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    METAL PATTERN AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
    21.
    发明公开
    METAL PATTERN AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 有权
    METALLSTRUKTUR UND PROZESS ZU IHRER HERSTELLUNG

    公开(公告)号：EP1667503A4

    公开(公告)日：2009-03-18

    申请号：EP05703506

    申请日：2005-01-13

    申请人： PANASONIC CORP

    发明人： NAKAGAWA TOHRU

    IPC分类号： H05K3/06 ,  C23F1/02 ,  C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  C25D5/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L51/00

    CPC分类号： C25D5/022 ,  C23F1/02 ,  C23F1/14 ,  C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32139 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0022 ,  H05K3/061 ,  H05K2201/015 ,  H05K2201/0239 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/0582 ,  H05K2203/0585 ,  H05K2203/122

    摘要： Metal pattern (13’) obtained through formation on a substrate surface and etching, which metal pattern (13’) has masking film (18) formed through adsorption of a monomolecular film containing fluorinated alkyl chains (CF3(CF2)n-: n is a natural number) on a metal film surface and penetrating of a molecule having mercapto (-SH) or disulfido (-SS-) into interstices between molecules constituting the monomolecular film. This metal pattern is produced by forming a monomolecular film containing fluorinated alkyl chains (CF3(CF2)n-: n is a natural number) on a metal film surface; coating the surface of the monomolecular film with a solution in which a molecule having mercapto (-SH) or disulfido (-SS-) is dissolved so that the molecule having mercapto (-SH) or disulfido (-SS-) penetrates into interstices between molecules constituting the monomolecular film to thereby form a masking film; and exposing the metal film surface to an etching solution to thereby waste metal region devoid of the masking film.

    摘要翻译： 本发明的金属图案是通过蚀刻形成在基板的表面上的金属图案（13'）和含有氟化烷基链（CF 3（CF 2）n - ）的单分子膜，其中n表示自然数） 形成在构成金属图案（13'）的金属膜的表面上，并且通过将具有巯基（-SH）或二硫化物（-SS-）基团的分子穿透而形成掩蔽膜（18） 构成单分子膜的分子之间的间隙。 通过在金属膜的表面上形成含有氟化烷基链（CF 3（CF 2）n - ，其中n表示自然数）的单分子膜; 通过将分子中具有巯基（-SH）或二硫键（-SS-））的分子溶解在单分子膜的表面上形成掩蔽膜，使得具有巯基（-SH） 或二硫化物（-SS-）基团渗透在构成单分子膜的分子之间的间隙中; 并且通过将金属膜的表面暴露于蚀刻溶液来蚀刻金属膜，从而去除未被掩模膜覆盖的区域中的金属膜的一部分。

    Verfahren zur Herstellung eines Musters
    25.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung eines Musters 失效
    制作图案的过程

    公开(公告)号：EP0371924A3

    公开(公告)日：1990-10-31

    申请号：EP89810888.1

    申请日：1989-11-21

    申请人： CIBA-GEIGY AG

    发明人： Banks, Christopher Paul, Dr. ,  Irving, Edward, Dr.

    IPC分类号： H05K3/34 ,  G03F7/00 ,  G03F7/11

    CPC分类号： H05K3/28 ,  G03F7/0384 ,  G03F7/164 ,  H05K2203/0585 ,  H05K2203/135 ,  Y10S430/136

    摘要： Ein Verfahren zur Herstellung eines Musters aus einem elektrisch leitfähigen Material, gekennzeichnet durch
    (i) galvanisches Abscheiden eines Filmes enthaltend ein photohärtbares organisches Harz auf eine elektrisch leitende Oberfläche, (ii) Ausbilden eines vorbestimmten Musters eines Resists auf dem galvanisch abgeschiedenen Film, welches beim Belichten mit aktinischen Strahlen mit den darunterliegenden Bereichen des galvanisch abgeschiedenen Filmes zusammengehärtet wird, und wobei vorbestimmte Bereiche des galvanisch abgeschiedenen Filmes vom Resist unbedeckt bleiben. (iii) Entfernen der unbedeckten Bereiche des galvanisch abgeschiedenen Filmes durch Behandeln mit einem Lösungsmittel dafür, wobei eine Oberfläche entsteht, die in vorbestimmten Bereichen freiliegendes leitfähiges Material aufweist und in anderen vorbestimmten Bereichen den photogehärteten Resist enthält, der durch den dazwischenliegenden, in bestimmten Bereichen galvanisch abgeschiedenen Film fest mit dem leitfähigen Material verbunden ist. Das Verfahren ist zur Herstellung von gedruckten Schaltungen geeignet.

    Verfahren zur Herstellung eines Musters
    26.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung eines Musters 失效
    赫尔斯特朗

    公开(公告)号：EP0371924A2

    公开(公告)日：1990-06-06

    申请号：EP89810888.1

    申请日：1989-11-21

    申请人： CIBA-GEIGY AG

    发明人： Banks, Christopher Paul, Dr. ,  Irving, Edward, Dr.

    IPC分类号： H05K3/34 ,  G03F7/00 ,  G03F7/11

    CPC分类号： H05K3/28 ,  G03F7/0384 ,  G03F7/164 ,  H05K2203/0585 ,  H05K2203/135 ,  Y10S430/136

    摘要： Ein Verfahren zur Herstellung eines Musters aus einem elektrisch leitfähigen Material, gekennzeichnet durch

    (i) galvanisches Abscheiden eines Filmes enthaltend ein photohärtbares organisches Harz auf eine elektrisch leitende Oberfläche,
    (ii) Ausbilden eines vorbestimmten Musters eines Resists auf dem galvanisch abgeschiedenen Film, welches beim Belichten mit aktinischen Strahlen mit den darunterliegenden Bereichen des galvanisch abgeschiedenen Filmes zusammengehärtet wird, und wobei vorbestimmte Bereiche des galvanisch abgeschiedenen Filmes vom Resist unbedeckt bleiben.
    (iii) Entfernen der unbedeckten Bereiche des galvanisch abgeschiedenen Filmes durch Behandeln mit einem Lösungsmittel dafür, wobei eine Oberfläche entsteht, die in vorbestimmten Bereichen freiliegendes leitfähiges Material aufweist und in anderen vorbestimmten Bereichen den photogehärteten Resist enthält, der durch den dazwischenliegenden, in bestimmten Bereichen galvanisch abgeschiedenen Film fest mit dem leitfähigen Material verbunden ist.

    Das Verfahren ist zur Herstellung von gedruckten Schaltungen geeignet.

    摘要翻译： 一种用于从导电材料制造图案的方法，其特征在于（i）在导电表面上电沉积含有光固化性有机树脂的膜，（ii）在预定抗蚀剂图案的电沉积膜上形成，其为 在暴露于光化辐射下与电沉积膜的下面区域一起固化，电沉积膜的未被抗蚀剂覆盖的预定区域，（iii）通过用溶剂处理除去电沉积膜的未覆盖区域 给定在预定区域中含有裸露导电材料的表面和在其它预定区域中的光固化抗蚀剂，光固化抗蚀剂通过电沉积在某些区域中的相互作用的膜牢固地结合到导电材料上。 ... 该方法适用于生产印刷电路。

    Process to obtain thin film lines
    28.
    发明公开
    Process to obtain thin film lines 失效
    获取薄膜线的过程

    公开(公告)号：EP0200237A3

    公开(公告)日：1988-09-07

    申请号：EP86200415

    申请日：1986-03-17

    申请人： SIEMENS TELECOMUNICAZIONI S.P.A.

    发明人： Ferraris, Giampiero ,  Tersalvi, Antonio

    IPC分类号： H01L21/48

    CPC分类号： G03F7/0233 ,  H01L21/4846 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0041 ,  H05K3/108 ,  H05K3/388 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/0577 ,  H05K2203/0585 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1476

    摘要： It is described a process to obtain thin film lines by photolithography of thick resist (3) and subsequent selective galvanic growth of gold which enables to obtain very thin lines (8) (2-10 micron) with high definition, that is with nearly vertical walls (9) and with a tolerance in the width of about 1 micron. Such results have been achieved by using polyimide as thick resist (3), by particular cure cycles of the same polyimide and by a particular dry etching of the polyimide layer (3) to obtain seats (6) in which afterwards the lines (8) become grown.

    摘要翻译： 描述了通过厚光刻胶的光刻法和随后的金选择性电镀生长获得薄膜线的工艺，其能够以高清晰度获得非常细的线（2-10微米），即具有几乎垂直的壁并具有公差 宽度约1微米。 通过使用聚酰亚胺作为厚抗蚀剂，通过相同聚酰亚胺的特定固化循环和通过聚酰亚胺层的特定干法蚀刻来获得其后线生长的座位，已经实现了这些结果。