公开(公告)号：EP2390904A3

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：EP11162103.3

申请日：2011-04-12

申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG

发明人： Augustin, Karlheinz ,  Göbl, Christian ,  Faltenbacher, Josef ,  Sagebaum, Ulrich ,  Dr. Stockmeier, Thomas

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/3303 ,  H01L2224/331 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205

摘要： Die Anmeldung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zu deren Herstellung. Diese weist einen ersten und einem zweiten Verbindungspartner auf, die mittels einer Niedertemperatur-Drucksinterverbindung miteinander stoffschlüssig mittels einer Sintermetallschicht verbunden sind. Die Verfahrensschritte sind: Bereitstellen eines ersten Verbindungspartners mit einer ersten Kontaktfläche. Aufbringen einer Schicht aus einer Sinterpaste, bestehend aus Sintermetallpartikeln und einem Lösungsmittel, auf die erste Kontaktfläche. Temperaturbeaufschlagung der Sinterpaste und Austreiben des Lösungsmittels unter Bildung der Sinterschicht. Aufbringen einer Flüssigkeit auf der Sinterschicht. Anordnen des zweiten Verbindungspartners. Anordnen eines Adhäsionsmittels im Randbereich der Sinterschicht und des zweiten Verbindungspartners mit Kontakt zum ersten Verbindungspartner zur Fixierung der Verbindungspartner zueinander. Weitere Beaufschlagung der Anordnung mit Temperatur und Druck zur Ausbildung der stoffschlüssigen Niedertemperatur-Drucksinterverbindung zwischen den Verbindungspartnern, wobei die Sinterschicht zur homogenen Sintermetallschicht umgewandelt wird.

公开(公告)号：EP2405474A4

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：EP10748829

申请日：2010-03-05

申请人： TANAKA PRECIOUS METAL IND

发明人： OGASHIWA TOSHINORI ,  MIYAIRI MASAYUKI

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11442 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： A two-layer structure bump including a first bump layer of a bulk body of a first conductive metal, which is any of gold, copper, and nickel, formed on a substrate and a second bump layer of a sintered body of a powder of a second conductive metal, which is any of gold and silver, formed on the first bump layer. The bulk body composing the first bump layer is formed through any of plating, sputtering, or CVD. The sintered body composing the second bump layer is formed by sintering the powder of the second conductive metal having a purity of not lower than 99.9 wt% and an average particle diameter of 0.005 µm to 1.0 µm. The second bump layer has a Young's modulus 0.1 to 0.4 times that of the first bump layer.

公开(公告)号：EP2405474A1

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：EP10748829.8

申请日：2010-03-05

申请人： Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K.

发明人： OGASHIWA, Toshinori ,  MIYAIRI, Masayuki

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11442 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： A two-layer structure bump including a first bump layer of a bulk body of a first conductive metal, which is any of gold, copper, and nickel, formed on a substrate and a second bump layer of a sintered body of a powder of a second conductive metal, which is any of gold and silver, formed on the first bump layer. The bulk body composing the first bump layer is formed through any of plating, sputtering, or CVD. The sintered body composing the second bump layer is formed by sintering the powder of the second conductive metal having a purity of not lower than 99.9 wt% and an average particle diameter of 0.005 µm to 1.0 µm. The second bump layer has a Young's modulus 0.1 to 0.4 times that of the first bump layer.

摘要翻译： 的双层结构凸块包括第一导电金属的堆积体的第一凸块层，所有这些是任何的金，铜和镍，形成在基板和的粉末的烧结体的第二凸块层 第二导电金属，所有这些是任何的金，银，形成在第一凸块层上。 的块体构成的第一凸块层是通过任何电镀法，溅射法，或CVD形成。 的烧结体构成的第二凸块层通过烧结具有不低于99.9％（重量）和0.005微米的平均粒径为1.0微米的纯度第二导电金属的粉末而形成。 第二凸块层的杨氏模量为0.1〜0.4倍那样的第一凸块层的。

公开(公告)号：EP2957366B1

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：EP14172993.9

申请日：2014-06-18

申请人： Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG

发明人： Schäfer, Michael ,  Schmitt, Wolfgang ,  Heilmann, Albert ,  Nachreiner, Jens

IPC分类号： B22F1/00 ,  B23K35/02 ,  H01L23/00 ,  B22F7/04 ,  B23K35/34 ,  B23K35/36 ,  B23K35/365

CPC分类号： B22F1/0062 ,  B22F7/064 ,  B22F2001/0066 ,  B23K35/025 ,  B23K35/34 ,  B23K35/3602 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/365 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27422 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：EP2390904A2

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：EP11162103.3

申请日：2011-04-12

申请人： SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG

发明人： Augustin, Karlheinz ,  Göbl, Christian ,  Faltenbacher, Josef ,  Sagebaum, Ulrich ,  Dr. Stockmeier, Thomas

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/3303 ,  H01L2224/331 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205

摘要： Die Anmeldung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zu deren Herstellung. Diese weist einen ersten und einem zweiten Verbindungspartner auf, die mittels einer Niedertemperatur-Drucksinterverbindung miteinander stoffschlüssig mittels einer Sintermetallschicht verbunden sind. Die Verfahrensschritte sind: Bereitstellen eines ersten Verbindungspartners mit einer ersten Kontaktfläche. Aufbringen einer Schicht aus einer Sinterpaste, bestehend aus Sintermetallpartikeln und einem Lösungsmittel, auf die erste Kontaktfläche. Temperaturbeaufschlagung der Sinterpaste und Austreiben des Lösungsmittels unter Bildung der Sinterschicht. Aufbringen einer Flüssigkeit auf der Sinterschicht. Anordnen des zweiten Verbindungspartners. Anordnen eines Adhäsionsmittels im Randbereich der Sinterschicht und des zweiten Verbindungspartners mit Kontakt zum ersten Verbindungspartner zur Fixierung der Verbindungspartner zueinander. Weitere Beaufschlagung der Anordnung mit Temperatur und Druck zur Ausbildung der stoffschlüssigen Niedertemperatur-Drucksinterverbindung zwischen den Verbindungspartnern, wobei die Sinterschicht zur homogenen Sintermetallschicht umgewandelt wird.

摘要翻译： 基板烧结浆料，其包含烧结的金属颗粒和溶剂施加在接触在哪一个（10）设置区域（16）。 烧结层是通过加热为规定温度的烧结膏并除去溶剂来形成。 甘油被应用于烧结层上。 一种功率半导体器件（50）被放置在接触烧结层的面积，并且是固定的，通过密合性的化合物（60,62）底物：如有机硅粘合剂。 烧结层被转换成由预设压力的应用烧结金属层（34）。 一个独立的claimsoft包括功率半导体元件的布置。

公开(公告)号：EP2148363A2

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：EP09008710.7

申请日：2009-07-03

申请人： Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung

发明人： Fey, Tobias ,  Göbl, Christian ,  Braml, Heiko ,  Hermann, Ulrich

IPC分类号： H01L21/60 ,  B23K35/02

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3602 ,  B23K2201/36 ,  C22C32/0021 ,  H01B1/22 ,  H01L23/049 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/72 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83222 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15787 ,  H05K3/321 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/20271 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： Die Erfindung beschreibt ein Edelmetallverbindungsmittel mit einem Feststoffanteil und einem Flüssiganteil mit einem zugeordneten Mischungsverhältnis in Volumenprozent von 99,5:0,5 bis 80:20 der beiden. Hierbei weist der Feststoffanteil einen Volumenanteil an einer ersten Komponente Silber von 60% bis 95% und einen Volumenanteil an einer zweiten Komponente Silberoxid von 5% bis 40% auf. Die jeweiligen Komponenten des Feststoffanteils liegen als Partikel mit Längenabmessungen zwischen 50nm und 20µm vor. Die Verwendung des Edelmetallverbindungsmittels dient der Ausbildung einer stoffschlüssigen Verbindung zweier metallischer Verbindungspartner, wobei die Ausbildung der Verbindung durch Wärmeeinwirkung erfolgt.

摘要翻译： 贵金属紧固件（60，62）包括固体和由99.5两种组分的体积与混合比相关联的液体成分：0.5-80：20，其中该固体组分在60-95（体积）包含银作为第一组分 ％和氧化银作为在5-40体积％的第二组分和固体组分的颗粒的respectivement部件具有50nm至20微米的线性尺寸。 一个独立的claimsoft包括用于贵金属的紧固件，其包括应用程序（I）的方法：在上的第一连接伙伴的第一表面上的金属层的形式布置的（I）; 在所述层的第二表面上的第二连接伙伴的装置; 和热加载与170〜230℃]℃的温度下该层，以产生在所述两个连接伙伴之间导电连接。

公开(公告)号：EP2987876A4

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：EP13882069

申请日：2013-04-18

申请人： SENJU METAL INDUSTRY CO

发明人： TACHIBANA KEN ,  NOMURA HIKARU

IPC分类号： C22C13/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  H05K3/34

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/264 ,  C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01109 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15701 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： To provide a Sn-Bi-Cu-Ni series lead-free solder alloy which has a low melting point, good ductility and high tensile strength, suppresses strain in the substrate by suppressing generation of P-rich layer on a joining interface to have high shear strength and is superior in joining reliability. In order to suppress diffusion of Cu and Ni in an electrode and to maintain elongation and wettability of the solder alloy, a solder alloy has an alloy composition containing 31 to 59 mass % of Bi, 0.3 to 1.0 mass % of Cu, 0.01 to 0.06 mass % of Ni and balance of Sn.

摘要翻译： 为了提供具有低熔点，良好延展性和高拉伸强度的Sn-Bi-Cu-Ni系无铅钎料合金，通过抑制在接合界面上产生富P层从而抑制基板中的应变 剪切强度高，接合可靠性优异。 为了抑制Cu和Ni在电极中的扩散并保持焊料合金的伸长率和润湿性，焊料合金具有如下合金组成：合金组成包含31至59质量％的Bi，0.3至1.0质量％的Cu，0.01至0.06 Ni的质量百分比和Sn的余量。

公开(公告)号：EP2987876A1

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：EP13882069.1

申请日：2013-04-18

申请人： Senju Metal Industry Co., Ltd

发明人： TACHIBANA Ken ,  NOMURA Hikaru

IPC分类号： C22C13/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/264 ,  C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01109 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15701 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： To provide a Sn-Bi-Cu-Ni series lead-free solder alloy which has a low melting point, good ductility and high tensile strength, suppresses strain in the substrate by suppressing generation of P-rich layer on a joining interface to have high shear strength and is superior in joining reliability.
In order to suppress diffusion of Cu and Ni in an electrode and to maintain elongation and wettability of the solder alloy, a solder alloy has an alloy composition containing 31 to 59 mass % of Bi, 0.3 to 1.0 mass % of Cu, 0.01 to 0.06 mass % of Ni and balance of Sn.

摘要翻译： 为了提供具有低熔点，良好延展性和高拉伸强度的Sn-Bi-Cu-Ni系无铅焊料合金，通过抑制在接合界面上产生富P层从而抑制基板中的应变，使其具有高 剪切强度，连接可靠性优异。 为了抑制电极中Cu和Ni的扩散，并且为了保持焊料合金的伸长率和润湿性，焊料合金具有合金组成，其含有Bi为31〜59质量％，Cu为0.3〜1.0质量％，0.01〜0.06 Ni的质量％和Sn的平衡。

公开(公告)号：EP2147739A2

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：EP09008711.5

申请日：2009-07-03

申请人： Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung

发明人： Tobias, Fey

IPC分类号： B23K35/02 ,  H01B1/22 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  H01B1/22 ,  H01L23/049 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/72 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83222 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/20271 ,  H01L2924/00014

摘要： Die Erfindung beschreibt ein Edelmetallverbindungsmittel in Folienform, sein Herstellungsverfahren sowie ein Verfahren zur Anwendung. Das Edelmetallverbindungsmittel weist eine Feststoffanteil und einen Flüssiganteil mit einem zugeordneten Mischungsverhältnis in Volumenprozent von 99,8:0,2 bis 95:5 der beiden auf, wobei der Feststoffanteil einen Volumenanteil an einer ersten Komponente Silber von mindestens 60% aufweist und wobei der Flüssiganteil aus einer Lösungsmittelkomponente und mindestens einem hierin gelösten organischen Bindemittel besteht. Die erste Komponente des Feststoffanteils liegt als Partikel mit einer Längenabmessung zwischen 50nm und 20µm liegt. Die Herstellung der Folie erfolgt nach einem Foliengussverfahren und deren Verwendung in der Ausbildung einer stoffschlüssigen Verbindung durch Wärmeeinwirkung.

摘要翻译： 。贵金属紧固件（110）在箔（100）的形式包括固体派与液体馏分与体积％CORRESPONDING 99.8混合比：0.2-95：5，其中所述固体部分包含至少60体积％。 银，作为第一组分，和液体馏分包含的溶剂成分，并在溶剂至少在有机粘合剂溶解，并且固体部分的第一组分中存在作为具有50nm至20微米的长度尺寸的颗粒。 一个独立的claimsoft包括用于生产在箔的形式贵金属紧固件，包括具有在固体部分的体积％的液体馏分的混合比加入贵金属的紧固件的过程95：5-70：30吨 运输装置（130），完全呼叫从贵金属紧固件排出溶剂，并分离从运输装置的箔。

公开(公告)号：EP0985231A1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：EP98922344.1

申请日：1998-05-14

申请人： FORMFACTOR, INC.

发明人： PEDERSEN, David, V. ,  KHANDROS, Igor, Y.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/522 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/72 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11426 ,  H01L2224/1143 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/145 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/381 ,  H05K3/4092 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01104 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/114

摘要： Microelectronic contact structures (260, 360, 460) are lithographically defined and fabricated by applying a masking layer (220, 320, 420) on a surface of a substrate (202, 302, 402) such as an electronic component, creating an opening (222, 322, 422) in the masking layer, depositing a conductive trace of a seed layer (250, 350, 450) onto the masking layer and into the openings, and building up a mass of conductive material on the conductive trace. The sidewalls of the opening can be sloped (tapered). The conductive trace can be patterned by depositing material through a stencil or shadow mask (240, 340, 440). A protruding feature (230, 430) may be disposed on the masking layer so that a tip end (264, 364, 464) of the contact structure acquires a topography. All of these elements can be constructed as a group to form a plurality of precisely positioned resilient contact structures.

摘要翻译： 微电子接触结构（260,360,460）通过在诸如电子部件的基板（202,302,402）的表面上施加掩模层（220,320,420）而光刻地限定和制造，从而形成开口 222,322,422），将种子层（250,350,450）的导电迹线沉积到所述掩蔽层上并进入所述开口中，并且在所述导电迹线上建立大量导电材料。 开口的侧壁可以是倾斜的（渐缩的）。 导电迹线可以通过沉积材料通过模板或荫罩（240,340,440）进行图案化。 突出特征（230,430）可以设置在掩蔽层上，使得接触结构的尖端（264,364,464）获取形貌。 所有这些元件可以构造成一组以形成多个精确定位的弹性接触结构。