公开(公告)号：KR20180014081A

公开(公告)日：2018-02-07

申请号：KR20177037745

申请日：2016-05-23

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/492

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4922 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/75 ,  H01L24/77 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/24245 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37005 ,  H01L2224/37111 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/37166 ,  H01L2224/3719 ,  H01L2224/37211 ,  H01L2224/37224 ,  H01L2224/37239 ,  H01L2224/37244 ,  H01L2224/37247 ,  H01L2224/37255 ,  H01L2224/37266 ,  H01L2224/3729 ,  H01L2224/373 ,  H01L2224/37395 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/756 ,  H01L2224/75703 ,  H01L2224/776 ,  H01L2224/77703 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/834 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/8349 ,  H01L2224/83511 ,  H01L2224/83524 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83544 ,  H01L2224/83547 ,  H01L2224/83555 ,  H01L2224/83566 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/836 ,  H01L2224/83695 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/84007 ,  H01L2224/841 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/8492 ,  H01L2224/84951 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H05K3/4661 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01014

摘要： 본발명은, 적어도하나의콘택(40, 50)을가지는컴포넌트(10)(예컨대, 적어도하나의트랜지스터, 바람직하게는 IGBT(절연-게이트양극성트랜지스터(insulated-gate bipolar transistor))를가지는 (반도체) 컴포넌트및/또는전력컴포넌트)를전기적으로콘택팅하기위한방법에관한것이며, 적어도하나의개방-세공콘택피스(60, 70)가적어도하나의콘택(40, 50)에갈바닉적으로(전기화학적으로, 또는외부전류없이) 연결된다. 이러한방식으로, 컴포넌트모듈이달성된다. 콘택(40, 50)은바람직하게는, 편평한부분이거나또는콘택표면을가지며, 이콘택표면의최대평면범위는상기콘택표면에수직적인콘택(40, 50)의확장부보다더 크다. 갈바닉연결의온도는최대 100 ℃, 바람직하게는최대 60 ℃, 유리하게는최대 20 ℃, 그리고이상적으로는최대 5 ℃이며, 그리고/또는컴포넌트의동작온도로부터최대 50 ℃만큼, 바람직하게는최대 20 ℃만큼, 특히최대 10 ℃만큼, 그리고이상적으로는최대 5 ℃만큼, 바람직하게는최대 2 ℃만큼벗어난다. 컴포넌트(10)는추가적인컴포넌트, 전류전도체, 및/또는기판(90)과콘택피스(60, 70)에의하여콘택팅될수 있다. 바람직하게는, 컴포넌트(10)의대향면들상에 2 개의콘택들(40, 50)을가지는컴포넌트(10)가사용되며, 적어도하나의개방-세공콘택피스(60, 70)는각각의콘택(40, 50)에갈바닉적으로연결된다.

摘要翻译： 本发明涉及具有至少一个触点（40,50）的部件（10）（例如半导体）的半导体器件， 至少一个开孔式接触件（60,70）通过电流（电化学）结合到至少一个接触件（40,50） 或者没有外部电流）。 这样就实现了一个组件模块。 触点40和50优选是平坦的或具有接触表面，并且图标表面的最大平面范围大于垂直于接触表面的触点40和50的范围。 电连接件的温度相对于部件的工作温度为至多100℃，优选至多60℃，有利地至多20℃，理想的是至多5℃和/或至多50℃， 特别是高达10℃，并且理想地高达5℃，优选高达2℃ 部件10可以通过附加部件，电流导体和/或基板90和接触件60和70接触。 优选地，使用在部件10的小平面上具有两个触头40,50的部件10，并且使用至少一个开孔式接触片60， 40和50。

公开(公告)号：KR1020170126469A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：KR1020177026415

申请日：2016-02-15

申请人： 파크 테크-파카징 테크놀로지이스 게엠베하

发明人： 뤼데케,하인리히 ,  겔하르,리카르도

IPC分类号： H01L23/00 ,  B23K26/20

CPC分类号： H01L24/48 ,  B23K26/20 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/81 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/37026 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/40992 ,  H01L2224/40997 ,  H01L2224/4112 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/77263 ,  H01L2224/77281 ,  H01L2224/77601 ,  H01L2224/77611 ,  H01L2224/77704 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/84214 ,  H01L2224/84424 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/84444 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84455 ,  H01L2224/84464 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/84986 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85214 ,  H01L2224/85379 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2224/13099

摘要： 본발명은칩 배열(10) 및칩(18), 특히파워트랜지스터또는이와같은것과전도체물질트랙(14)간에접촉연결(11)을형성하는방법과관련되고, 전도체물질트랙은비전도성기판(12)으로형성되고, 칩은기판또는전도체물질트랙(15)에배치되고, 은페이스트(29) 또는구리페이스트는칩 및전도체물질트랙(28)의칩 접촉표면(25) 각각에적용되고, 접촉전도체(30)는칩 접촉표면에서은 페이스트또는구리페이스트에잠기고전도체물질트랙에서은 페이스트또는구리페이스트에잠기고, 은페이스트또는구리페이스트에포함된용매는가열에의하여적어도부분적으로증발되고접촉연결은레이저에너지에의하여은 페이스트또는구리페이스트를소결하는것에의하여형성된다.

摘要翻译： 本发明是芯片阵列10 mitchip（18），特别是功率晶体管或类似物，它们的导体材料轨道14涉及形成接触连接（11），所述导体材料的轨道高恩妃导电性基板12的方法之间 将银膏29或铜膏施加到芯片和印制导线28的每个芯片接触表面25上，并且接触导体30形成在基板或印制导线15上， neunchip接触表面eseoeun膏或锁定到铜膏被锁定到包含在铜膏中的导体材料轨道eseoeun膏或铜膏，银膏或溶剂蒸发至少部分地通过加热所述接触连接uihayeoeun膏或铜膏，以激光能量 如图所示。

公开(公告)号：KR101604255B1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：KR1020137029433

申请日：2012-08-13

申请人： 가부시키가이샤 아루박

发明人： 나카무타유 ,  마츠모토마사히로 ,  이나가키다카유키 ,  히라마츠다이스케 ,  다니노리아키

IPC分类号： H01L21/60 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/165 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/74 ,  H01L24/741 ,  H01L24/743 ,  H01L24/77 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37565 ,  H01L2224/37655 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/40507 ,  H01L2224/4051 ,  H01L2224/4052 ,  H01L2224/4111 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/741 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84002 ,  H01L2224/84011 ,  H01L2224/8402 ,  H01L2224/8481 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/404 ,  H01L2224/77

摘要： 이부품의제조방법은, 한쪽면이니켈로이루어지는기판을이용하고, 상기한쪽면 상에주석을주성분으로하는합금막을스퍼터법에의해형성하는공정 A1과, 상기합금막상에적어도상기합금막과의접촉부위가구리및 니켈피복된알루미늄중 어느하나로이루어지는부품을올려놓는공정 A3과, 상기기판과상기합금막사이및 상기합금막과상기부품사이를각각접합하기위해열처리를실시하는공정 A4를적어도차례대로구비하는부품의제조방법으로서, 상기공정 A1에서감압분위기로한 공간내에주석을주성분으로하는합금타겟을마련한캐소드전극과상기기판을마련한애노드전극을대향하여배치하고, 상기기판의상기한쪽면 상에상기합금막을형성할때에상기캐소드전극에 DC전압을인가한다.

公开(公告)号：KR1020150038364A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020157004946

申请日：2013-08-09

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 후지노쥰지 ,  요네다유타카 ,  오니시요시타카 ,  스가와라마사후미

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/13 ,  H01L23/373 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07 ,  H01L23/00

CPC分类号： H05K1/0203 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/4024 ,  H01L2224/4118 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16172 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/92252 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2076

摘要： 절연층(8)을개재하여방열부재(9)가접합되는전열판(4)과, 전열판(4)에대하여소정의간격을두고배치되고, 외측면에형성된전극패턴(32)의근방에개구부(3a)가마련된프린트기판(3)과, 전열판(4)과프린트기판(3)의사이에배치되고, 이면이전열판(4)에접합된전력용반도체소자(2)와, 전력용반도체소자(2)의표면에형성된주전력용전극(21C)의제 1 접합부에일단이접합되고, 타단이제 2 접합부(32p)에접합된배선부재(5)를구비하되, 주전력용전극(21C)으로부터프린트기판(3)을향해수직방향으로연장하는공간에제 2 접합부(32p)의적어도일부가들어가고, 또한개구부(3a)로부터수직방향으로연장하는공간에제 1 접합부가포함되도록구성했다.

公开(公告)号：KR101449406B1

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：KR1020087026341

申请日：2008-08-29

申请人： 알파 앤드 오메가 세미컨덕터 리미티드 ,  루, 준

发明人： 루,준 ,  창,알렌 ,  장,시아오티안

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L25/16

CPC分类号： H02J7/0031 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/58 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/91 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 배터리 보호용 적층 다이 패키지가 개시된다. 본 발명의 배터리 보호 패키지는 집적된 이중 공통-드레인 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터들(MOSFETs)이나 두 개의 개별적인 MOSFETs의 윗면에 적층되는 전력 제어 집적 회로(IC)를 포함한다. 상기 전력 제어 IC는 하나의 MOSFET의 윗면에 적층되거나 두 개의 MOSFET 모두의 윗면을 부분적으로 덮는다.

公开(公告)号：KR1020140055038A

公开(公告)日：2014-05-09

申请号：KR1020120121287

申请日：2012-10-30

申请人： 삼성전기주식회사

发明人： 김태현 ,  서범석 ,  유도재 ,  김광수

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/36

CPC分类号： H01L24/34 ,  H01L24/33 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： A unit power module according to the present invention comprises a first semiconductor chip with a 1-1 electrode and a 1-2 electrode spaced apart from the 1-1 electrode on one surface and a 1-3 electrode on the other surface; a second semiconductor chip with a 2-1 electrode on one surface and a 2-2 electrode on the other surface; a first metal plate in contact with the 1-1 electrode of the first semiconductor chip and the 2-1 electrode of the second semiconductor chip; a second metal plate in contact with the 1-2 electrode of the first semiconductor chip and spaced apart from the first metal plate; a third metal plate in contact with the 1-3 electrode of the first semiconductor chip and the 2-2 electrode of the second semiconductor chip; and a sealing member surrounding the first metal plate, the second metal plate, and the third metal plate.

摘要翻译： 根据本发明的单元电源模块包括具有1-1电极的第一半导体芯片和在一个表面上与1-1电极间隔开的1-2电极和在另一个表面上的1-3电极; 在一个表面上具有2-1电极的第二半导体芯片和另一个表面上的2-2电极; 与第一半导体芯片的1-1电极和第二半导体芯片的2-1电极接触的第一金属板; 与第一半导体芯片的1-2电极接触并与第一金属板间隔开的第二金属板; 与第一半导体芯片的1-3电极和第二半导体芯片的2-2电极接触的第三金属板; 以及围绕所述第一金属板，所述第二金属板和所述第三金属板的密封构件。

公开(公告)号：KR1020080096483A

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：KR1020080039531

申请日：2008-04-28

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 무또구니하루 ,  하따도시유끼 ,  사또히로시 ,  오까히로이 ,  이께다오사무

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85214 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205

摘要： A semiconductor device is provided to obtain a surface mounting package having a small on-resistance and to make the surface mounting package small and to improve the production yield and reliability. A silicon chip(3) is mounted on a die pad part having a lead(4) consisting of a drain lead. A source pad(7) and a gate pad(8) is formed in the main surface. The back side of the silicon chip is a drain of a power MOSFET, contacting with an upper part of the die pad using Ag paste. A lead and source pad as a source lead is connected by a Al ribbon(10), and a lead and a gate pad as a gate lead is connected by a Au wire(11).

摘要翻译： 提供半导体器件以获得具有小导通电阻的表面安装封装并且使表面安装封装较小并且提高生产成品率和可靠性。 硅芯片（3）安装在具有由引线组成的引线（4）的管芯焊盘部分上。 源极焊盘（7）和栅极焊盘（8）形成在主表面上。 硅芯片的背面是功率MOSFET的漏极，使用Ag膏与芯片焊盘的上部接触。 作为源极引线的引线和源极焊盘通过Al带（10）连接，并且作为栅极引线的引线和栅极焊盘通过Au导线（11）连接。

公开(公告)号：KR100763549B1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：KR1020060099112

申请日：2006-10-12

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김현아 ,  김동한

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/50 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/06 ,  H01L24/41 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06154 ,  H01L2224/41175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/37099

摘要： A semiconductor package is provided to accurately contact probes with external connection pads by extending a pitch between the external connection pads. Plural external connection pads(120,122) are arranged on a semiconductor chip(110) in a first direction. Plural external connection leads(130,132) are electrically connected to the external connection pads, respectively. Plural power pads(124) are aligned on the semiconductor chip in a direction perpendicular to the first direction. One power lead(136) is electrically connected to the power pads. The power lead has a width larger than that of the external connection leads.

摘要翻译： 提供半导体封装以通过在外部连接焊盘之间延伸间距来与外部连接焊盘精确地接触探针。 多个外部连接焊盘（120,122）沿第一方向布置在半导体芯片（110）上。 多个外部连接引线（130,132）分别电连接到外部连接焊盘。 多个电源焊盘（124）在垂直于第一方向的方向上对齐在半导体芯片上。 一个电源引线（136）电连接到电源焊盘。 电源引线的宽度大于外部连接引线的宽度。

公开(公告)号：KR1020070065207A

公开(公告)日：2007-06-22

申请号：KR1020060098234

申请日：2006-10-10

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 스도신고 ,  오타타쓰오 ,  타니구치노부타케 ,  요시다히로시 ,  카시모토히로노리

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device is provided to control a bending degree of a resin package by forming a conductive lead plate made of a material having a smaller coefficient of linear expansion than that of a metal constituting a heat sink. A wiring pattern layer(24) is fixed to the upper surface of a heat sink(20) by an insulation layer. A semiconductor device(1) includes at least one surface electrode mounted on the wiring pattern layer. A conductive lead plate(42) is electrically connected to the surface of the surface electrode. A resin package(10) is made of thermoplastic resin having anisotropy of a coefficient of linear expansion, surrounding at least a part of the heat sink, the wiring pattern layer, the semiconductor device and the conductive lead plate. The conductive lead plate is extended in a direction that the coefficient of linear expansion of the resin package is maximized. The resin package includes a bottom surface(21) adjacent to the heat sink and a top surface(14) confronting the bottom surface, having a parallel rib on the top surface such that the rib is extended in a direction parallel with the conductive lead plate.

摘要翻译： 提供一种半导体器件，用于通过形成由具有比构成散热器的金属的线性膨胀系数小的材料制成的导电引线板来控制树脂封装的弯曲度。 布线图案层（24）通过绝缘层固定到散热器（20）的上表面。 半导体器件（1）包括安装在布线图案层上的至少一个表面电极。 导电引线板（42）电连接到表面电极的表面。 树脂封装（10）由具有线膨胀系数各向异性的热塑性树脂制成，包围至少一部分散热器，布线图案层，半导体器件和导电引线板。 导电引线板沿树脂封装的线性膨胀系数最大化的方向延伸。 树脂封装包括邻近散热器的底表面（21）和与底表面相对的顶表面（14），在顶表面上具有平行肋，使得肋沿着与导电引线板平行的方向延伸 。

公开(公告)号：KR1020160127176A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：KR1020167029941

申请日：2011-09-30

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 가나자와,다까미쯔 ,  아끼야마,사또루

IPC分类号： H01L21/64 ,  H01L21/822 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L21/8213 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/3702 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/40145 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/84

摘要： 반도체장치의신뢰성을향상할수 있는기술을제공한다. 본발명에있어서는, 반도체칩 CHP1의표면에형성되어있는게이트패드 GPj가, 그밖의리드(드레인리드 DL이나게이트리드 GL)보다도소스리드 SL에근접하도록배치되어있게된다. 이결과, 본발명에의하면, 게이트패드 GPj와소스리드 SL 사이의거리를짧게할 수있기때문에, 게이트패드 GPj와소스리드 SL을접속하는와이어 Wgj의길이를짧게할 수있다. 이러한점에서, 본발명에의하면, 와이어 Wgj에존재하는기생인덕턴스를충분히저감할수 있다.

摘要翻译： 并提供了用于提高半导体器件的可靠性的技术。 在本发明中，形成在半导体芯片CHP1的表面上的栅极焊盘GPj被设置为比其他引线（漏极引线DL或栅极引线GL）更靠近源极引线SL。 根据yigyeol本发明，可以缩短栅极焊盘和所述源极引线SL GPJ，GPJ栅极焊盘和所述线之间的距离为源极引线SL WGJ连接uigil它能够减少它。 在这方面，根据本发明，可以充分降低导线Wgj中存在的寄生电感。