VTE를 위한 치환된 1,2,3-트리일리덴트리스(시아노메타닐일리덴)) 사이클로프로판, 이를 사용하는 전자 디바이스 및 반도체 물질
    7.
    发明公开
    VTE를 위한 치환된 1,2,3-트리일리덴트리스(시아노메타닐일리덴)) 사이클로프로판, 이를 사용하는 전자 디바이스 및 반도체 물질 审中-实审
    用于VTE的取代的1,2,3-三亚甲基三(氰亚甲基)环丙烷,电子器件和使用其的半导体材料

    公开(公告)号:KR1020170097707A

    公开(公告)日:2017-08-28

    申请号:KR1020177019758

    申请日:2015-12-16

    摘要: (i) [3]-라디알렌 p-도펀트를증발소스(evaporation source)에로딩하는단계, 및 (ii) 증가된온도및 감소된압력에서 [3]-라디알렌 p-도펀트를증발시키는단계를포함하여, [3]-라디알렌 p-도펀트를포함하는전기적으로도핑된반도체물질을제조하기위한또는 [3]-라디알렌 p-도펀트를포함하는층을함유하는전자디바이스를제조하기위한방법, 각각의 [3]-라디알렌화합물, 및상기화합물을포함하는반도체물질및 층, 및전자디바이스에관한것이며, [3]-라디알렌 p-도펀트가하기화학식 (I)에따른구조를갖는다:상기식에서, A및 A는독립적으로아릴- 또는헤테로아릴-치환된시아노메틸리덴기이고, A및 A에서아릴및/또는헤테로아릴은독립적으로, 4-시아노-2,3,5,6-테트라플루오르페닐, 2,3,5,6-테트라플루오르피리딘-4-일, 4-트리플루오르메틸-2,3,5,6-테트라플루오르페닐, 2,4-비스(트리플루오르메틸)-3,5,6-트리플루오르페닐, 2,5-비스(트리플루오르메틸)-3,4,6-트리플루오르페닐, 2,4,6-트리스(트리플루오르메틸)-1,3-디아진-5-일, 3,4-디시아노-2,5,6-트리플루오르페닐, 2-시아노-3,5,6-트리플루오르피리딘-4-일, 2-트리플루오르메틸-3,5,6-트리플루오르피리딘-4-일, 2,5,6-트리플루오르-1,3-디아진-4-일및 3-트리플루오르메틸-4-시아노-2,5,6-트리플루오르페닐로부터선택되고, 적어도하나의아릴또는헤테로아릴은 2,3,5,6-테트라플루오르피리딘-4-일, 2,4-비스(트리플루오르메틸)-3,5,6-트리플루오르페닐, 2,5-비스(트리플루오르메틸)-3,4,6-트리플루오르페닐, 2,4,6-트리스(트리플루오르메틸)-1,3-디아진-5-일, 3,4-디시아노-2,5,6-트리플루오르페닐, 2-시아노-3,5,6-트리플루오르피리딘-4-일, 2-트리플루오르메틸-3,5,6-트리플루오르피리딘-4-일, 2,5,6-트리플루오르-1,3-디아진-4-일또는 3-트리플루오르메틸-4-시아노-2,5,6-트리플루오르페닐이며, 단 A및 A둘모두에서헤테로아릴은동시에 2,3,5,6-테트라플루오르피리딘-4-일일수 없다.

    摘要翻译: (I)[3] - (II)[3]在升高的温度和减压下蒸发所述无线电阿伦P-掺杂剂无线电装载阿伦对 - 掺杂剂的蒸发源(蒸发源)的一个步骤,并且, 包括,[3] - 阿伦无线电或掺杂有包括的p掺杂物生产半导​​电材料的[3] - 自由基阿伦方法用于制备电子装置,其包括含有的p掺杂物的层, 每个[3]的 - 自由基阿伦化合物,并涉及一种半导体材料和层,以及含有该化合物的电子装置,[3]向无线阿伦P-掺杂剂具有根据式(I)的结构:其中 其中A和A独立地为芳基或杂芳基取代的氰基亚甲基,并且芳基和/或杂芳基中的A和A独立地为4-氰基-2,3,5,6-四氢 - 四氟苯基,2,3,5,6-四氟吡啶-4-基,4-三氟甲基-2,3,5,6-四氟苯基, (三氟甲基)-3,5,6-三氟苯基,2,5-双(三氟甲基)-3,4,6-三氟苯基,2,4,6-三(三氟甲基) 3-二嗪-5-基,3,4-二氰基-2,5,6-三氟苯基,2-氰基-3,5,6-三氟吡啶-5-基, 3,5,6-三氟吡啶-4-基,2,5,6-三氟-1,3-二嗪-4-基和3-三氟甲基 - 至少一个芳基或杂芳基选自2,3,5,6-四氟吡啶-4-基,2,4-双(三氟甲基) 三(三氟甲基)-1,3-二嗪-5-基,3,6-三丁基苯基,2,5-双(三氟甲基) ,4-二氰基-2,5,6-三氟苯基,2-氰基-3,5,6-三氟吡啶-4-基,2-三氟甲基-3,5,6-三氟吡啶 4-基,2,5,6-三氟-1,3-二嗪-4-基硫基 3-三氟甲基-4-氰基氟苯基-2,5,6-树,并在两个阶段A和A的杂芳基是不以每3,5-天,6-四氟-4-同时 。