 ,  章涛

IPC分类号： G11C11/4063 ,  H01L27/108 ,  H01L23/488 ,  H01L25/18 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L27/108 ,  G11C2207/107 ,  H01L21/485 ,  H01L22/22 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/10897 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明公开了一种动态随机存取存储器及制造方法、半导体封装件及封装方法。动态随机存取存储器制造方法包括：提供存储器晶圆，存储器晶圆上有存储器裸片，存储器裸片上有顶层金属层，顶层金属层上有电源焊盘、信号焊盘和微焊盘，引出存储器裸片的内部总线与微焊盘电相连；对存储器晶圆进行修复；若存储器晶圆的良品率大于等于预定阈值，对微焊盘进行重新排布，形成对接焊盘，对接焊盘与微焊盘、电源焊盘电相连。半导体封装方法，包括：提供有动态随机存取存储器的第一晶圆；提供有逻辑芯片的第二晶圆；第一晶圆和第二晶圆通过相适应的对接焊盘的电连接实现晶圆级封装。本发明不对DRAM结构做较大改动，而提高DRAM的数据带宽，同时保证较高的良品率。

公开(公告)号：CN102569173B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110402768.8

申请日：2011-12-02

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴炳律 ,  崔吉铉 ,  方硕哲 ,  文光辰 ,  林东灿

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种制造半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中，准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案。牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸。在基底的第一表面上形成上部布线层。上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线。将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案。从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露布线的开口。在开口中形成要电连接到布线的贯通电极。

公开(公告)号：CN104051420A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410091518.0

申请日：2014-03-13

申请人： 英特尔公司

发明人： M.J.芒努沙罗 ,  D.马利克

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L23/36 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开涉及用于嵌入式互连桥封装的直接外部互连。描述一种可用于嵌入式互连桥封装的外部直接连接。在一个示例中，封装具有衬底、具有第一桥互连区的第一半导体晶片以及具有第二桥互连区的第二半导体晶片。该封装具有：嵌入衬底中的桥，该桥具有连接到第一桥互连区的第一接触区和连接到第二桥互连区的第二接触区；以及外部连接轨，在互连桥与第一和第二半导体晶片之间延伸，以提供到第一和第二桥互连区的外部连接。