公开(公告)号：KR101902091B1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：KR1020167029247

申请日：2015-04-21

申请人： 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤 ,  닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤

发明人： 오야마다데츠야 ,  우노도모히로 ,  데아이히로유키

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/48 ,  C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/302 ,  B32B15/018 ,  B32B15/20 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43827 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033

摘要： 볼접합부의접합신뢰성, 볼형성성을개선하여, 차량탑재용디바이스에적합한본딩와이어를제공한다. Cu 합금코어재와, 상기 Cu 합금코어재의표면에형성된 Pd 피복층을갖는반도체장치용본딩와이어에있어서, 상기 Cu 합금코어재가 Ni를포함하고, 와이어전체에대한 Ni의농도가 0.1 내지 1.2wt.%이며, 상기 Pd 피복층의두께가 0.015 내지 0.150㎛인것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101808478B1

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：KR1020167032944

申请日：2011-08-16

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 모텐슨,러셀 ,  닉커슨,로버트 ,  왓츠,니콜라스

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1511 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/381 ,  H05K1/113 ,  H05K3/4038 ,  Y10T29/49124 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 오프셋인터포저는랜드면 BGA(ball-grid array)를포함하는랜드면 및 POP(package-on-package) 면 BGA를포함하는 POP 면을포함한다. 랜드면 BGA는 2개의인접한, 이격된랜드면 패드를포함하고, POP 면 BGA는오프셋인터포저를통해각각의 2개의랜드면 BGA 패드에결합되는 2개의인접한, 이격된 POP 면패드를포함한다. 랜드면 BGA는제1 레벨인터커넥트와인터페이스하도록구성된다. POP 면 BGA는 POP 기판과인터페이스하도록구성된다. 각각의 2개의랜드면 패드는각각의 2개의 POP 면패드와상이한풋프린트를갖는다.

公开(公告)号：KR1020170113528A

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：KR1020177009883

申请日：2015-06-05

申请人： 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 ,  신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤

发明人： 오다다이조 ,  에토모토키 ,  야마다다카시 ,  하이바라데루오 ,  오이시료 ,  우노도모히로 ,  오야마다데츠야

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/495 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L24/45 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45609 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85054 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/8509 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 표면에 Pd 피복층을갖는 Cu 본딩와이어에있어서, 고온고습환경에서의볼 접합부의접합신뢰성을개선하고, 차량탑재용디바이스에적합한본딩와이어를제공한다. Cu 합금코어재와, 상기 Cu 합금코어재의표면에형성된 Pd 피복층을갖는반도체장치용본딩와이어에있어서, 본딩와이어가 In을 0.011∼1.2질량% 포함하고, Pd 피복층의두께가 0.015∼0.150㎛이다. 이에의해, 고온고습환경하에서의볼 접합부의접합수명을향상시키고, 접합신뢰성을개선할수 있다. Cu 합금코어재가 Pt, Pd, Rh, Ni의 1종이상을각각 0.05∼1.2질량% 함유하면, 175℃이상의고온환경에서의볼 접합부신뢰성을향상시킬수 있다. 또한, Pd 피복층의표면에 Au 표피층을더 형성하면웨지접합성이개선된다.

摘要翻译： 本发明提供一种表面具有Pd被覆层的Cu接合线，提高高温高湿环境下球接头的接合可靠性，提供一种适合于车载装置的接合线。 Cu合金芯材和在所述Cu合金芯材的表面上形成的Pd涂层，其中，所述接合线包含0.011质量％至1.2质量％的In，并且所述Pd涂层的厚度为0.015至0.150。 这提高了球窝接头在高温高湿环境下的接合寿命，并提高了接合可靠性。 当Cu合金芯材包含0.05至1.2质量％的Pt，Pd，Rh和Ni中的至少一种时，球形接头在175캜或更高的高温环境下的可靠性可以得到改善。 此外，在Pd涂层表面上形成的Au表层提高了楔形键合性能。

公开(公告)号：KR1020170097141A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：KR1020177019875

申请日：2015-12-07

申请人： 다츠다 덴센 가부시키가이샤

发明人： 하세가와츠요시 ,  삼수딘하지크

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/45114 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： FAB 형성시의분위기가스를질소가스로한 경우에도양호한형상의 FAB를형성할수 있으면서, FAB를전극에접촉시켜짓이겼을때의형상을양호한원형으로할 수있는구리본딩와이어를제공한다. 금의함유량이 0.5질량% 이상 5.0질량% 이하, 황의함유량이 1 질량 ppm 이상 15 질량 ppm 이하이며, 잔부가구리및 불가피불순물로이루어지는것으로한다.

摘要翻译： 即使当氮气的气氛气体在形成时，同时FAB FAB可以形成优选的形状，所述接触FAB向电极提供了一种铜接合线的节拍的形状时具有良好的圆形完成。 和金或小于0.5％的含量按重量计5.0％质量以下，硫含量大于或按重量计15重量ppm的等于1ppm，且由铜和不可避免的杂质的余额。

公开(公告)号：KR1020160101502A

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：KR1020150024174

申请日：2015-02-17

申请人： 한국전자통신연구원

发明人： 김명회

IPC分类号： H01L23/053 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/057 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/053 ,  H01L23/4951 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： RF 패키지내 인터커넥트구조의설계자유도를높이고성능을개선시키는방법이제공된다. 일실시예에따른 RF 패키지는패키지베이스, 상기패키지베이스상에마운트된반도체다이, 상기패키지베이스상에형성되고, 하나이상의결함기판구조를포함하는패키지기판; 및상기패키지기판의일면에형성되고, 상기반도체다이와전기적으로연결되는컨덕팅패턴을포함할수 있다. 상기하나이상의결함기판구조는평면도시점에서볼 때상기컨덕팅패턴의적어도일부와겹쳐질수 있다.

摘要翻译： 提供了RF封装及其制造方法，其增加了RF封装中的互连结构的设计自由度并提高了性能。 根据本发明的实施例，RF封装包括：封装基座; 安装在封装基座上的半导体管芯; 封装基板，其形成在所述封装基板上并且包括一个或多个缺陷的基板结构; 以及形成在封装基板的一个表面上并与半导体管芯电连接的导电图案。 一个或多个缺陷的衬底结构在平面图中与导电图案的至少一部分重叠。

公开(公告)号：KR1020160098397A

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：KR1020167018870

申请日：2014-12-04

申请人： 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤 ,  닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤

发明人： 우노도모히로 ,  하기와라요시아키 ,  오야마다데츠야 ,  오다다이조

IPC分类号： H01L23/00 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C9/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/322 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C9/06 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45032 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45163 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45166 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/386 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01203

摘要： 이상루프의발생을저감할수 있는본딩와이어를제공한다. 금속 M을 50mol% 초과포함하는코어재와, 상기코어재의표면에형성되고, Ni, Pd, 상기금속 M 및불가피불순물을포함하고, 상기 Ni의농도가 15 내지 80mol%인중간층과, 상기중간층상에형성되고, Ni, Pd 및불가피불순물을포함하고, 상기 Pd의농도가 50 내지 100mol%인피복층을구비하고, 상기금속 M이 Cu 또는 Ag이고, 상기피복층의 Ni 농도가상기중간층의 Ni 농도보다낮은것을특징으로한다.

摘要翻译： 提供能够减少有缺陷环的发生的接合线。 接合线包括：包含大于50摩尔％的金属M的芯材料; 在芯材的表面上形成由Ni，Pd，金属M和不可避免的杂质构成的中间层，其中Ni的浓度为15〜80摩尔％。 以及形成在中间层上并由Ni，Pd和不可避免的杂质构成的涂层。 涂层中Pd的浓度为50〜100摩尔％。 金属M是Cu或Ag，并且涂层中的Ni的浓度低于中间层中的Ni的浓度。

公开(公告)号：KR101633414B1

公开(公告)日：2016-06-24

申请号：KR1020157034061

申请日：2015-03-31

申请人： 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 ,  신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤

发明人： 야마다다카시 ,  오다다이조 ,  오이시료 ,  하이바라데루오 ,  우노도모히로

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/495 ,  H01L21/324 ,  C22F1/14 ,  C22F1/00 ,  C22C5/08 ,  C22C5/06

CPC分类号： H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005

摘要： 리닝불량과스프링불량을모두억제하기위해서, (1) 와이어중심을포함해서와이어길이방향으로평행한단면(와이어중심단면)에있어서, 긴직경(a)과짧은직경(b)의비(a/b)가 10 이상이며또한면적이 15㎛이상인결정립(섬유상조직)이존재하지않고, (2) 와이어중심단면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 50% 이상 90% 이하이고, (3) 와이어표면에있어서의, 와이어길이방향의결정방위를측정한결과, 상기와이어길이방향에대하여각도차가 15° 이하인결정방위 의존재비율이면적률로 50% 이상 90% 이하인것을특징으로하는반도체장치용본딩와이어. 신선공정중에감면율이 15.5% 이상의신선가공을적어도 1회행하고, 최종열처리온도와최종전 열처리온도를소정범위로한다.

摘要翻译： 用于半导体器件的接合线，其中通过（1）在包含线中心并且平行于线纵向（线中心横截面）的横截面中抑制倾斜故障和弹簧故障，不存在具有 长轴“a”的比率a / b和短轴“b”为10以上，面积为15μm2以上（“纤维织构”），（2）在测定线中的晶体方向时 线中心横截面的纵向方向，晶体方向<100>相对于导线纵向的角度差为15°以下的面积比为50％〜90％，（3） 当在线表面测量线长度方向的晶体方向时，晶体方向<100>相对于线长度方向的角度差为15°以下的面积比为50％〜90％ 。 在绘制陡峭期间，至少进行一次具有15.5％以上的面积减小率的绘图操作。 将最终的热处理温度和预热处理温度设定为预定范围。

公开(公告)号：KR1020160030777A

公开(公告)日：2016-03-21

申请号：KR1020140120384

申请日：2014-09-11

申请人： 엠케이전자 주식회사

发明人： 이종철 ,  김상엽 ,  정도현 ,  홍성재 ,  김승현 ,  허영일 ,  문정탁

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L2224/45139 ,  H01L2924/00011 ,  H01L24/45 ,  H01L21/324 ,  H01L23/4952 ,  H01L24/43 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005

摘要： 본발명의기술적사상에따른은 합금본딩와이어는, 은(Ag)을주성분으로하고, 팔라듐(Pd) 및금(Au)을포함하는은 합금본딩와이어로서, 중심부에종횡비가 3 이상인결정립의비율이 10 내지 40%인것을특징으로하며, 본발명의기술적사상에따른은 합금본딩와이어의제조방법은은(Ag)을주성분으로하고, 팔라듐(Pd) 및금(Au)을포함하는합금피스를제조하는단계, 합금피스를신선및 열처리하는단계를포함하고, 합금피스를신선및 열처리하는단계는, 합금피스를신선하여얻은세선의단면감소율이 90% 이상이되기전에열처리를수행하는단계를포함하고, 열처리는와이어의연신율이 5 내지 20%로수행되는것을특징으로한다.

摘要翻译： 根据本发明的技术思想的银合金接合线是以银（Ag）为主要成分，钯（Pd）和金（Au）的银合金接合线。 根据银合金接合线，其中心的长宽比等于或高于3的颗粒的比例为10-40％。 根据本发明的技术思想的制造银合金接合线的方法包括：制造包含银（Ag）作为主要成分的合金片，钯（Pd）和金（Au） ; 以及包含银（Ag）作为主要成分并包含钯（Pd）和金（Au）的合金片的步骤。 以及对合金片进行新鲜和热处理的步骤。 进行合金片的新鲜和热处理的步骤包括在通过进行新的处理合金片所获得的细线的截面减小率为90％以上进行热处理的步骤，进行热处理 线延伸率为5-20％。

公开(公告)号：KR1020160023969A

公开(公告)日：2016-03-04

申请号：KR1020140108951

申请日：2014-08-21

申请人： 주식회사 에스에프에이반도체

发明人： 손종명

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/73265 ,  H01L25/074 ,  H01L24/43 ,  H01L24/44 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 본발명은적층형반도체패키지, 적층형반도체패키지의와이어본딩장치및 그제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는인터포저가반도체칩상에직접형성되고별도의인터포저칩을사용하지않기때문에반도체패키지의크기(두께)를줄일수 있고공정을간소화할수 있으며, 기존에반도체제조장치에설치된캐필러리를활용하여손쉽게인터포저를설치할수 있고, 와이어길이를줄일수 있는것은물론, short 불량을없앨수 있는적층형반도체패키지, 적층형반도체패키지의와이어본딩장치및 그제조방법에관한것이다.

摘要翻译： 叠层半导体封装技术领域本发明涉及层叠半导体封装的叠层半导体封装的引线接合装置及其制造方法，更具体地说，涉及堆叠半导体封装，层叠半导体封装的引线键合装置及其制造方法 可以通过在半导体芯片上直接形成插入件而不使用附加的插入片来缩小半导体封装的尺寸（厚度），并且可以简化工艺，并且可以通过使用安装在现有的半导体制造装置中的毛细管来容易地安装插入器 ，并可以缩短电线长度，也可以消除短缺。

公开(公告)号：KR1020160007663A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：KR1020157036378

申请日：2015-01-20

申请人： 다츠다 덴센 가부시키가이샤

发明人： 하세가와츠요시 ,  구로사키유지

IPC分类号： H01L23/00 ,  C22C5/06

CPC分类号： H01L24/745 ,  C22C5/06 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45609 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01062 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01049

摘要： 표면의변색및 접합시의반도체소자의손상을억제할수 있고연속본딩성이뛰어나며, 또한생산성도뛰어난, 심재에 Ag를함유하는본딩와이어가제공된다. Ag를 75중량% 이상함유하는심재, 및이 심재의외주면위에형성된변색방지층(14)을가지는본딩와이어로서, 변색방지층이적어도 1개의티올기를가지는탄소수 8~18의지방족유기화합물적어도 1종과, 계면활성제적어도 1종을함유하는수용액을심재의외주면에도포함으로써형성된다.