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公开(公告)号：CN109716511A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780058052.6
申请日：2017-08-14
申请人： QORVO美国公司
发明人： 扬·爱德华·万德梅尔 , 乔纳森·哈勒·哈蒙德 , 朱利奥·C·科斯塔
CPC分类号： B81C1/00801 , B81B7/0025 , B81B7/007 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81B2207/115 , B81C1/0023 , B81C2201/053 , B81C2203/0792 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/4334 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2924/1461 , H01L2924/18162 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K1/185 , H05K3/284 , H05K2201/10083 , H05K2203/1316 , H05K2203/1322 , H05K2203/308
摘要： 本公开涉及一种晶片级封装，所述晶片级封装包括第一薄化裸片(12)、多层再分布结构(18)、第一模化合物(20)以及第二模化合物(22)。所述第一薄化裸片包括由玻璃材料形成的第一装置层(24)。所述多层再分布结构包括再分布互连件，所述再分布互连件将所述第一装置层连接到在所述多层再分布结构的底部表面上的封装触点(44)。在本文中，所述再分布互连件与所述第一装置层之间的连接不含焊料。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口。所述第二模化合物填充所述开口并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。
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公开(公告)号：CN101095239A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200480033779.1
申请日：2004-11-18
申请人： 哈利伯顿能源服务公司
IPC分类号： H01L31/0312 , H01L29/82 , H01L21/00
CPC分类号： E21B47/0002 , B81B2207/115 , E21B47/011 , G01V1/40 , H01L21/86 , H01L23/3157 , H01L27/12 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 在至少一些实施例中，适合在超过200℃的温度处使用的电子装置可以包括制造在碳化硅衬底上的集成电路，以及厚钝化层。在其它的实施例中，适合在超过200℃的温度处使用的电子装置可以包括由位于蓝宝石衬底上的硅形成的集成电路，以及厚钝化层。该电子装置可以在碳氢化合物钻井和开采操作的情形中实施。
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公开(公告)号：CN104851753B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201510083334.4
申请日：2015-02-16
申请人： 亚德诺半导体集团
IPC分类号： H01H59/00
CPC分类号： H01H1/0036 , B81B7/0064 , B81B2201/014 , B81B2207/03 , B81B2207/07 , B81B2207/115 , B81C1/00698 , B81C2201/0171 , B81C2203/075 , H01H59/0009 , H01P1/127
摘要： 一种MEMS设备具有衬底、输入节点、输出节点以及处于输入节点和输出节点之间的MEMS开关。所述开关对输入节点和输出节点进行有选择地连接，在所述开关断开时所述输入节点和输出节点电隔离。所述设备还具有处于衬底内的输入掺杂区域和处于衬底内的输出掺杂区域。所述输入掺杂区域和输出掺杂区域通过衬底电隔离，即，它们之间的电阻遏制了两个掺杂区域之间的不可忽略的电流的流动。所述输入掺杂区域与输入节点形成了输入电容，而所述输出掺杂区域与输出节点形成了输出电容。
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公开(公告)号：CN1511253A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN02810304.1
申请日：2002-01-29
申请人： 西加特技术有限责任公司
CPC分类号： B81B3/0035 , B81B2203/0118 , B81B2207/115
摘要： 一种通过用韧性材料，诸如金属，保护涂覆微型元件改善由硅形成的微型元件的强度的方法。保护涂层可以包括部分保护涂层或整体保护涂层。向所述微型元件提供保护涂层可减少破裂和断裂，并同样地可减少由破裂和断裂所产生的玷污问题。
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公开(公告)号：CN107131998A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710112961.5
申请日：2017-02-28
申请人： 迈来芯科技有限公司
IPC分类号： G01L19/06
CPC分类号： B81B7/0058 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/098 , B81B2207/115 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , G01L9/0054 , G01L19/0645 , G01L19/147 , G01L23/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , G01L19/0627
摘要： 一种用于测量包含腐蚀性成分的尾气的压力的半导体压力传感器组件(1200)，包括：第一腔(1244)，包括用于电互连的第一接合焊盘的压力传感器(1210)、包括用于与压力传感器(1210)的电互连的第二接合焊盘(1241)的CMOS芯片(1240)、具有经由接合线连接到压力传感器和CMOS芯片的导电通路(1233)的互连模块(1230)；互连模块是具有抗腐蚀金属轨迹(1233)的基板，其中CMOS芯片(1240)以及互连模块的一部分通过塑封(1243)来封装。
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公开(公告)号：CN104303262A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201280038081.3
申请日：2012-06-29
申请人： 因文森斯公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L23/10 , B81B2201/0264 , B81B2201/047 , B81B2207/115 , B81C1/00238 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/0792 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G02B26/0833 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 在此披露了一种用于提供其中一部分暴露在外部环境下的MEMS设备的方法和系统。该方法包括将一个操作晶片粘合到一个设备晶片上以形成一个其中介电层被布置在这些操作晶片和设备晶片之间的MEMS衬底。该方法包括平版印刷地在该设备晶片上限定至少一个压铆螺母柱并将该至少一个压铆螺母柱粘合到一个集成电路衬底上以在该MEMS衬底和该集成电路衬底之间形成一个密封腔。该方法包括在该操作晶片、压铆螺母柱或集成电路衬底中限定至少一个开口以使该设备晶片的一部分暴露在外部环境下。
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公开(公告)号：CN101095239B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200480033779.1
申请日：2004-11-18
申请人： 哈利伯顿能源服务公司
IPC分类号： H01L31/0312 , H01L29/82 , H01L21/00
CPC分类号： E21B47/0002 , B81B2207/115 , E21B47/011 , G01V1/40 , H01L21/86 , H01L23/3157 , H01L27/12 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 在至少一些实施例中，适合在超过200℃的温度处使用的电子装置可以包括制造在碳化硅衬底上的集成电路，以及厚钝化层。在其它的实施例中，适合在超过200℃的温度处使用的电子装置可以包括由位于蓝宝石衬底上的硅形成的集成电路，以及厚钝化层。该电子装置可以在碳氢化合物钻井和开采操作的情形中实施。
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公开(公告)号：CN104303262B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280038081.3
申请日：2012-06-29
申请人： 因文森斯公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L23/10 , B81B2201/0264 , B81B2201/047 , B81B2207/115 , B81C1/00238 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/0792 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G02B26/0833 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 在此披露了一种用于提供其中一部分暴露在外部环境下的MEMS设备的方法和系统。该方法包括将一个操作晶片粘合到一个设备晶片上以形成一个其中介电层被布置在这些操作晶片和设备晶片之间的MEMS衬底。该方法包括平版印刷地在该设备晶片上限定至少一个压铆螺母柱并将该至少一个压铆螺母柱粘合到一个集成电路衬底上以在该MEMS衬底和该集成电路衬底之间形成一个密封腔。该方法包括在该操作晶片、压铆螺母柱或集成电路衬底中限定至少一个开口以使该设备晶片的一部分暴露在外部环境下。
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公开(公告)号：CN104851753A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510083334.4
申请日：2015-02-16
申请人： 亚德诺半导体集团
IPC分类号： H01H59/00
CPC分类号： H01H1/0036 , B81B7/0064 , B81B2201/014 , B81B2207/03 , B81B2207/07 , B81B2207/115 , B81C1/00698 , B81C2201/0171 , B81C2203/075 , H01H59/0009 , H01P1/127
摘要： 一种MEMS设备具有衬底、输入节点、输出节点以及处于输入节点和输出节点之间的MEMS开关。所述开关对输入节点和输出节点进行有选择地连接，在所述开关断开时所述输入节点和输出节点电隔离。所述设备还具有处于衬底内的输入掺杂区域和处于衬底内的输出掺杂区域。所述输入掺杂区域和输出掺杂区域通过衬底电隔离，即，它们之间的电阻遏制了两个掺杂区域之间的不可忽略的电流的流动。所述输入掺杂区域与输入节点形成了输入电容，而所述输出掺杂区域与输出节点形成了输出电容。
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公开(公告)号：CN101353152A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810130036.6
申请日：2008-07-24
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81B2207/115 , H04R2499/11 , Y10T428/24488
摘要： 本发明涉及一种MEMS传感器及其制造方法，该传感器具有：基板；设于所述基板的一侧面上的下薄膜；相对于所述下薄膜在所述基板的相反侧隔开间隔而相对配置的上薄膜；包围所述下薄膜和所述上薄膜的周围而相对于所述上薄膜向所述下薄膜侧的相反侧突出的壁部。
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