公开(公告)号：JP6053946B2

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：JP2015543367

申请日：2013-11-05

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： ユルゲン ブルクグラーフ

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/67092 ,  H01L24/83 ,  Y10T156/1028

公开(公告)号：JP2016540367A

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：JP2016517356

申请日：2013-09-25

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： ヴィンプリンガー マークス ,  ヴィンプリンガー マークス ,  ドラゴイ フィオレル ,  ドラゴイ フィオレル ,  フレートゲン クリストフ ,  フレートゲン クリストフ

IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B65G49/07 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/263 ,  H01L21/67092

Abstract: 本発明は、第1基板(1)のボンディング面と、第2基板(14)のボンディング面との間の導電性直接接合を形成する装置および対応する方法に関しており、この装置は、周囲に対して気密に閉鎖可能でありかつ真空化することができる作業空間(22)を有しており、この作業空間(22)には、a)複数のボンディング面のうちの少なくとも1つを変化させる少なくとも1つのプラズマチャンバ(4)、および、ボンディング面をボンディングする少なくとも1つのボンディングチャンバ(5)、および/または、b)複数のボンディング面のうちの少なくとも1つを変化させ、かつ、ボンディング面をボンディングする少なくとも1つのコンビネーション型ボンディングプラズマチャンバ(20)が含まれている。

Abstract translation: 本发明包括涉及装置和在所述衬底（14），该装置的所述第二接合面之间的导电直接接合的相应的方法在第一基板（1）的键合表面，相对于环境 有一个工作空间（22），其可以是被并抽空气密闭合的碲，该工作空间（22），至少改变的所述至少一个）的多个接合表面的 等离子体腔室（4）中的一个，和至少一个键合室（5）接合的接合表面，和/或，b）所述多个接合表面中的至少一个改变和接合的接合表面 至少一个组合型焊等离子室（20）均包括在内。

公开(公告)号：JP6042564B2

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：JP2015551148

申请日：2013-12-06

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： トーマス ヴァーゲンライトナー

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/681 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6838 ,  H01L22/26

公开(公告)号：JP6022044B2

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：JP2015514357

申请日：2012-05-30

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： ミヒャエル カスト

IPC: B29C39/02 ,  B29C39/44 ,  B29D11/00 ,  B29L11/00 ,  G02B3/00

CPC classification number: G02B13/0085 ,  B29C33/303 ,  B29C37/005 ,  B29C39/006 ,  B29C39/26 ,  B29D11/00365 ,  B29D11/00951 ,  B29C2035/0827 ,  B29C35/0888 ,  B29L2011/0016

公开(公告)号：JP2016529691A

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：JP2016520291

申请日：2013-06-17

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： タルナー エーリヒ ,  タルナー エーリヒ

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/681 ,  B65G47/26 ,  H01L21/67092 ,  H01L22/26

Abstract: 本発明は、複数の検出装置を用いて第1の基板(15)を第2の基板(15’)に位置合わせして接触させる方法、並びに、この方法に対応する装置に関する。

Abstract translation: 本发明涉及通过在使用对准的检测装置（15）与第二衬底（15“）的多个所述第一基板的接触的方法，以及对应于该方法的装置。

公开(公告)号：JP2016526292A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：JP2016514308

申请日：2014-04-01

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： マイア クリストフ ,  マイア クリストフ

IPC: H01L21/027 ,  B05B15/12 ,  B05C9/10 ,  B05C9/12 ,  B05C15/00 ,  B05D1/02 ,  B05D3/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: B05B9/002 ,  B05D1/02 ,  B05D3/00 ,  B05D3/002 ,  B05D3/0426 ,  B05D3/048 ,  B05D3/0486 ,  B05D3/0493 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6715

Abstract: 本発明は、少なくとも1つのコーティング成分と、少なくとも1つの溶剤とを有するコーティング材料によって、基板(9)の表面(9o)をコーティングする装置であって、特に周囲環境よりも低圧になるように調整可能な、圧力が印加されるチャンバ(7)と、前記基板(9)を収容面(12)の上に収容するための収容装置(8)と、前記基板(9)をコーティングするためのスプレーノズル(11)とを備える装置において、前記装置は、前記収容装置(8)の前記収容面(12)の上に収容された前記基板(9)の少なくとも前記表面(9o)を冷却するための冷却手段を有することを特徴とする装置に関する。本発明はさらに、対応する方法に関する。

Abstract translation: 本发明包括至少一种涂料组分，其具有至少一个溶剂中，涂覆衬底的表面（90）的装置的涂层材料（9），特别是调整为比周围环境较低的压力 可能的，该室（7），该压力被施加，喷雾包衣收纳装置（8），所述基板（9），用于容纳所述基板（9）上的接收表面（12） 该装置具有一个喷嘴（11），所述装置，所述接收装置，其中所述基板容纳的容纳表面（12）（9）上用于至少表面（90）的冷却（8） 的装置，其特征在于：它包括一个冷却装置。 本发明还涉及一种相应的方法。

公开(公告)号：JP5893154B2

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：JP2014540327

申请日：2011-11-14

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： トーマス ヴァーゲンライトナー

IPC: G01B11/00 ,  G01B11/16

CPC classification number: G06T7/0004 ,  G01B11/14 ,  G01B11/16 ,  G01B11/24 ,  H01L22/12

公开(公告)号：JP5889411B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：JP2014527503

申请日：2011-08-30

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： クラウス・マルティンシッツ ,  マルクス・ヴィンプリンガー ,  ベルンハルト・レブハン ,  クルト・ヒンゲル

IPC: H01L21/60 ,  B23K20/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B23K20/02 ,  B23K20/021 ,  B23K20/023 ,  B23K20/233 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  H01L21/185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  B23K2035/008 ,  B23K2201/40 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511

公开(公告)号：JP2015228517A

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：JP2015170134

申请日：2015-08-31

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： マルクス・ヴィンプリンガー ,  ヴィオレル・ドラゴイ

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03015 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0355 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/14

Abstract: 【課題】本発明の目的は、第1の基板の第1の金属表面と、第2の基板の第2の金属表面との間に、永久的で、導電性を有する接続を形成することにある。 【解決手段】以下の方法ステップを有している。金属表面の接続の際、特に処理の後数分の間に、永久的で、少なくとも専ら両金属表面の特に同種の、好ましくは同じ金属イオン及び/又は金属原子間の拡散置換によって形成される、導電性を有する接続が形成可能であるように、前記第1の金属表面と前記第2の金属表面とを処理するステップ、前記第1の金属表面と前記第2の金属表面とを位置調整及び接続するステップであり、処理、位置調整、及び接続の間、最大で300℃、特に最大で260℃、好ましくは230℃、より好ましくは200℃、特に好ましくは最大で180℃、理想的には最大で160℃のプロセス温度が超過されないステップ、の順序で進行する方法である。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：在第一基板的第一金属表面和第二基板的第二金属表面之间形成永久的导电连接。解决方案：一种方法包括并按此顺序进行以下步骤：处理第一金属 表面和第二金属表面，使得可以至少主要通过特别是在相似的金属离子和/或金属原子之间的取代扩散，优选在两种金属的相同的金属离子和/或金属原子之间产生永久的导电连接 在金属表面的连接处，特别是在加工的几分钟内; 并且在加工，定位和连接过程中定位和连接第一金属表面和第二金属表面，处理温度至多为300℃，特别是最多260℃，优选230℃，甚至更优选地 200℃，特别优选至多180℃，理想地至多160℃。

公开(公告)号：JP2015166751A

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：JP2015134456

申请日：2015-07-03

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： マルクス・ヴィンプリンガー

IPC: G01B17/02

Abstract: 【課題】空隙がないこと、接着剤の厚さの再現性及び均一性などの品質基準を最適化すること、ならびに一時的に接合されたウェーハスタックの生産又は処理における断片を可能な限り少なくすることを確実にする。 【解決手段】本発明は、ウェーハスタックの1つ又は複数の層内の層厚さ及び/又は欠陥を、前記ウェーハスタック上に分散された複数の測定点で測定及び/又は検出する測定手段及び方法、ならびに対応するウェーハ処理デバイスに関する。 【選択図】図8

Abstract translation: 要解决的问题：优化质量标准，例如空隙不存在，粘合剂厚度的再现性和均匀性，并确保在临时粘合的晶片堆叠的生产或加工中尽可能少的废料。解决方案：本发明涉及测量 用于测量和/或检测分布在晶片堆叠上的多个测量点上的晶片叠层的一个或多个层的层厚度和/或缺陷的方法和方法以及相应的晶片处理装置。