公开(公告)号：KR101909815B1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：KR1020170050169

申请日：2017-04-19

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 스기타니다쿠미 ,  구루스히토시

IPC分类号： H03F3/60 ,  H03F3/68 ,  H03F1/56

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H01L24/17 ,  H03F1/083 ,  H03F3/187 ,  H03F3/195 ,  H03F3/4508 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/451

摘要： 본발명은집적회로에관한것으로, 고주파수대역에서의이용에적합한다단증폭기를구비한집적회로에관계되어, 다단증폭기를구비하고, 그라운드플레인을거친귀환을억제하는것이가능한집적회로를얻는것을목적으로한다. 발명에따른집적회로는, 제 1 증폭단과, 제 2 증폭단과, 상기제 1 증폭단의출력과상기제 2 증폭단의입력을접속하는제 1 신호선로와, 상기제 1 증폭단에접속된제 1 그라운드플레인과, 상기제 2 증폭단에접속된제 2 그라운드플레인과, 상기제 1 그라운드플레인과상기제 2 그라운드플레인을접속하는적어도 1개의그라운드라인을구비하며, 상기그라운드라인은중심선의길이가 10㎛~1㎜이고, 상기그라운드라인의폭의총합은상기제 1 그라운드플레인의폭의 3분의 1 이하이며, 상기중심선의길이를상기폭의총합으로나눈값인패턴비는 1 이상이다.

公开(公告)号：KR101895019B1

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：KR1020177012160

申请日：2011-07-18

申请人： 테세라, 인코포레이티드

发明人： 하바벨가셈

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/66 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/45099

摘要： 기판(230), 예컨대칩과같은마이크로전자요소(170), 및단자(240)를갖는마이크로전자패키지(290)는, 칩의요소컨택및 기판의컨택과전기접속되는도전성요소(238)를가질수 있다. 도전성요소는상이한전기전위를동시에운반하기위해서로전기절연될수 있다. 인캡슐런트(201)가, 기판의제1 표면(136)과, 기판으로부터원격으로위치하는마이크로전자요소의면(672)의적어도일부분위에위치할수 있으며, 마이크로전자요소위에주표면(200)을가질수 있다. 복수의패키지컨택(120, 220, 408, 410, 427)이기판으로부터원격으로위치하는마이크로전자요소의면(672) 위에위치할수 있다. 예컨대도전성매스(410) 또는실질적으로강성의포스트(120, 220)와같은패키지컨택이도전성요소를통해서와같이기판(230)의단자(240)와전기적으로상호접속될수 있다. 패키지컨택은인캡슐런트(201)의주표면(200)에서적어도부분적으로노출되는상면(121)을가질수 있다.

公开(公告)号：KR20180064297A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：KR20170162857

申请日：2017-11-30

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/49582 ,  G01R33/00 ,  G01R33/64 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 본발명은복수의리드를포함하고, 복수의리드의적어도두 개의리드(13, 14)를연결하는전기적전도성경로를형성하는전류전도체를포함하는리드프레임(1)을포함하는집적회로패키지(10)에관한것이다. 또한, 패키지는집적회로를포함하고, 마주보는제1 및제2 표면을가진반도체다이(2)를포함하며, 상기제1 표면은전류전도체에가까이있다. 적어도두 개의리드들의각각은제1 표면에수직방향으로반도체다이로부터리드를국부적으로이격시키는그루브(4)를포함하고, 그루브(4)는반도체다이의모서리에오버랩되는리드의일부를적어도포함한다.

公开(公告)号：KR20180056686A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：KR20187010749

申请日：2016-09-20

申请人： QUALCOMM INC

发明人： VELEZ MARIO FRANCISCO ,  BERDY DAVID FRANCIS ,  YUN CHANGHAN HOBIE ,  KIM JONGHAE ,  ZUO CHENGJIE ,  KIM DAEIK DANIEL ,  LAN JE HSIUNG JEFFREY ,  MUDAKATTE NIRANJAN SUNIL ,  MIKULKA ROBERT PAUL

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0905

摘要： 웨이퍼레벨패키지 (wafer level package; WLP) 에서의집적회로디바이스는개선된솔더접합신뢰성을위하여접착제들로충전된캐비티들로제조된볼 그리드어레이 (ball grid array; BGA) 볼들을포함한다.

公开(公告)号：KR20180054817A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：KR20187011413

申请日：2016-10-11

申请人： INVENSAS CORP

发明人： AWUJOOLA ABIOLA ,  SUN ZHUOWEN ,  ZOHNI WAEL ,  PRABHU ASHOK S ,  SUBIDO WILLMAR

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/48 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4942 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： 일반적으로간섭으로부터의보호를갖는마이크로전자패키지에관한장치가개시된다. 그의장치에서, 기판이상부표면및 상부표면반대편의하부표면을갖고접지평면을갖는다. 제1 마이크로전자디바이스가기판의상부표면에결합된다. 와이어본드와이어가접지평면으로간섭을전도하기위해접지평면에결합되고기판의상부표면으로부터멀어지게연장된다. 와이어본드와이어의제1 부분이간섭에대해제1 마이크로전자디바이스를위한차폐영역을제공하도록위치된다. 와이어본드와이어의제2 부분이차폐영역을제공하도록위치되지않는다. 제2 마이크로전자디바이스가기판에결합되고차폐영역외부에위치된다. 전도성표면이차폐영역을덮기위해와이어본드와이어의제1 부분위에있다.

公开(公告)号：KR20180054419A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：KR20170121397

申请日：2017-09-20

申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MFG CO LTD

发明人： SHIH YING CHING ,  WU CHI HSI ,  YU CHEN HUA ,  WU CHIH WEI ,  LIN JING CHENG ,  WANG PU ,  LU SZU WEI

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/074 ,  H01L25/117 ,  H01L25/50 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541

摘要： 일실시형태는, 제1 전기커넥터를이용하여제1 다이를인터포저(interposer)의제1 면에본딩하는단계와, 제2 전기커넥터를이용하여제2 다이를상기인터포저의제1 면에본딩하는단계와, 상기제2 다이에인접하여상기인터포저의상기제1 면에제1 더미다이를부착하는단계와, 상기제1 다이, 상기제2 다이, 및상기제1 더미다이를밀봉제(encapsulant)로밀봉하는단계와, 상기인터포저와상기제1 더미다이를개별화(singulating)하여패키지구조를형성하는단계를포함하는방법이다.

公开(公告)号：KR20180023488A

公开(公告)日：2018-03-07

申请号：KR20160108941

申请日：2016-08-26

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/433 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/19105

摘要： 본발명의반도체패키지는양면에전자부품이배치되는제1기판; 상기제1기판의일 면에배치되는제2기판; 상기제1기판의양면에배치되어상기전자부품을덮는밀봉부재; 상기제2기판에배치되는제1도전성부재; 및상기밀봉부재에배치되고상기제1도전성부재와연결되는제2도전성부재;를포함한다.

摘要翻译： 半导体封装包括第一基板，第二基板，密封构件，第一导电构件和第二导电构件。 电子部件设置在第一基板的两个表面上。 第二基板设置在第一基板的表面上。 密封构件设置在第一基板的两个表面上以覆盖电子组件。 第一导电构件设置在第二基板上。 第二导电构件设置在与第一导电构件连接的密封构件上。

公开(公告)号：KR101829751B1

公开(公告)日：2018-02-19

申请号：KR1020160152327

申请日：2016-11-16

申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼

发明人： 토요타유지

IPC分类号： H03H9/25 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00 ,  H03H9/05

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/175 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/142 ,  H03H9/0576 ,  H03H9/059 ,  H03H9/1085 ,  H01L2924/00012

摘要： 플립칩실장된복수의전자부품을포함하고, 표면의평탄성이뛰어난 CSP형전자디바이스를제공한다. 전자디바이스(1)는, 실장기판(10)과, 실장기판(10)의표면에, 범프(21 및 22)를통해플립칩실장되어있는전자부품(11 및 12)과, 전자부품(11 및 12)을실장기판(10) 상에봉지하기위한봉지부재(13)를포함하고, 전자부품(11)의두께(tx)는, 전자부품(12)의두께(tx)보다도두꺼우면서, 전자부품(11)에접합된범프(21)의높이(ty)는, 전자부품(12)에접합된범프(22)의높이(ty)보다도낮다.

摘要翻译： 提供了一种CSP型电子装置，其包括多个倒装芯片安装的电子部件并具有优异的表面平坦度。 电子设备1包括安装基板10和通过安装基板10的表面上的凸块21和22倒装安装的电子组件11和12， 以及密封部件13，用于将电子部件12密封在安装基板10上。电子部件11的厚度tx大于电子部件12的厚度tx， 结合到电子部件11的凸块21的高度ty低于结合到电子部件12的凸块22的高度ty。

公开(公告)号：KR20180004658A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：KR20170079029

申请日：2017-06-22

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/00 ,  H01L23/28 ,  H01L23/498 ,  H01L23/58 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/49105 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/37001

摘要： 본발명은반도체장치를공개한다. 반도체장치는수직으로스태킹되고서로연결된적어도하나의제1 반도체패키지와제2 반도체패키지를포함한다. 제2 반도체패키지와호스트장치사이의신호통신은제1 반도체패키지를통해발생된다. 본발명은제품의수율을향상시킨다.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，包括至少第一和第二垂直堆叠且互连的半导体封装。 第二半导体封装与主机装置之间的信号通信通过第一半导体封装发生。

公开(公告)号：KR101801137B1

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：KR1020110015162

申请日：2011-02-21

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 정세영 ,  조태제 ,  송호건 ,  이규하

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/683 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05109 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 반도체장치의제조방법이제공된다. 이방법은제 1 면및 제 1 면에대향하는제 2 면을갖는기판을준비하는것, 기판의제 1 면으로부터기판의적어도일부를노출하는비아홀을형성하는것, 비아홀의내벽에제 1 절연막을형성하는것, 제 1 절연막이형성된비아홀의내부를채우는도전성연결부를형성하는것, 도전성연결부가노출될때까지기판의제 2 면을연마하는것, 및기판의제 2 면상에전자융합방법을이용하여선택적으로제 2 절연막을형성하는것을포함한다.

摘要翻译： 提供了一种制造半导体器件的方法。 该方法以制备具有面对所述第一表面和所述第一表面的第二表面的衬底，以通孔的至少暴露从该衬底的第一表面上的所述衬底的一部分，在通孔的第一在内壁形成一个 以形成绝缘膜，以形成用于通孔在所述第一绝缘膜填充所述内部的第一导电连接形成，以直到导电连接部露出抛光所述衬底的所述第二表面，和在所述衬底的第二侧上的电子稠合 选择性地形成第二绝缘膜。