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公开(公告)号：CN108538824B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201810171607.4
申请日：2018-03-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，将具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起的半导体芯片层叠多片而得到半导体芯片。其中，具备在惰性气氛内使还原性气体流入配置有半导体芯片的空间内，并以微凸起的熔点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置有压力赋予部件。
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公开(公告)号：CN108235570B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201711352356.1
申请日：2017-12-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 用于平面线圈的制造的配线部件(5B)具备：基材(10)、和形成于基材(10)上的平面线圈图案(11)。平面线圈图案(11)包含：具有一端(11a1)及另一端(11a2)的线圈配线部(11a)，将外部电源和线圈配线部(11a)的第一连接位置(P1)连接的供电配线部(11d)，将与第一连接位置(P1)相比更靠另一端(11a2)侧的线圈配线部(11a)的第二连接位置(P2)和与第二连接位置(P2)相比更靠一端(11a1)侧的线圈配线部(11a)的第三连接位置(P3)进行短路的连接配线部(11e)。平面线圈图案(11)的剖面结构具有形成于基材(10)上的基底树脂层(L0)和形成于基底树脂层(L0)上的导体层(LL)。
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公开(公告)号：CN107978589A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711008406.4
申请日：2017-10-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/29 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/288 , H01L21/32051 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2924/00
Abstract: 本说明书中公开的电子部件模块具备电子部件、密封所述电子部件的密封树脂、覆盖所述密封树脂的表面的导电膜、覆盖所述导电膜的表面的保护膜。所述保护膜包含低反射层和保护层。所述低反射层不与导电膜相接。
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公开(公告)号：CN108231398B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201711352340.0
申请日：2017-12-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 平面线圈的制造方法包括：在基材上形成基底导体层(L1)的工序(S2)，该基底导体层(L1)具有：具有一端及另一端的线圈配线部，将外部电源和线圈配线部的第一连接位置连接的供电配线部(11d)，以及使比第一连接位置更靠另一端侧的线圈配线部的第二连接位置和比第二连接位置更靠一端侧的线圈配线部的第三连接位置短路的连接配线部(11e)；在基底导体层(L1)上通过电解电镀形成配线导体层(L2)的工序(S3)；以及除去供电配线部(11d)及连接配线部(11e)的工序(S4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109306478A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810838084.4
申请日：2018-07-26
Abstract: 本发明所涉及的片材(1)具备：树脂层(4)，包含粘结剂(2)和聚吡咯颗粒(3)；非电解镀膜(7)，被设置于树脂层(4)的一个主面(4a)侧并具有第1非电解镀膜(5)和第2非电解镀膜(6)；及透明基材(8)，被设置于树脂层(4)的另一个主面(4b)侧。聚吡咯颗粒(3)中的至少一部分具有从树脂层(4)的一个主面(4a)露出的露出面(3a)，露出面(3a)分散于树脂层(4)的一个主面(4a)上。第1非电解镀膜(5)以围绕聚吡咯颗粒(3)各自的露出面(3a)的方式被设置于树脂层(4)的一个主面(4a)上。第2非电解镀膜(6)以覆盖第1非电解镀膜(5)的方式被设置，第2非电解镀膜(6)的一个主面(6a)具备对应于第1非电解镀膜(5)的凹部(6r)。
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公开(公告)号：CN108538824A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810171607.4
申请日：2018-03-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，将具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起的半导体芯片层叠多片而得到半导体芯片。其中，具备在惰性气氛内使还原性气体流入配置有半导体芯片的空间内，并以微凸起的熔点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置有压力赋予部件。
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公开(公告)号：CN108538726A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810172586.8
申请日：2018-03-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，该半导体芯片具有基板、形成于基板上的导电部、形成于导电部的微凸起，其中，该制造方法具备在微凸起上形成平滑面的平滑面形成工序，平滑面形成工序具备对配置有半导体芯片的空间在惰性气氛内使还原性气体流入，并以微凸起的融点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置压力赋予部件，压力赋予部件的主面中与微凸起相接的主面为平面。
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公开(公告)号：CN108235570A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711352356.1
申请日：2017-12-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 用于平面线圈的制造的配线部件(5B)具备：基材(10)、和形成于基材(10)上的平面线圈图案(11)。平面线圈图案(11)包含：具有一端(11a1)及另一端(11a2)的线圈配线部(11a)，将外部电源和线圈配线部(11a)的第一连接位置(P1)连接的供电配线部(11d)，将与第一连接位置(P1)相比更靠另一端(11a2)侧的线圈配线部(11a)的第二连接位置(P2)和与第二连接位置(P2)相比更靠一端(11a1)侧的线圈配线部(11a)的第三连接位置(P3)进行短路的连接配线部(11e)。平面线圈图案(11)的剖面结构具有形成于基材(10)上的基底树脂层(L0)和形成于基底树脂层(L0)上的导体层(LL)。
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公开(公告)号：CN103369825A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310110926.1
申请日：2013-04-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P3/08 , H01P11/003 , H01Q1/36 , H01Q1/50
Abstract: 本发明提供了一种交流电阻小的高频传送线路。本发明的一个样态是沿着绝缘性基体的表面设置的高频传送线路，当通过高频传送线路传送的交流电信号的频率为F Hz，高频传送线路的每单位面积的饱和磁化为Ms Wb/m时，频率的数值F与每单位面积的饱和磁化的数值Ms满足下述式（1）。Ms≦(1.5×102)/F+5.7×10-8 （1）。
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