公开(公告)号：CN104319242A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410579029.X

申请日：2014-10-27

申请人： 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心

发明人： 李杰 ,  车勤 ,  陈希龙 ,  刘昕

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/08 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/0812 ,  H01L2224/08502

摘要： 本发明公开了一种厚膜基板无焊料共晶贴装方法，对基板进行加热，使用芯片吸头拾取芯片，并将芯片对准基板上的焊接区域，在焊接区域上按一定方向进行摩擦，直至芯片的硅材料与基板的金熔合形成金硅共晶体，冷却后形成焊接界面。本发明实现无焊料的共晶焊焊接，有效的降低成本；芯片与基板直接熔合，具有较高的导电率和导热率，改善了电路的性能，可以用于大功率电路；无须进行焊料的涂覆、印刷、焊片的裁剪，生产效率得以提高；芯片硅材料直接与基板导体熔合，具有较高的机械强度和长期可靠性，不会产生放气和二次污染，可以用于高可靠性应用场合。

公开(公告)号：CN103474420B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210359518.5

申请日：2012-09-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08502 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 公开了三维集成电路(3DIC)结构和用于半导体晶圆的混合接合方法。3DIC结构包括第一半导体器件，在第一半导体器件顶面上的第一绝缘材料内设置有第一导电焊盘，在第一导电焊盘的顶面上具有第一凹槽。3DIC结构包括连接至第一半导体器件的第二半导体器件，在第二半导体器件顶面上的第二绝缘材料内设置有第二导电焊盘，在第二导电焊盘的顶面上具有第二凹槽。密封层设置在位于第一凹槽中的第一导电焊盘和位于第二凹槽中的第二导电焊盘之间。密封层将第一导电焊盘接合至第二导电焊盘。第一绝缘材料接合至第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN106206339A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610546341.8

申请日：2016-07-12

申请人： 中南大学

发明人： 王福亮 ,  陈卓 ,  何虎 ,  李军辉 ,  朱文辉

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/485 ,  H01L24/17 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/08502 ,  H01L2224/16175 ,  H01L2224/16502

摘要： 本发明公开了一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置，将上芯片和下芯片之间的微铜柱对准，将上芯片和下芯片加热到倒装键合所需的温度60℃～220℃；将上芯片压在下芯片上，当施加在芯片上的压力达到预期的压力10MPa～30MPa时，开启超声电源并输出大功率1W～6W，并持续时间10ms～200ms；之后再将压力增大到20MPa～80MPa，超声输出功率降低到1W～3W，并保持时间100ms～2000ms，完成了上下芯片微铜柱之间铜铜直接热超声倒装键合。本发明是一种能保证键合界面微结构的形成以及键合后的强度和可靠性的微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置。

公开(公告)号：CN104299922A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410608820.9

申请日：2014-11-03

申请人： 苏州同冠微电子有限公司

发明人： 吴耀辉

IPC分类号： H01L21/60 ,  C23C14/24 ,  C23C14/16

CPC分类号： H01L24/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/08502 ,  H01L2924/01321

摘要： 本发明涉及半导体加工工艺方法。一种背面金属化共晶工艺方法包括如下步骤：1)通过减薄设备对硅晶圆片上进行减薄处理；2)在硅片上表面进行第一次腐蚀处理；3)对硅片进行清洗；4)在硅片上表面进行第二次腐蚀处理；5)将硅片进行冲水甩干；6)对硅片上表面进行金属蒸发处理，在硅片往上依次形成钛金属层、镍金属层和锡锑共晶合金层；7)采用共晶焊接工艺对硅片进行封装处理。本发明背在硅片上进行金属蒸发形成多层金属层，在硅片上的第一层为钛金属层，能与硅片形成良好欧姆接触，第二层为镍金属层能够与钛金属层形成良好接触，第三层为锡锑共晶合金层无剧毒安全可靠，改变了原有背面金属化共晶工艺方法的工艺缺陷，降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN103474420A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210359518.5

申请日：2012-09-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08502 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了三维集成电路(3DIC)结构和用于半导体晶圆的混合接合方法。3DIC结构包括第一半导体器件，在第一半导体器件顶面上的第一绝缘材料内设置有第一导电焊盘，在第一导电焊盘的顶面上具有第一凹槽。3DIC结构包括连接至第一半导体器件的第二半导体器件，在第二半导体器件顶面上的第二绝缘材料内设置有第二导电焊盘，在第二导电焊盘的顶面上具有第二凹槽。密封层设置在位于第一凹槽中的第一导电焊盘和位于第二凹槽中的第二导电焊盘之间。密封层将第一导电焊盘接合至第二导电焊盘。第一绝缘材料接合至第二绝缘材料。