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    スパッタリング装置および基板処理装置
    23.
    发明专利
    スパッタリング装置および基板処理装置 有权
    溅射装置和底板处理装置

    公开(公告)号：JP2016166426A

    公开(公告)日：2016-09-15

    申请号：JP2016087356

    申请日：2016-04-25

    申请人： キヤノンアネルバ株式会社

    发明人： 石原 繁紀 ,  小長 和也 ,  戸谷 寛行 ,  須田 真太郎 ,  安松 保志 ,  藤本 雄 ,  中澤 俊和 ,  中村 英司 ,  今井 慎

    IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/34

    CPC分类号： H01J37/3417 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3447

    摘要： 【課題】搬送チャンバの周囲への配置に有利で、かつ、使用するターゲットの位置によって生じうるスパッタリング特性の差を低減するスパッタリング装置の提供。 【解決手段】スパッタリング装置100は、チャンバ7と、基板を保持する面に直交する軸8を中心として回転可能な基板ホルダと、第1〜第4ターゲットホルダ91〜94とを有し、4つのターゲットのうちスパッタリングに使用するターゲットを選択するシャッターユニットを備える。ゲートバルブ6を介してチャンバ7の内部空間と外部空間との間で基板が搬送される。第1〜第4ターゲットホルダ91〜94は、軸8を中心とする1つの仮想円VCに内接する仮想長方形の頂点上に配置され、第1および第2ターゲットホルダ91、92は、仮想長方形の短辺を定める2つの頂点に配置され、かつ、ゲートバルブ6までの距離が第3および第4ターゲットホルダ93、94からゲートバルブ6までの距離より小さい。 【選択図】図1A

    摘要翻译： 要解决的问题：为了提供有利于对转移室的周围的布置有利的溅射装置，并且减少溅射性能的差异，所述差异是由所使用的靶的位置引起的。解决方案：溅射装置100包括： 一个房间7; 能够围绕与基板保持平面正交的轴8旋转的基板保持件; 第一至第四目标持有人91-94; 以及在四个靶中选择用于溅射的靶的快门单元。 基板经由闸阀6在腔室7的内部空间和外部空间之间传递。第一至第四目标保持器91-94被布置在虚拟矩形的顶部上，虚拟矩形的内部具有围绕轴线8的一个虚拟圆圈VC 第一和第二目标保持器91,92被布置在确定虚拟矩形的短边的两个顶部上，并且布置在比第三和第四目标保持器93,94至距离闸阀6的距离短的距离处 闸阀6.选择图：图1A

    スパッタリング装置
    29.
    发明专利
    スパッタリング装置 审中-公开
    溅射装置

    公开(公告)号：JP2015214715A

    公开(公告)日：2015-12-03

    申请号：JP2012178193

    申请日：2012-08-10

    申请人： キヤノンアネルバ株式会社

    发明人： 佐々木 雅夫

    IPC分类号： C23C14/35

    CPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/352 ,  C23C14/54 ,  C23C14/562

    摘要： 【課題】膜厚分布を改善する制御方法を簡便に変更できるスパッタリング装置を提供する 【解決手段】本発明のスパッタリング装置100は、搬送ローラー3上を搬送される基板に対して順次成膜するためのターゲット4を保持するべく、基板の搬送方向に配列された3つ以上カソード隔壁9と、基板搬送速度及び成膜処理の際に使用されるターゲット4の数に応じて、マグネット駆動装置11を制御する複数の制御方法の中から、最も均一な膜厚分布が得られるものを選択し実行する制御選択ユニット25とを備えている。 【選択図】図14

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种允许容易地改变控制方法以改善膜厚度分布的溅射装置。解决方案根据本发明的溅射装置100包括：三个或更多个阴极分隔壁9，其沿基板输送方向 保持用于顺序地将胶片沉积到在输送辊3上输送的基板上的目标4; 以及控制选择单元25，其根据运送速度和用于沉积处理的目标4的数量来选择并执行在用于控制磁体驱动单元11的多个控制方法中提供最均匀的膜厚度分布的控制方法。