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1.

发明专利
半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开

公开(公告)号：JP2018152507A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017048802

申请日：2017-03-14

申请人： エイブリック株式会社

发明人： 加藤伸二郎 , 秋野勝

IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/60 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/02107 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L2224/02123 , H01L2224/02166 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/0239 , H01L2224/03011 , H01L2224/03019 , H01L2224/03826 , H01L2224/0391 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/85205 , H01L2224/85375 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133

摘要： 【課題】窒化チタンからなる反射防止膜の上にシリコン酸化膜が設けられていても、反射防止膜を形成している窒化チタンの酸化が生じにくく、1回のフォトリソグラフィー工程によりパッド開口部を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1と、基板1上に設けられた配線6と、配線6上に設けられた窒化チタンからなる反射防止膜7と、反射防止膜7上に設けられたシリコン酸化膜3とを有し、シリコン酸化膜3に形成された第1開口部91と反射防止膜7に形成された第2開口部92とが平面視で重なる位置に、配線6が露出されてなるパッド部8が形成され、反射防止膜7上のシリコン酸化膜3との対向面と第2開口部92に露出する反射防止膜7の露出面の一方または両方の少なくとも一部に、反射防止膜7中よりも未結合手の少ない金属窒化物からなる未結合手の少ない金属窒化物領域7aが形成されている半導体装置10とする。【選択図】図1

2.

发明专利
2つの金属表面を永久的に接続するための方法有权

公开(公告)号：JP6272805B2

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：JP2015170133

申请日：2015-08-31

申请人： エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

发明人： マルクス・ヴィンプリンガー , ヴィオレル・ドラゴイ

IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/52

CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03015 , H01L2224/0311 , H01L2224/0355 , H01L2224/03848 , H01L2224/29 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29298 , H01L2224/83801 , H01L2224/8383 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/14 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2924/00

3.

发明专利
鉛フリー半田付け方法及び半田付け物品有权

公开(公告)号：JPWO2016059744A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：JP2016553953

申请日：2015-08-26

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 渡邉　裕彦 , 裕彦渡邉 , 俊介齋藤 , 俊介齋藤 , 眞裕小野 , 眞裕小野 , 孝志渡辺 , 孝志渡辺 , 真二佐野 , 真二佐野 , 一永大西 , 一永大西

IPC分类号： B23K1/19 , B23K1/00 , B23K35/26 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L21/52 , H05K3/34

CPC分类号： H01L24/48 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2201/42 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/40 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/0345 , H01L2224/04026 , H01L2224/05639 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32227 , H01L2224/32507 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48245 , H01L2224/48506 , H01L2224/4852 , H01L2224/49109 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/85359 , H01L2224/85805 , H01L2224/85825 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H05K3/3463 , H05K2201/10166 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/0103 , H01L2924/01078 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01051

摘要： Ag含有部材に半田付けされるAg含有鉛フリー半田の半田付け方法において、ボイドの発生防止及び半田濡れ性を向上させる。本発明のAg含有鉛フリー半田の半田付け方法は、質量M(g)の半田付け前のSn−Ag系鉛フリー半田に含まれるAg濃度C(質量%)と、Ag含有部材に含まれるAgの溶出量B(g)との関係が、1.0質量% ≦(M×C+B)X100/(M+B)≦ 4.6質量%となるAgを含有し、残部がSnおよび不可避不純物よりなる組成を有する鉛フリー半田と、前記Ag含有部材と接触させる第1工程と、前記鉛フリー半田を加熱して溶融する第2工程と、前記鉛フリー半田を冷却する第3工程と、を備えるAg含有鉛フリー半田の半田付け方法。

4.

发明专利
半導体装置审中-公开

公开(公告)号：JP2017069380A

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2015193117

申请日：2015-09-30

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 矢島明

IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 , H01L23/5329 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03614 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05073 , H01L2224/0508 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05664 , H01L2224/10126 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/13017 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/14051 , H01L2224/14131 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/14177 , H01L2224/14179 , H01L2224/14517 , H01L2224/16058 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/17051 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/07025 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/381

摘要： 【課題】半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】半導体装置は、半導体チップCHPと配線基板WBとを接続するバンプ電極BE2を、その周囲を絶縁膜17で囲まれた第1部分と、絶縁膜17から露出した第2部分とで構成している。バンプ電極BE2の高さを増加しながら、バンプ電極BE2の幅を低減できるため、隣り合うバンプ電極BE2との距離を増加することができ、封止材UFの充填性が向上する。【選択図】図15

5.

发明专利
電子回路パッケージ有权

公开(公告)号：JP6107998B1

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：JP2016058730

申请日：2016-03-23

申请人： TDK株式会社

发明人： 川畑賢一 , 早川敏雄 , 大久保俊郎

IPC分类号： H01F27/36 , H01L25/00 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H05K9/00 , H01L23/02 , H01L23/00

CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/32051 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/97 , H01L2224/16227 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/05442 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512

摘要： 【課題】高い複合シールド効果とリフロー時における高い信頼性を両立可能な電子回路パッケージを提供する。【解決手段】電源パターン25Gを有する基板20と、基板20の表面21に搭載された電子部品31,32と、電子部品31,32を埋め込むよう、基板20の表面21を覆うモールド樹脂40と、モールド樹脂40の上面41及び側面42、並びに、基板20の側面27に露出する表面21のエッジ部を覆い、熱硬化性樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる磁性膜50と、電源パターン25Gに接続されるとともに、磁性膜50を介してモールド樹脂40を覆う金属膜60とを備える。本発明によれば、リフロー時に膨張した水分が熱硬化性樹脂材料を介して移動可能となるため、エッジ部における界面剥離を防止することができる。【選択図】図1