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    Metallization in semiconductor devices
    2.
    发明公开
    Metallization in semiconductor devices 失效
    金属化半导体器件

    公开(公告)号：EP0875928A3

    公开(公告)日：1998-12-30

    申请号：EP98104745.9

    申请日：1998-03-17

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Tobben, Dirk ,  Spuler, Bruno ,  Gutsche, Martin ,  Weigand, Peter

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/321

    CPC分类号： H05K3/061 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838 ,  H05K1/0284 ,  H05K2201/09018 ,  H05K2203/0585

    摘要： A method for forming a plurality of electrically conductive wires on a substrate. The method includes forming a relatively non-planar metal layer over a surface of the substrate. A self-planarizing material is deposited over the metal layer. The self-planarizing material forms a planarization layer over the surface of the metal layer. The planarization layer has a surface relatively planar compared to the relatively non-planar metal layer. A photoresist layer is deposited over the surface of the planarization layer. The photoresist layer is patterned with a plurality of grooves to form a mask with such grooves exposing underling portions of the planarization layer. The photoresist mask is used as a mask to etch grooves in the exposed portions of the planarization layer and thereby form a second mask. The second mask exposes underling portions of the relatively non-planar metal layer. The second mask is used to etch grooves in the relatively non-planar conductive metal layer and thereby form the plurality of electrically conductive wires in the metal layer. The wires are separated from each other by the grooves formed in the relatively non-planar metal layer. The planarization layer is formed by a spinning-on an organic polymer, for example an organic polymer having silicon, or a flowable oxide, or a hydrogensilsequioxane, or divinyl-siloxane-benzocyclobutene. The metal layer is etched using reactive ion etching. The planarization layer is removed using a wet chemical etch.

    Method of forming fine patterns
    3.
    发明公开
    Method of forming fine patterns 失效
    维尔法赫恩·赫尔斯滕

    公开(公告)号：EP0410274A2

    公开(公告)日：1991-01-30

    申请号：EP90113687.9

    申请日：1990-07-17

    申请人： DAI NIPPON INSATSU KABUSHIKI KAISHA

    发明人： Takeuchi, Satoshi, c/o DAI NIPPON INSATSU K.K.

    IPC分类号： H05K3/06 ,  C23F1/02

    CPC分类号： B41M1/00 ,  B41M3/00 ,  C23F1/02 ,  C25D5/022 ,  H05K3/0082 ,  H05K3/061 ,  H05K3/064 ,  H05K2203/0117 ,  H05K2203/0537 ,  H05K2203/0551 ,  H05K2203/0585 ,  H05K2203/0726 ,  H05K2203/135

    摘要： A fine pattern is formed by the following steps. A prescribed mask pattern of an electrically insulative material (3, 5, 8) is formed on an electroconductive surface of a base plate (2) of a printing plate (1), so that the part, other than the mask pattern, of the printing plate becomes an electroconductive printing pattern part . Then, the printing plate (1) is electrolized and the electrodeposition substance (14) is deposited on the electroconductive printing pattern part of the printing plate (1). Then, the deposited substance (14) is transferred onto the surface of a printing object (20) such as a plate of glass or plastic, for forming a pattern thereon. Thereafter, the surface of the printing object (20) is etched with the electrodeposited substance (14) thus transferred as an erosion resistant material.

    摘要翻译： 通过以下步骤形成精细图案。 在印版（1）的基板（2）的导电表面上形成电绝缘材料（3,5,8）的规定的掩模图案，使得除了掩模图案之外的部分 印版成为导电印刷图案部分。 然后，在含有电沉积物质的电解质（11）中进行电解，该电解质（11）作为成分，印刷板作为一个电极（1）和相对的电极（12）都浸没在电解质（11）中，使得 电沉积物质（14）沉积在印版（1）的导电印刷图案部分上。 此后，将印版（1）从电解质（11）中取出，洗涤并干燥。 然后，将沉积物质（14）转印到诸如玻璃或塑料的印刷对象（20）的表面上，以在其上形成图案。 此后，用作为耐腐蚀材料转印的电沉积物质（14）蚀刻印刷对象（20）的表面。 将电沉积物质（14）从印版（1）转印到印刷对象（20）的表面上，随后蚀刻印刷物体表面，能够准确地再现印刷对象上的精细图案 。

    Process to obtain thin film lines
    5.
    发明公开
    Process to obtain thin film lines 失效
    Verfahren zum Erhalten vonDünnschichtlinien。

    公开(公告)号：EP0200237A2

    公开(公告)日：1986-11-05

    申请号：EP86200415.7

    申请日：1986-03-17

    申请人： SIEMENS TELECOMUNICAZIONI S.P.A.

    发明人： Ferraris, Giampiero ,  Tersalvi, Antonio

    IPC分类号： H01L21/48

    CPC分类号： G03F7/0233 ,  H01L21/4846 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0041 ,  H05K3/108 ,  H05K3/388 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/0577 ,  H05K2203/0585 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1476

    摘要： It is described a process to obtain thin film lines by photolithography of thick resist (3) and subsequent selective galvanic growth of gold which enables to obtain very thin lines (8) (2-10 micron) with high definition, that is with nearly vertical walls (9) and with a tolerance in the width of about 1 micron. Such results have been achieved by using polyimide as thick resist (3), by particular cure cycles of the same polyimide and by a particular dry etching of the polyimide layer (3) to obtain seats (6) in which afterwards the lines (8) become grown.

    摘要翻译： 描述了通过厚光刻胶的光刻法和随后的金选择性电镀生长获得薄膜线的工艺，其能够以高清晰度获得非常细的线（2-10微米），即具有几乎垂直的壁并具有公差 宽度约1微米。 通过使用聚酰亚胺作为厚抗蚀剂，通过相同聚酰亚胺的特定固化循环和通过聚酰亚胺层的特定干法蚀刻来获得其后线生长的座位，已经实现了这些结果。

    Metallization in semiconductor devices
    9.
    发明公开
    Metallization in semiconductor devices 失效
    Metallisierung在Halbleitervorrichtungen

    公开(公告)号：EP0875928A2

    公开(公告)日：1998-11-04

    申请号：EP98104745.9

    申请日：1998-03-17

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Tobben, Dirk ,  Spuler, Bruno ,  Gutsche, Martin ,  Weigand, Peter

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/321

    CPC分类号： H05K3/061 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838 ,  H05K1/0284 ,  H05K2201/09018 ,  H05K2203/0585

    摘要： A method for forming a plurality of electrically conductive wires on a substrate. The method includes forming a relatively non-planar metal layer over a surface of the substrate. A self-planarizing material is deposited over the metal layer. The self-planarizing material forms a planarization layer over the surface of the metal layer. The planarization layer has a surface relatively planar compared to the relatively non-planar metal layer. A photoresist layer is deposited over the surface of the planarization layer. The photoresist layer is patterned with a plurality of grooves to form a mask with such grooves exposing underling portions of the planarization layer. The photoresist mask is used as a mask to etch grooves in the exposed portions of the planarization layer and thereby form a second mask. The second mask exposes underling portions of the relatively non-planar metal layer. The second mask is used to etch grooves in the relatively non-planar conductive metal layer and thereby form the plurality of electrically conductive wires in the metal layer. The wires are separated from each other by the grooves formed in the relatively non-planar metal layer. The planarization layer is formed by a spinning-on an organic polymer, for example an organic polymer having silicon, or a flowable oxide, or a hydrogensilsequioxane, or divinyl-siloxane-benzocyclobutene. The metal layer is etched using reactive ion etching. The planarization layer is removed using a wet chemical etch.

    摘要翻译： 一种在基板上形成多根导电线的方法。 该方法包括在衬底的表面上形成相对非平面的金属层。 在金属层上沉积自平面化材料。 自平面化材料在金属层的表面上形成平坦化层。 与相对非平面的金属层相比，平坦化层具有相对平坦的表面。 在平坦化层的表面上沉积光致抗蚀剂层。 光刻胶层用多个凹槽构图以形成掩模，该凹槽暴露出平坦化层的下部。 光致抗蚀剂掩模用作掩模以蚀刻平坦化层的暴露部分中的凹槽，从而形成第二掩模。 第二掩模暴露相对非平面金属层的下层部分。 第二掩模用于蚀刻相对非平面导电金属层中的凹槽，从而在金属层中形成多个导电线。 电线通过在相对非平面的金属层中形成的凹槽彼此分离。 平面化层是通过旋涂有机聚合物，例如具有硅的有机聚合物，或可流动的氧化物，或氢化二恶烷，或二乙烯基 - 硅氧烷 - 苯并环丁烯形成的。 使用反应离子蚀刻蚀刻金属层。 使用湿化学蚀刻去除平坦化层。

    Verfahren zur Herstellung von metallischen Mustern
    10.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung von metallischen Mustern 失效
    Verfahren zur Herstellung von metallischen Mustern。

    公开(公告)号：EP0294325A2

    公开(公告)日：1988-12-07

    申请号：EP88810322.3

    申请日：1988-05-20

    申请人： CIBA-GEIGY AG

    发明人： Demmer, Christopher George, Dr. ,  Irving, Edward, Dr. ,  Banks, Christopher Paul, Dr.

    IPC分类号： H05K3/02 ,  H05K3/06 ,  H05K3/34 ,  G03F7/00

    CPC分类号： G03F7/00 ,  H05K3/0023 ,  H05K3/061 ,  H05K3/28 ,  H05K2203/0582 ,  H05K2203/0585 ,  H05K2203/0783 ,  H05K2203/135

    摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung von metallischen Mustern, wobei ein Substrat eingesetzt wird, dass auf einer Oberfläche ein in vorbestimmten Mustern freiliegendes Metall und in den restlichen Flächen ein mit einem ersten Resist bedecktes Metall aufweist. Das Verfahren umfasst die Schritte

    i) Schutz des freiliegenden Metalls durch galvanisches Abscheiden eines Harzfilms auf besagtem Metall,
    ii) Entfernen des ersten Resists von besagten Flächenanteilen durch Ver­wendung eines Lösungsmittels, welches den galvanisch abgeschiedenen Film nicht entfernt,
    iii) Aetzen des in Schritt ii) freigelegten Metalls unter Verwendung eines Aetzmittels, das den galvanisch abgeschiedenen Film nicht entfernt,
    iv) Herstellen einer Schicht eines zweiten Resists in einem vorbestimmten Muster über dem galvanisch abgeschiedenen Film, wobei Flächenanteile besagten galvanisch abgeschiedenen Films durch besagten Resist nicht bedeckt werden, und
    v) Entfernen der unbedeckten Flächenanteile des galvanisch abgeschiedenen Films durch Behandlung mit einem Lösungsmittel dafür.

    Mit dem Verfahren lassen sich gedruckte Schaltungen herstellen.

    摘要翻译： 使用在一个表面上具有预定图案的裸露金属的基底和在其余表面上被第一抗蚀剂覆盖的金属制备金属图案。 在该过程中，i）通过在所述金属上电沉积树脂膜来保护裸露的金属，ii）通过使用不除去电沉积膜的溶剂从所述表面部分去除第一抗蚀剂，iii）暴露于 步骤ii）使用不除去电沉积膜的蚀刻剂进行蚀刻，iv）以预定图案在电沉积膜上方制备第二抗蚀剂层，所述电沉积膜的表面部分不被所述抗蚀剂覆盖，v ）通过用它们的溶剂处理除去电沉积膜的未覆盖的表面部分。 可以通过该过程生产印刷电路。