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公开(公告)号：CN107128870A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710103269.6
申请日：2017-02-24
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2203/0109 , B81C1/00325 , B81B7/0045 , B81B7/0048 , B81C1/00261 , B81C1/00301
摘要： 本发明公开微机电器件和用于形成微机电器件的方法。一种微机电器件可以包括：半导体载体；设置在远离所述半导体载体的位置中的微机电元件；其中所述微机电元件配置成响应于机械信号而生成或修改电信号，和/或配置成响应于电信号而生成或修改机械信号；至少一个接触焊盘，所述至少一个接触焊盘电连接到所述微机电元件用于在接触焊盘与所述微机电元件之间传递电信号；以及连接结构，所述连接结构从所述半导体载体延伸到所述微机电元件并且将所述微机电元件与所述半导体载体机械地耦合。
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公开(公告)号：CN108751119A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810966348.4
申请日：2018-08-23
申请人： 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
发明人： 华亚平
CPC分类号： B81B7/0045 , B81C1/00325
摘要： 本发明公开了一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片及其制造方法，具体是通过半导体加工工艺将圆片级封装的MEMS圆片的底板SOI圆片的底氧化层形成底氧化层图形，露出部分底硅层表面；然后以底氧化层图形为掩膜，对MEMS圆片进行深硅蚀刻，露出埋氧层表面，底硅层被蚀刻成应力缓冲结构，形成划片区、外框、应力缓冲弹簧、空窗区、连接区以及释放孔；再将MEMS圆片浸入HF或缓冲HF溶液中，形成中心埋氧图形，形成具有应力缓冲结构的MEMS圆片；最后切割圆片完成具有应力缓冲结构的MEMS芯片的制造。本发明制造的具有应力缓冲结构的MEMS芯片的应力缓冲结构通过中心埋氧连接在MEMS芯片的底部，达到降低封装应力的目的，其优点在于工艺简单、芯片面积小、封装成品率高、成本低。
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公开(公告)号：CN107089641A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710132408.8
申请日：2017-03-07
申请人： 深南电路股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00666 , B81B7/0045 , B81B2201/02
摘要： 本发明公开了一种超薄封装基板的制作方法及相关产品，以有助于解决超薄封装基板因强度不足导致的可加工性低，加工过程中容易损伤或损坏的技术问题。该方法可包括：提供超薄覆铜板；在所述超薄覆铜板的非工作区域形成刚性补强层；在所述超薄覆铜板的工作区域进行常规线路加工；对所述超薄覆铜板进行外形加工，去除非工作区域，制得超薄封装基板。
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公开(公告)号：CN103253627B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310059343.0
申请日：2013-02-20
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(马耳他)有限公司
CPC分类号： B81B7/0045 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , B81C1/00325 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L2224/27013 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种用于装配集成器件的工艺，包括：提供集成至少一个电子电路并且具有顶表面的半导体材料的第一本体；提供集成至少一个微机电结构并且具有底表面的半导体材料的第二本体；并且在第一本体上堆叠第二本体，并且在第一本体的顶表面与第二本体的底表面之间插入弹性间隔物材料。在堆叠步骤之前，设想以集成方式在第一本体的顶表面提供限定和间隔结构的步骤，该限定和间隔结构在其内部限定弹性间隔物材料并且在堆叠步骤期间在与第一本体相距一段距离处支撑第二本体。
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公开(公告)号：CN105621343A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510624478.6
申请日：2015-09-25
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体公司
CPC分类号： G01L19/148 , B81B7/0045 , B81C1/00325 , H01L21/50 , H01L23/057 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
摘要： 本公开涉及用于诸如MEMS压力传感器之类的对机械和热机械应力敏感的半导体器件的封装。表面安装器件(50)具有诸如ASIC之类的半导体材料的一个主体(6)和包围主体的封装。封装具有承载主体的基部区域(15)、盖(20)和接触端子(3)。基部区域(15)具有低于5MPa的杨氏模量。为了形成器件，将主体(6)附接至包括由空腔分开的接触端子(3)和裸片焊盘(2)的支撑框架(1)；将键合接线(14)焊接至主体(6)并焊接至接触端子(3)；以至少部分包围主体(6)的侧面、填充支撑框架(1)的空腔且覆盖键合接线(14)的在接触端子上的端部的方式模制弹性材料；和将盖(20)固定至基部区域(15)。接着将裸片焊盘(2)蚀刻掉。
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公开(公告)号：CN105621343B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201510624478.6
申请日：2015-09-25
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体公司
CPC分类号： G01L19/148 , B81B7/0045 , B81C1/00325 , H01L21/50 , H01L23/057 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
摘要： 本公开涉及用于诸如MEMS压力传感器之类的对机械和热机械应力敏感的半导体器件的封装。表面安装器件(50)具有诸如ASIC之类的半导体材料的一个主体(6)和包围主体的封装。封装具有承载主体的基部区域(15)、盖(20)和接触端子(3)。基部区域(15)具有低于5MPa的杨氏模量。为了形成器件，将主体(6)附接至包括由空腔分开的接触端子(3)和裸片焊盘(2)的支撑框架(1)；将键合接线(14)焊接至主体(6)并焊接至接触端子(3)；以至少部分包围主体(6)的侧面、填充支撑框架(1)的空腔且覆盖键合接线(14)的在接触端子上的端部的方式模制弹性材料；和将盖(20)固定至基部区域(15)。接着将裸片焊盘(2)蚀刻掉。
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公开(公告)号：CN105849893A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071306.4
申请日：2014-12-22
申请人： 田中贵金属工业株式会社
IPC分类号： H01L23/02
CPC分类号： B81B7/0045 , B81C1/00269 , B81C1/00325 , B81C2203/019 , H01B1/02 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/10 , H01L24/94 , H01L51/5243 , H01L51/5246 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/16235 , H01L2924/16598 , H01L2924/167 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种气密性密封封装体构件，是包含基板和形成于基板上的划定密封区域的至少1个框状的密封材料的气密性密封封装体构件，密封材料由将纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.005μm～1.0μm的选自金、银、钯、铂中的一种以上的金属粉末烧结而成的烧结体形成，此外，对于从密封区域朝向区域外的任意截面，密封材料的上端长度比下端长度短。作为密封材料的截面形状，可以举出包含具有一定高度的基部和从基部突出的至少一个山部的形状、或以密封材料的下端长度作为底边的近似三角形的山部的形状等。本发明是利用金属粉末烧结体作为密封材料的气密性密封封装体构件，可以在降低气密性密封时的载荷的同时也获得充分的密封效果。
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公开(公告)号：CN103253627A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310059343.0
申请日：2013-02-20
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(马耳他)有限公司
CPC分类号： B81B7/0045 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , B81C1/00325 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L2224/27013 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种用于装配集成器件的工艺，包括：提供集成至少一个电子电路并且具有顶表面的半导体材料的第一本体；提供集成至少一个微机电结构并且具有底表面的半导体材料的第二本体；并且在第一本体上堆叠第二本体，并且在第一本体的顶表面与第二本体的底表面之间插入弹性间隔物材料。在堆叠步骤之前，设想以集成方式在第一本体的顶表面提供限定和间隔结构的步骤，该限定和间隔结构在其内部限定弹性间隔物材料并且在堆叠步骤期间在与第一本体相距一段距离处支撑第二本体。
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公开(公告)号：CN206126836U
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201620518104.6
申请日：2016-05-31
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B81B7/0045 , B81B3/0072 , B81B2201/0228 , B81B2201/025 , B81B2203/0127 , B81B2203/0163 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81C1/00182 , B81C1/00325 , B81C2201/0116 , B81C2201/0173 , B81C2203/0785 , G02B26/0858
摘要： 本申请涉及微机电器件。提供一种微机电器件，形成在半导体材料的单块本体(107)中，该单块本体容纳第一掩埋腔(106)、在第一掩埋腔之上的感应区域(112)以及在感应区域中延伸的第二掩埋腔(109)。去耦合沟槽(111)从单块本体(107)的第一面(107A)延伸远至第一掩埋腔(106)且在横向上环绕第二掩埋腔(109)。去耦合沟槽(111)将感应区域(112)与单块本体的外围部分(104；137)分离。根据本申请实施例的方案，可以提供具有两个腔的MEMS器件。
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公开(公告)号：CN203255963U
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201320088614.0
申请日：2013-02-20
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(马耳他)有限公司
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B7/0045 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , B81C1/00325 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L2224/27013 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种集成器件组件，所述组件包括：具有顶表面的半导体材料的第一本体；限定元件；位于所述限定元件内的间隔元件，具有底表面的半导体材料的第二本体，所述第二本体堆叠于所述第一本体上，并且所述第二本体的所述底表面在所述间隔元件之上；以及弹性间隔物材料，位于所述限定元件内并且包围所述间隔物元件。
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