スルホニウム塩、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
    48.
    发明专利
    スルホニウム塩、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 有权
    硫酸盐,耐腐蚀组合物和形成耐蚀图案的方法

    公开(公告)号:JP2015117200A

    公开(公告)日:2015-06-25

    申请号:JP2013261348

    申请日:2013-12-18

    Abstract: 【解決手段】一般式(1)で表されるスルホニウム塩。 (A 1 はヘテロ原子で置換されていてもよく、ヘテロ原子が介在してもよい2価炭化水素基、A 2 は2価炭化水素基、A 3 は水素原子、又はヘテロ原子で置換されていてもよく、ヘテロ原子が介在してもよい1価炭化水素基、B 1 はエーテル性酸素原子を含んでもよいアルキレン基又はアリーレン基、kは0又は1。R 1 、R 2 及びR 3 はアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基。) 【効果】本発明のスルホニウム塩を光酸発生剤として導入したレジスト組成物は、微細加工技術、特に電子線、EUVリソグラフィー技術において、極めて高い解像性を有し、LERの小さいパターンを与えることができる。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种锍盐和具有作为光酸产生剂引入的锍盐的抗蚀剂组合物,其可以在微处理技术中产生具有极高分辨率和小LER(线边缘粗糙度)的图案,特别是电子束 和EUV光刻技术。解决方案:锍盐由通式(1)表示。 式(1)中,表示可以被杂原子取代的二价烃基,也可以含有杂原子; 表示二价烃基; 表示氢原子或可以被杂原子取代的单价烃基或可以包括杂原子; B表示可以包括醚型氧原子的亚烷基或亚芳基; k表示0或1; R,R和R表示烷基,烯基,氧代烷基,芳基,芳烷基或芳氧基烷基。

Patent Agency Ranking