公开(公告)号：JP6356727B2

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：JP2016106453

申请日：2016-05-27

Applicant: 株式会社SCREENホールディングス

Inventor： 長良 修治 ,  西村 高志 ,  有岡 昌宏 ,  藤原 直澄 ,  荒木 浩之 ,  本庄 一大

IPC: H01L21/304 ,  B05C3/09 ,  B05C11/10 ,  H01L21/027 ,  G03F7/42

公开(公告)号：JP2018092170A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2017231356

申请日：2017-12-01

Applicant: ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー ,  Rohm and Haas Electronic Materials LLC

Inventor： シンタロウ ヤマダ ,  リ・カイ ,  クリストファー・ギルモア ,  ジョシュア・エイ・カイツ ,  シェン・リウ ,  ジェームス・エフ・キャメロン ,  スザンヌ・エム・コーリー

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  C08G61/12 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/0276 ,  C09D171/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 【課題】集積回路の製造において有用で良好な反射防止特性を有する芳香族下層の形成ステップを含むパターン層を形成するプロセスを提供する。 【解決手段】(a)重合単位として式(1)の第1モノマー )、ならびに2つ以上のシクロペンタジエノン部分を含む第2モノマーを含むポリアリーレン樹脂と有機溶媒とを含む組成物の層を基板上にコーティングするステップと、(b)有機溶媒を除去して芳香族樹脂層を形成するステップと、(c)フォトレジスト層を芳香族樹脂層上にコーティングするステップと、(d)フォトレジスト層を化学線に対して露出するステップと、(e)現像してレジストパターンを形成するステップと、(f)パターンをポリアリーレン樹脂層に転写して基板の一部を露出するステップと、を含む。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6336608B2

公开(公告)日：2018-06-06

申请号：JP2016550833

申请日：2015-07-10

Applicant: エルジー・ケム・リミテッド

Inventor： テ・ムン・パク ,  デ・チュル・ジュン ,  ドン・フン・イ ,  ウー・ラム・イ ,  ヒョン・ジュン・イ ,  ジュ・ヨン・キム

IPC: G03F7/42

公开(公告)号：JP2018511079A

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：JP2017548003

申请日：2016-03-11

Applicant: アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ

Inventor： ムーア・ジョン・クリーオン

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/426 ,  C09D5/20 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/43 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/06 ,  C23G1/103 ,  C23G5/032

Abstract: 本発明は、ポリマー除去の間に金属を保護する電荷錯体化学組成物である。ポリマーコーティングは、化学増幅および光酸発生(PAG)手段による架橋系をエポキシと同様に含む。このシステムは、溶媒、電荷錯体添加剤、およびマイクロエレクトロニクス部品の処理に必要な溶解および洗浄の実施中に感応性金属のための保護複合体を生成する酸を含む。この組成物は、化学増幅またはPAG−エポキシ光画像形成性コーティングに由来する部分的かつ完全に硬化した架橋コーティングを除去するための方法で利用することができる。

公开(公告)号：JPWO2016171179A1

公开(公告)日：2018-02-15

申请号：JP2016535738

申请日：2016-04-20

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 藤原 健典 ,  谷垣 勇剛

IPC: C08L79/08 ,  C08L25/18 ,  C08L79/04 ,  G03F7/004 ,  G03F7/023 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42

CPC classification number: C08L79/04 ,  C08L79/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/023 ,  G03F7/09 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42

Abstract: (A1)特定の構造単位を有するアルカリ可溶性樹脂、(A2)前記アルカリ可溶性樹脂の反応性基と反応する置換基を有する、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリアミドイミド、それらの前駆体およびそれらの共重合体からなる群より選ばれる一種以上の樹脂、および(B)感光剤を含み、(A1)の樹脂100重量部に対して、(A2)の樹脂が310〜2000重量部であることを特徴とする樹脂組成物により、高温プロセス処理後においても、高解像度とパターンの形状を維持し、プロセス処理後に剥離可能なフォトレジストとして適用できる樹脂組成物を提供する。

公开(公告)号：JP2017537453A

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：JP2016574142

申请日：2015-07-10

Applicant: エルジー・ケム・リミテッド

Inventor： ムーン パク、タエ ,  ムーン パク、タエ ,  チュル ジュン、ダエ ,  チュル ジュン、ダエ ,  ホーン リー、ドン ,  ホーン リー、ドン ,  ラム リー、ウー ,  ラム リー、ウー ,  ジュン リー、ヒュン ,  ジュン リー、ヒュン ,  ヤン キム、ジュ ,  ヤン キム、ジュ

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/42

CPC classification number: G03F7/34

Abstract: 本発明は、フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンク、表面にフォトレジストが形成された基板を移動させる基板移送具、前記基板移送具にフォトレジスト除去用ストリッパを噴射するストリッパ噴射口および前記フォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクから前記ストリッパ噴射口にフォトレジスト除去用ストリッパを移送するストリッパ伝達具を含む剥離室と、前記剥離室の上部に位置し、前記剥離室から蒸発した物質を冷却する冷却装置と、前記冷却装置で冷却した物質をフォトレジスト除去用ストリッパ貯蔵タンクまたは剥離室に移送する搬送具と、を含むフォトレジスト剥離装置を利用したフォトレジスト剥離方法に関する。

公开(公告)号：JP6243815B2

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：JP2014176897

申请日：2014-09-01

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 荻原 勤 ,  郡 大佑 ,  種田 義則 ,  美谷島 祐介 ,  菊地 里枝 ,  橘 誠一郎

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11

CPC classification number: H01L21/02216 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  C09D183/04

公开(公告)号：JP2017182049A

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：JP2017010227

申请日：2017-01-24

Applicant: 三菱製紙株式会社

Inventor： 入澤 宗利 ,  梶谷 邦人 ,  豊田 裕二

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  C09D9/00 ,  G03F7/42

Abstract: 【課題】本発明の課題は、フッ酸又はフッ化アンモニウムを含有したエッチング液への耐性が優れた感光性樹脂組成物の硬化物を、基材上から残渣なく除去することができる剥離方法を提供することである。 【解決手段】剥離剤を用いて感光性樹脂組成物の硬化物を基材上から剥離する剥離方法において、感光性樹脂組成物が、(A)酸変性エポキシアクリレート、(B)光重合開始剤及び(C)ブロック化イソシアネート化合物を少なくとも含有してなり、剥離剤が、(D)アルカノールアミン、(E)グリコールエーテル類及び(F)水を少なくとも含有してなることを特徴とする剥離方法。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2017175041A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2016061533

申请日：2016-03-25

Applicant: 株式会社SCREENホールディングス

Inventor： 波多野 章人 ,  林 豊秀 ,  郷原 隆行

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/304 ,  H01L21/027

Abstract: 【課題】オゾンの濃度の低下を抑制しながら、レジストで覆われた基板にオゾン水を供給する。 【解決手段】基板処理装置は、基板Wを水平に保持しながら回転させる基板保持手段と、基板Wの上面に対向する対向面51と、対向面51で開口する吐出口52とを含み、平面視で基板Wよりも小さく、オゾン水を吐出口52から吐出することにより、基板Wと対向面51との間のオゾン水を対向面51の外周から排出しながら、基板Wと対向面51との間をオゾン水で満たすオゾン水ノズル31と、基板Wと対向面51との間がオゾン水で満たされている状態でオゾン水ノズル31を移動させることにより、基板Wの回転軸線からオゾン水ノズル31までの距離を変化させるノズル移動手段とを含む。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6200289B2

公开(公告)日：2017-09-20

申请号：JP2013238344

申请日：2013-11-18

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 上村 哲也 ,  杉島 泰雄 ,  水谷 篤史

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B7/0035 ,  B08B9/00 ,  C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/3719 ,  C11D3/3723 ,  C11D3/3773 ,  C11D3/3776 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857