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公开(公告)号:JPWO2017098879A1
公开(公告)日:2018-02-15
申请号:JP2017547582
申请日:2016-11-17
申请人: DIC株式会社
IPC分类号: C08G59/06 , C08J5/24 , C08K3/00 , C08L63/00 , C09J7/20 , C09J163/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC分类号: C07D303/27 , C07D303/28 , C08G59/06 , C08J5/24 , C08K3/00 , C09J7/20 , C09J163/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H05K1/03 , H05K3/46
摘要: 高い流動性を有しながら、得られる硬化物が耐熱性と耐湿熱性に優れるエポキシ樹脂、エポキシ樹脂の製造方法、その硬化物及び用途を提供すること。下記構造式(1)で表されるエポキシ樹脂であって、GPC測定においてn=0とn=1の間に現れるピークPのピーク面積がn=0のピーク面積に対し、0.0100倍以上、0.0750倍以下であるように構成した。[Gはグリシジル基、R1は、水素原子、炭素数が1〜4のアルキル基、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、ハロゲン置換フェニル基のいずれか、*はナフタレン環上の結合可能な何れかの炭素原子に結合していることを示し、nは繰り返し数で、平均値0〜10]
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公开(公告)号:JPWO2017110373A1
公开(公告)日:2017-12-28
申请号:JP2017512398
申请日:2016-11-28
申请人: 住友ベークライト株式会社
IPC分类号: H01L23/29 , C08K3/36 , C08L101/00 , H01L23/31
CPC分类号: C08K3/36 , C08L79/00 , C08L101/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 封止用樹脂組成物は、SiC、GaN、Ga2O3、またはダイヤモンドにより形成されたパワー半導体素子を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、熱硬化性樹脂(A)と、シリカ(B)と、を含み、前記シリカ(B)がFeを含んでおり、前記Feの含有量が、前記シリカ(B)全量に対して220ppm以下であり、顆粒状、タブレット状またはシート状である。
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公开(公告)号:JP2017224711A
公开(公告)日:2017-12-21
申请号:JP2016118868
申请日:2016-06-15
申请人: 株式会社 日立パワーデバイス
IPC分类号: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L23/29
CPC分类号: H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L2224/0603 , H01L2224/4847 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/4917 , H01L2224/73265
摘要: 【課題】シリコンよりもバンドギャップの大きなワイドバンドギャップ半導体材料を使用した半導体装置において、半導体チップの外端部近傍での電界強度を緩和する構造を実現することによって、半導体装置の信頼性を向上する。 【解決手段】半導体チップCHP1aの側面は、第1角を含む領域R1と、第2角を含む領域R2と、領域R1と領域R2とに挟まれた領域R3から構成されている。このとき、領域R3における耐高電界封止部材MRの最小膜厚をt1とし、領域R1における耐高電界封止部材MRの最大膜厚をt2とする場合、t2≦1.5×t1の関係が成立する。 【選択図】図25
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公开(公告)号:JPWO2017098927A1
公开(公告)日:2017-12-07
申请号:JP2017539688
申请日:2016-11-24
IPC分类号: C08G14/073 , B32B15/08 , B32B27/00 , C07D265/16 , C08J5/24 , C08L61/34 , H01L23/29 , H01L23/31 , H05K1/03 , H05K3/46
摘要: 本発明は、芳香環構造と、複数の特定された炭素−炭素間三重結合構造を有する基を有することを特徴とする、特定構造を有するオキサジン化合物を提供する。また、本発明は、本発明の特定構造を有するオキサジン化合物を含有する組成物、該組成物を含有する硬化物、該硬化物層を有する積層体を提供する。また、本発明は、本発明のオキサジン化合物を含有する組成物を含有することを特徴とする耐熱材料用組成物、および電子材料用組成物を提供する。
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公开(公告)号:JPWO2016136243A1
公开(公告)日:2017-11-30
申请号:JP2017501936
申请日:2016-02-23
申请人: 東レ・ダウコーニング株式会社
摘要: 本発明の硬化性粒状シリコーン組成物は、(A)軟化点が30℃以上であり、ヒドロシリル化反応性基および/またはラジカル反応性基を有するホットメルト性シリコーン微粒子、(B)軟化点を有さないか又は前記(A)成分の軟化点以下では軟化しないフィラー、および(C)硬化剤から少なくともなり、好ましくは、ペレット状である。本発明の硬化性粒状シリコーン組成物は、ホットメルト性を有し、取扱い作業性および硬化性が優れる。
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公开(公告)号:JP6237906B2
公开(公告)日:2017-11-29
申请号:JP2016543102
申请日:2016-03-25
申请人: 東レ株式会社
CPC分类号: C08J5/18 , C08K3/00 , C08K5/544 , C08L101/00 , C09J11/02 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J133/04 , C09J201/00 , C09J7/00 , C09J7/20 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2224/73204 , H01L2924/181
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公开(公告)号:JP6224188B1
公开(公告)日:2017-11-01
申请号:JP2016155779
申请日:2016-08-08
申请人: 太陽インキ製造株式会社
摘要: 【課題】半導体ウェハや半導体パッケージ、とりわけ、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ(FO−WLP)におけるウェハないしパッケージの反りを低減できる半導体封止材を提供する。 【解決手段】熱硬化性成分(A)と、活性エネルギー線硬化性成分(B)とを少なくとも含む半導体用封止材であって、活性エネルギー線に晒されない環境下で、150℃で10分間加熱処理を行った後の半導体用封止材を25℃中で波長351nmを含む紫外線を1J/cm 2 を照射した際の発熱量α(J/g)が、1≦α(J/g)であることを特徴とする。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JPWO2016136741A1
公开(公告)日:2017-09-28
申请号:JP2017502386
申请日:2016-02-23
申请人: 日立化成株式会社
发明人: 裕介 渡瀬 , 裕介 渡瀬 , 野村 豊 , 豊 野村 , 弘邦 荻原 , 弘邦 荻原 , 知世 金子 , 知世 金子 , 正也 鳥羽 , 正也 鳥羽 , 鈴木 雅彦 , 雅彦 鈴木 , 藤本 大輔 , 大輔 藤本
摘要: 本発明の封止用フィルムは、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)ブタジエン系ゴム及びシリコーン系ゴムからなる群より選択される1種以上のエラストマー、並びに(D)無機充填材を含有し、(C)成分の含有量が、(A)成分、(B)成分、(C)成分及び(D)成分の総質量を基準として、0.5〜7.0質量%である。
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公开(公告)号:JP6197187B1
公开(公告)日:2017-09-20
申请号:JP2017507015
申请日:2016-07-21
申请人: パナソニックIPマネジメント株式会社
摘要: 半導体封止用樹脂組成物は、式(1)で示されるホスホニウム塩、エポキシ樹脂、硬化剤、及び無機充填材を含有する。式(1)中、R 1 〜R 3 は炭素数6〜12のアリール基、R 4 は炭素数1〜4のアルキル基、R 6 及びR 8 はカルボキシル基又は水酸基、R 5 及びR 7 は水素又は炭素数1〜4のアルキル基、R 9 及びR 11 は水素、R 10 はカルボキシル基又は水酸基であり、r≦1である。この樹脂組成物において、蛍光X線分析で測定される硫黄含有量はSO 3 換算で0.1質量%以下である。
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公开(公告)号:JPWO2016075824A1
公开(公告)日:2017-08-17
申请号:JP2016558838
申请日:2014-11-14
申请人: リンテック株式会社
CPC分类号: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L51/50 , H01L2924/0002 , H05B33/04 , H01L2924/00
摘要: 本発明は、片方の表面にマイクロ構造を有する基材樹脂層と、封止樹脂層とを少なくとも有する封止シートであって、前記封止樹脂層が、前記基材樹脂層のマイクロ構造を有する面側に配置され、前記マイクロ構造が、最大高低差(H)が1〜50μmの凸部が、前記基材樹脂層の表面に2次元配列されてなるものであることを特徴とする封止シート、この封止シートからなる電子デバイス用部材、及び、この電子デバイス用部材を備える電子デバイスである。本発明によれば、水蒸気バリア性に優れる封止シート、電子デバイス用部材、並びに、電子デバイスが提供される。
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