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    積層フィルム及びその製造方法
    82.
    发明专利
    積層フィルム及びその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017177640A

    公开(公告)日：2017-10-05

    申请号：JP2016070410

    申请日：2016-03-31

    申请人： 住友化学株式会社

    发明人： 伊藤 豊

    IPC分类号： B32B27/16 ,  C23C16/42 ,  B32B9/00

    CPC分类号： H01L51/5253 ,  B05D1/005 ,  B05D3/067 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/308 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/509 ,  C23C16/545 ,  C23C16/56

    摘要： 【課題】 水蒸気の透過を高水準で防止することができ、且つ、良好な耐屈曲性を有する積層フィルムを提供すること。 【解決手段】 樹脂基材上に、ガスバリア層と無機ポリマー層とが少なくとも積層された積層フィルムであって、上記無機ポリマー層の膜厚方向における該層の表面からの距離と珪素原子、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の合計量に対する酸素原子の比率(酸素原子比)について、上記ガスバリア層とは反対側の表面から深さ方向に無機ポリマー層の膜厚の30%までの領域における酸素原子比O/(Si、O、C及びNの合計量)の値の、深さ方向に無機ポリマー層の膜厚の30%から上記ガスバリア層側の表面までの領域における酸素原子比O/(Si、O、C及びNの合計量)の値に対する比が1.05以上である、積層フィルム。 【選択図】 図1

    基板近傍の熱伝導性が改善された多結晶性ＣＶＤダイヤモンドを含む半導体デバイス構造体
    86.
    发明专利
    基板近傍の熱伝導性が改善された多結晶性ＣＶＤダイヤモンドを含む半導体デバイス構造体 有权
    包括多晶CVD金刚石的半导体器件结构导热基板附近改善

    公开(公告)号：JP2016539510A

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：JP2016540296

    申请日：2014-08-29

    申请人： アールエフエイチアイシー コーポレイション ,  アールエフエイチアイシー コーポレイション

    发明人： フィローズ ナーサル−フェーイリ ,  フィローズ ナーサル−フェーイリ

    IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

    CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/27 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/31111 ,  H01L23/3732 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： III-V化合物半導体材料の層;多結晶性CVDダイヤモンド材料の層;及びIII-V化合物半導体材料の層と多結晶性CVDダイヤモンド材料の層との間の界面領域(この界面領域には、多結晶性CVDダイヤモンド成長の初期核生成段階中にIII-V化合物半導体材料の層を含む基板の上に形成される多結晶性CVDダイヤモンドのダイヤモンド核生成層が含まれる)を含んでなり、ダイヤモンド核生成層は、ダイヤモンド核生成層を含む領域に焦点を合わせたレーザーによって生じたラマン信号が1332cm-1に5.0cm-1以下の半値全幅を有するsp3炭素ピークを示すものであり、ダイヤモンド核生成層は前記ラマン信号がさらに下記特徴:(i)633nmのラマン励起源を使用するときはバックグラウンド減算後の1332cm-1のsp3炭素ピークの高さの20%以下である高さを有する1550cm-1のsp2炭素ピーク;及び(ii)1332cm-1のsp3炭素ピークは785nmのラマン励起源を用いるラマンスペクトルの局所バックグラウンド強度の10%以上である;の一方又は両方を示すものであり、かつダイヤモンド核生成層の核生成表面の平均核生成密度は1×108cm-2以上、1×1012cm-2以下である、半導体デバイス構造体。【選択図】図1

    摘要翻译： 化合物半导体材料的III-V层;金刚石材料的多晶CVD层;界面区域（层和多晶CVD金刚石材料的层和III-V族化合物半导体材料之间的界面区域，多 它包括多晶CVD金刚石的过程中结晶的CVD金刚石生长，金刚石晶核的初始成核阶段形成该衬底包括III-V族化合物半导体材料的层上包含层金刚石成核） 产生层，其示出了由激光产生的sp 3碳峰的拉曼信号集中在该区域包括金刚石成核层具有5.0厘米-1或半最大值小于全宽度的至1332厘米-1，金刚石成核层 拉曼信号的特征还在于：（ⅰ）1550厘米-1用633nm的拉曼激发源的20％或更低的高度为背景扣除后的1332厘米-1 sp 3碳峰的高度时使用 的sp 2碳峰;及 （二）1332厘米-1 sp 3碳峰是局部背景是10％或更多使用拉曼激发源785处的拉曼光谱的强度;以及指示一个或两个，以及用于金刚石成核层的核 平均表面成核密度1×108厘米-2以上且1×1012厘米-2或更小，所述半导体器件结构的。 点域1

    Silicon dot forming method
    89.
    发明专利
    Silicon dot forming method 有权

    公开(公告)号：JP5321468B2

    公开(公告)日：2013-10-23

    申请号：JP2009539011

    申请日：2008-10-14

    申请人： 日新電機株式会社

    发明人： 敦志 東名 ,  裕和 可貴 ,  英治 高橋

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L21/02381 ,  C01B33/02 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

    摘要： A method for forming silicon dots which can form silicon dots at a relatively low temperature, with good controllability of the particle diameter of silicon dots depending on the particle diameter of silicon dots to be formed. The method for forming silicon dots comprises producing inductively coupled plasma from a gas for forming silicon dots provided within the plasma producing chamber by applying a high-frequency power to an antenna with reduced inductance placed within the plasma producing chamber to form silicon dots on a substrate S disposed within the chamber in the presence of the inductively coupled plasma. Conditions for a pretreatment of the substrate prior to the formation of silicon dots, the temperature of the substrate in forming silicon dots and the gas pressure in the plasma producing chamber during the formation of silicon dots are controlled depending on the particle diameter of the silicon dots.