公开(公告)号：TWI445161B

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：TW101101774

申请日：2012-01-17

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 常虹 ,  CHANG, HONG ,  陳 軍 ,  CHEN, JOHN

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：TWI593108B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW104139119

申请日：2015-11-25

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 李亦衡 ,  LEE, YEEHANG ,  管靈鵬 ,  GUAN, LINGPENG ,  薛 宏勇 ,  XUE, HONGYONG ,  顧 一鳴 ,  GU, YIMING ,  向泱 ,  XIANG, YANG ,  黃 士彰 ,  HUANG, TERENCE ,  謝卡爾 拉瑪莫西 ,  RAMAMOORTHY, SEKAR ,  李文軍 ,  LI, WENJUN ,  常 虹 ,  CHANG, HONG ,  馬督兒 博德 ,  BOBDE, MADHUR ,  保羅 托魯普 ,  THORUP, PAUL ,  哈姆紥 依瑪茲 ,  YILMAZ, HAMZA

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/088 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

公开(公告)号：TW201639160A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105102024

申请日：2016-01-22

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 李文軍 ,  LI, WENJUN ,  保羅 托魯普 ,  THORUP, PAUL ,  常 虹 ,  CHANG, HONG ,  李亦衡 ,  LEE, YEEHANG ,  向泱 ,  XIANG, YANG ,  鄧 覺為 ,  DUN, JOWEI ,  薛 宏勇 ,  XUE, HONGYONG ,  顧 一鳴 ,  GU, YIMING

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/4236

摘要： 本發明提出了一種位於半導體基底中含有有源晶胞區和端接區的半導體功率元件及其製備方法。半導體功率元件包含複數個柵極溝槽，其形成在有源晶胞區中半導體基底的頂部，其中每個柵極溝槽都用導電柵極材料部分填充；柵極溝槽的頂部用高密度等離子（HDP）氧化層填充。該半導體功率元件更包含位於柵極溝槽之間的半導體基底的檯面結構區，其中檯面結構區凹陷下去，頂部檯面結構表面垂直位於HDP氧化層的頂面以下，其中覆蓋在導電柵極材料上方的HDP氧化層構成一凸起邊界限定層，以包圍著柵極溝槽之間有源晶胞區中的凹陷檯面結構區。

简体摘要： 本发明提出了一种位于半导体基底中含有有源晶胞区和端接区的半导体功率组件及其制备方法。半导体功率组件包含复数个栅极沟槽，其形成在有源晶胞区中半导体基底的顶部，其中每个栅极沟槽都用导电栅极材料部分填充；栅极沟槽的顶部用高密度等离子（HDP）氧化层填充。该半导体功率组件更包含位于栅极沟槽之间的半导体基底的台面结构区，其中台面结构区凹陷下去，顶部台面结构表面垂直位于HDP氧化层的顶面以下，其中覆盖在导电栅极材料上方的HDP氧化层构成一凸起边界限定层，以包围着栅极沟槽之间有源晶胞区中的凹陷台面结构区。

公开(公告)号：TWI552349B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW103107875

申请日：2014-03-07

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 李亦衡 ,  LEE, YEEHENG ,  金鐘五 ,  KIM, JONGOH ,  常虹 ,  CHANG, HONG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201622147A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：TW104139119

申请日：2015-11-25

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 李亦衡 ,  LEE, YEEHANG ,  管靈鵬 ,  GUAN, LINGPENG ,  薛 宏勇 ,  XUE, HONGYONG ,  顧 一鳴 ,  GU, YIMING ,  向泱 ,  XIANG, YANG ,  黃 士彰 ,  HUANG, TERENCE ,  謝卡爾 拉瑪莫西 ,  RAMAMOORTHY, SEKAR ,  李文軍 ,  LI, WENJUN ,  常 虹 ,  CHANG, HONG ,  馬督兒 博德 ,  BOBDE, MADHUR ,  保羅 托魯普 ,  THORUP, PAUL ,  哈姆紥 依瑪茲 ,  YILMAZ, HAMZA

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/088 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 多個柵極溝槽形成在有源晶胞區中的半導體基板中。至少一其他溝槽形成在不同區域。每個柵極溝槽都具有在底部的第一導電材料，以及在頂部的第二導電材料。在柵極溝槽中，第一絕緣層將第一導電材料與基板隔開，第二絕緣層將第二導電材料與基板隔開，第三絕緣層將第一導電材料和第二導電材料隔開。至少一其他溝槽都含有一部分第一導電材料，呈半U型，在其他溝槽底部，以及第二導電材料在其他溝槽頂部。在其他溝槽中，第三絕緣層將第一導電材料和第二導電材料隔開。第一絕緣層的厚度大於第三絕緣層的厚度，第三絕緣層的厚度大於第二絕緣層的厚度。

简体摘要： 多个栅极沟槽形成在有源晶胞区中的半导体基板中。至少一其他沟槽形成在不同区域。每个栅极沟槽都具有在底部的第一导电材料，以及在顶部的第二导电材料。在栅极沟槽中，第一绝缘层将第一导电材料与基板隔开，第二绝缘层将第二导电材料与基板隔开，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。至少一其他沟槽都含有一部分第一导电材料，呈半U型，在其他沟槽底部，以及第二导电材料在其他沟槽顶部。在其他沟槽中，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。第一绝缘层的厚度大于第三绝缘层的厚度，第三绝缘层的厚度大于第二绝缘层的厚度。

公开(公告)号：TW201541523A

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW104111041

申请日：2015-04-02

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 李亦衡 ,  LEE, YEEHENG ,  雷 燮光 ,  LUI, SIK K. ,  金鐘五 ,  KIM, JONGOH ,  常 虹 ,  CHANG, HONG ,  博德 馬督兒 ,  BOBDE, MADHUR ,  管靈鵬 ,  GUAN, LINGPENG ,  耶爾馬茲 哈姆紮 ,  YILMAZ, HAMZA

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28114 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

摘要： 本發明提出了一種在分裂閘極溝槽電晶體器件中的接觸結構，用於連接溝槽內的頂部電極和底部電極。包括一個半導體基板以及形成在半導體基板中的一個或多個溝槽。沿溝槽內部側壁，溝槽內襯絕緣材料。在每個溝槽底部都有一個底部電極，在每個溝槽頂部都有一個頂部電極。底部電極和頂部電極通過絕緣材料分隔開。用導電材料填充的接觸結構形成在器件有源區以外的區域中的每個溝槽中，以便連接頂部電極和底部電極。

简体摘要： 本发明提出了一种在分裂闸极沟槽晶体管器件中的接触结构，用于连接沟槽内的顶部电极和底部电极。包括一个半导体基板以及形成在半导体基板中的一个或多个沟槽。沿沟槽内部侧壁，沟槽内衬绝缘材料。在每个沟槽底部都有一个底部电极，在每个沟槽顶部都有一个顶部电极。底部电极和顶部电极通过绝缘材料分隔开。用导电材料填充的接触结构形成在器件有源区以外的区域中的每个沟槽中，以便连接顶部电极和底部电极。

公开(公告)号：TWI459476B

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW099128874

申请日：2010-08-27

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 李亦衡 ,  LEE, YEEHENG ,  戴嵩山 ,  TAI, SUNG-SHAN ,  常虹 ,  CHANG, HONG ,  陳 軍 ,  CHEN, JOHN

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66734

公开(公告)号：TW201427022A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW102145738

申请日：2013-12-11

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 李亦衡 ,  LEE, YEEHENG ,  常虹 ,  CHANG, HONG ,  金鐘五 ,  KIM, JONGOH ,  雷 燮光 ,  LUI, SIK ,  耶爾馬茲 哈姆紮 ,  YILMAZ, HAMZA ,  博德 馬督兒 ,  BOBDE, MADHUR ,  卡拉夫特 丹尼爾 ,  CALAFUT, DANIEL ,  陳 軍 ,  CHEN, JOHN

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0292 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提出了一種帶有自對准源極接觸的高密度溝槽功率MOSFET。源極接觸與第一絕緣墊片和第二絕緣墊片自對准，其中第一墊片可以抵抗選擇性除去第二墊片制備材料的刻蝕工藝。另外，有源器件具有二階閘極氧化物，其中閘極氧化物的底部厚度T2大於閘極氧化物頂部的厚度T1。

简体摘要： 本发明提出了一种带有自对准源极接触的高密度沟槽功率MOSFET。源极接触与第一绝缘垫片和第二绝缘垫片自对准，其中第一垫片可以抵抗选择性除去第二垫片制备材料的刻蚀工艺。另外，有源器件具有二阶闸极氧化物，其中闸极氧化物的底部厚度T2大于闸极氧化物顶部的厚度T1。

公开(公告)号：TWI436434B

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：TW100104356

申请日：2011-02-10

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 常虹 ,  CHANG, HONG ,  蘇毅 ,  SU, YI ,  李文軍 ,  LI, WENJUN ,  翁麗敏 ,  WENG, LIMIN ,  陳開宇 ,  CHEN, GARY ,  金鐘五 ,  KIM, JONGOH ,  陳 軍 ,  CHEN, JOHN

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/283 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：TW201314918A

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：TW101134695

申请日：2012-09-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 高 立德 ,  CALAFUT, DANIEL ,  蘇毅 ,  SU, YI ,  金鐘五 ,  KIM, JONGOH ,  常虹 ,  CHANG, HONG ,  哈姆紥 依瑪茲 ,  YILMAZ, HAMZA ,  伍時謙 ,  NG, DANIEL S.

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/872

摘要： 本發明係有關於一種帶有整合肖特基能障二極體的溝槽MOSFET器件，其中肖特基二極體包括一個形成在半導體襯底上的半導體層；形成在半導體層中的第一和第二溝槽，其中第一和第二溝槽內襯薄電介質層，並用溝槽導體層部分填充，第一電介質層填充第一和第二溝槽的剩餘部分；以及一個形成在第一和第二溝槽之間的半導體層頂面上的肖特基金屬層。所形成的肖特基二極體中，肖特基金屬層作為陽極，第一和第二溝槽之間的半導體層作為陰極。每個第一和第二溝槽中的溝槽導體層電連接到肖特基二極體的陽極。在一個實施例中，所形成的肖特基二極體與溝槽場效應電晶體整合在同一個半導體襯底上。

简体摘要： 本发明系有关于一种带有集成肖特基能障二极管的沟槽MOSFET器件，其中肖特基二极管包括一个形成在半导体衬底上的半导体层；形成在半导体层中的第一和第二沟槽，其中第一和第二沟槽内衬薄电介质层，并用沟槽导体层部分填充，第一电介质层填充第一和第二沟槽的剩余部分；以及一个形成在第一和第二沟槽之间的半导体层顶面上的肖特基金属层。所形成的肖特基二极管中，肖特基金属层作为阳极，第一和第二沟槽之间的半导体层作为阴极。每个第一和第二沟槽中的沟槽导体层电连接到肖特基二极管的阳极。在一个实施例中，所形成的肖特基二极管与沟槽场效应晶体管集成在同一个半导体衬底上。