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    半導體裝置之製造方法
    95.
    发明专利
    半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体设备之制造方法

    公开(公告)号：TW201511229A

    公开(公告)日：2015-03-16

    申请号：TW103116523

    申请日：2014-05-09

    申请人： PS4盧克斯科公司 ,  PS4 LUXCO S. A. R. L.

    发明人： 迫信行 ,  SAKO, NOBUYUKI ,  蓮沼英司 ,  HASUNUMA, EIJI ,  大塚啓介 ,  OTSUKA, KEISUKE

    IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/92

    摘要： 本發明係一種半導體裝置之製造方法，其中，半導體裝置之製造方法係於半導體基板的上方，形成包含具有上面及側面之突出部的導電層，於導電層之上方，一致性地依序形成板電極層，光罩層及光阻層，呈使對向於光阻層之突出部的上面及側面的部分殘留地，圖案化光阻層而使光罩層之一部分露出，將加以圖案化之光阻層作為光罩而蝕刻光罩層，除去光罩層之露出部分之同時，使經由此等所形成之光罩層之緣部後退，將蝕刻後殘留之光罩層作為光罩，而蝕刻板電極層者。

    简体摘要： 本发明系一种半导体设备之制造方法，其中，半导体设备之制造方法系于半导体基板的上方，形成包含具有上面及侧面之突出部的导电层，于导电层之上方，一致性地依序形成板电极层，光罩层及光阻层，呈使对向于光阻层之突出部的上面及侧面的部分残留地，图案化光阻层而使光罩层之一部分露出，将加以图案化之光阻层作为光罩而蚀刻光罩层，除去光罩层之露出部分之同时，使经由此等所形成之光罩层之缘部后退，将蚀刻后残留之光罩层作为光罩，而蚀刻板电极层者。

    儲存元件，儲存裝置，製造儲存元件之方法，及磁頭
    97.
    发明专利
    儲存元件，儲存裝置，製造儲存元件之方法，及磁頭 审中-公开
    存储组件，存储设备，制造存储组件之方法，及磁头

    公开(公告)号：TW201507106A

    公开(公告)日：2015-02-16

    申请号：TW103117218

    申请日：2014-05-15

    申请人： 新力股份有限公司 ,  SONY CORPORATION

    发明人： 大森廣之 ,  OHMORI, HIROYUKI ,  細見政功 ,  HOSOMI, MASANORI ,  別所和宏 ,  BESSHO, KAZUHIRO ,  肥後豊 ,  HIGO, YUTAKA ,  山根一陽 ,  YAMANE, KAZUTAKA ,  內田裕行 ,  UCHIDA, HIROYUKI

    IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： 本發明提供一種儲存元件，其包含一層結構，該層結構包含：一儲存層，其包含垂直於膜表面之磁化，其中對應於資訊改變磁化方向；一磁化固定層，其包含變成儲存於該儲存層上之資訊之一參考之垂直於該膜表面之磁化；一穿隧障壁層，其由提供於該儲存層與該磁化固定層之間之氧化物製成；及一自旋障壁層，其由經提供接觸該儲存層與接觸該穿隧障壁層之表面相對之側之表面之氧化物製成。一低電阻區域形成於經形成具有一預定設定膜厚度值之該自旋障壁層之一部分中，且藉由憑藉在該層結構之堆疊方向上流動之電流改變該儲存層之該磁化方向而執行該儲存層上之資訊儲存。

    简体摘要： 本发明提供一种存储组件，其包含一层结构，该层结构包含：一存储层，其包含垂直于膜表面之磁化，其中对应于信息改变磁化方向；一磁化固定层，其包含变成存储于该存储层上之信息之一参考之垂直于该膜表面之磁化；一穿隧障壁层，其由提供于该存储层与该磁化固定层之间之氧化物制成；及一自旋障壁层，其由经提供接触该存储层与接触该穿隧障壁层之表面相对之侧之表面之氧化物制成。一低电阻区域形成于经形成具有一预定设置膜厚度值之该自旋障壁层之一部分中，且借由凭借在该层结构之堆栈方向上流动之电流改变该存储层之该磁化方向而运行该存储层上之信息存储。

    積體電路元件構造及其製法
    98.
    发明专利
    積體電路元件構造及其製法 审中-公开
    集成电路组件构造及其制法

    公开(公告)号：TW201503325A

    公开(公告)日：2015-01-16

    申请号：TW102123660

    申请日：2013-07-02

    申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    发明人： 洪慶文 ,  HUNG, CHING WEN ,  黃志森 ,  HUANG, CHIH SEN

    IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L23/52

    摘要： 本發明揭示一種積體電路元件構造，其中，擴散區係形成於基板中，延伸導體結構與擴散區接觸並沿基板表面向外延伸至擴散區以外一位置，另一延伸導體結構與擴散區接觸，跳接導體結構跨置於二個延伸導體結構上而用以將此二者予以電連接，跳接導體結構可越過一或多個閘極結構，接觸結構穿過介電層而接觸跳接導體結構，金屬導線與接觸結構接觸。

    简体摘要： 本发明揭示一种集成电路组件构造，其中，扩散区系形成于基板中，延伸导体结构与扩散区接触并沿基板表面向外延伸至扩散区以外一位置，另一延伸导体结构与扩散区接触，跳接导体结构跨置于二个延伸导体结构上而用以将此二者予以电连接，跳接导体结构可越过一或多个闸极结构，接触结构穿过介电层而接触跳接导体结构，金属导线与接触结构接触。