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31.发明专利用於堆累式晶片級封裝的微型條間隔件，其製造方法，其操作方法及包含此微型條間隔件之系統 MICROSTRIP SPACER FOR STACKED CHIP SCALE PACKAGES, METHODS OF MAKING SAME, METHODS OF OPERATING SAME, AND SYSTEMS CONTAINING SAME 有权用于堆累式芯片级封装的微型条间隔件，其制造方法，其操作方法及包含此微型条间隔件之系统 MICROSTRIP SPACER FOR STACKED CHIP SCALE PACKAGES, METHODS OF MAKING SAME, METHODS OF OPERATING SAME, AND SYSTEMS CONTAINING SAME
公开(公告)号：TWI369776B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW095145699
申请日：2006-12-07
申请人： 英特爾股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2223/6627 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2225/0651 , H01L2225/06527 , H01L2225/06572 , H01L2924/01057 , H01L2924/15311 , H01L2924/1903 , H01L2924/19041 , Y10T428/24074 , Y10T428/24091 , Y10T428/24099 , H01L2924/00014
摘要： 一種晶片封裝包括一設置在一第一晶粒與一第二晶粒之間的微型條間隔件。該微型條間隔件包括導電平面，其為該第一晶粒與該第二晶粒中的至少一者的地極平面。一種方法包括在一第一時脈速率下操作該第一晶粒及在一第二時脈速率下操作該第二晶粒。一種系統包括一帶有一微型條間隔件的晶片封裝及一系統外殼。
简体摘要： 一种芯片封装包括一设置在一第一晶粒与一第二晶粒之间的微型条间隔件。该微型条间隔件包括导电平面，其为该第一晶粒与该第二晶粒中的至少一者的地极平面。一种方法包括在一第一时脉速率下操作该第一晶粒及在一第二时脉速率下操作该第二晶粒。一种系统包括一带有一微型条间隔件的芯片封装及一系统外壳。
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公开(公告)号：TW201225240A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100138127
申请日：2011-10-20
申请人： 馬維爾國際貿易有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76885 , H01L23/3107 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/061 , H01L2224/16145 , H01L2224/16245 , H01L2224/45111 , H01L2224/45116 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/731 , H01L2224/85 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本發明實施方案提供了一種晶片,包括形成於第一半導體晶片上的基層金屬層和形成於該基層金屬層上的第一金屬層。該第一金屬層包括多個島,配置用來路由晶片中的(i)接地信號或(ii)電源信號的至少一個。該晶片進一步包括形成於該第一金屬層上的第二金屬層。該第二金屬層包括多個島,配置用來路由在該晶片中的(i)接地信號或(ii)電源信號的至少一個。
简体摘要： 本发明实施方案提供了一种芯片,包括形成于第一半导体芯片上的基层金属层和形成于该基层金属层上的第一金属层。该第一金属层包括多个岛,配置用来路由芯片中的(i)接地信号或(ii)电源信号的至少一个。该芯片进一步包括形成于该第一金属层上的第二金属层。该第二金属层包括多个岛,配置用来路由在该芯片中的(i)接地信号或(ii)电源信号的至少一个。
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33.发明专利具有導電性屏蔽組件之電路板以及使用該組件之半導體封裝 CIRCUIT BOARD HAVING CONDUCTIVE SHIELD MEMBER AND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME 失效具有导电性屏蔽组件之电路板以及使用该组件之半导体封装 CIRCUIT BOARD HAVING CONDUCTIVE SHIELD MEMBER AND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME
公开(公告)号：TWI364104B
公开(公告)日：2012-05-11
申请号：TW097116144
申请日：2008-05-02
申请人： 海力士半導體股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L2224/16 , H01L2225/0652 , H01L2225/06527 , H01L2225/06572 , H05K1/0222 , H05K1/115 , H05K2201/09645 , H05K2201/09809
摘要： 一種具有一電路板體之電路板，係包含一過孔結構。該過孔結構包含一通過該電路板體之導電連接組件和一設於至少一部份之導電連接組件周圍之導電性屏蔽組件。該屏蔽組件能防止加諸於該導電連接組件之一資料信號失真，並且阻截由該導電連接組件產生之電磁波。
简体摘要： 一种具有一电路板体之电路板，系包含一过孔结构。该过孔结构包含一通过该电路板体之导电连接组件和一设于至少一部份之导电连接组件周围之导电性屏蔽组件。该屏蔽组件能防止加诸于该导电连接组件之一数据信号失真，并且阻截由该导电连接组件产生之电磁波。
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34.发明专利具有包封之穿線交互連結（ＴＷＩ）的半導體元件和系統以及晶圓層級的製造方法 SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND SYSTEMS HAVING ENCAPSULATED THROUGH WIRE INTERCONNECTS (TWI) AND WAFER LEVEL METHODS OF FABRICATION 失效具有包封之穿线交互链接（ＴＷＩ）的半导体组件和系统以及晶圆层级的制造方法 SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND SYSTEMS HAVING ENCAPSULATED THROUGH WIRE INTERCONNECTS (TWI) AND WAFER LEVEL METHODS OF FABRICATION
公开(公告)号：TWI362709B
公开(公告)日：2012-04-21
申请号：TW096103343
申请日：2007-01-30
申请人： 麥克隆科技公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/16 , G01R1/06716 , G01R1/07307 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/76877 , H01L21/76885 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/02125 , H01L2224/0233 , H01L2224/02333 , H01L2224/02335 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/02375 , H01L2224/0333 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05548 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/1134 , H01L2224/13009 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/45116 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45655 , H01L2224/45684 , H01L2224/45698 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48145 , H01L2224/48455 , H01L2224/48463 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/48475 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/4899 , H01L2224/48992 , H01L2224/78301 , H01L2224/85051 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85951 , H01L2225/06506 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/07811 , H01L2924/10155 , H01L2924/10161 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45164 , H01L2924/013 , H01L2924/00013
摘要： 一種半導體元件(10)包含：一半導體基板(12)，其具有一基板接點(20)；以及一被附著至該基板接點(20)的穿線交互連結(TWI)(14)。該穿線交互連結(14)會提供一多層級交互連結，其會在該半導體基板(12)中彼此相對的第一側(17)與第二側(18)上具有接點(32、48)。該穿線交互連結(TWI)(14)包含：一通孔(28)，該通孔會貫穿該基板接點(20)與該基板(12)；一位於該通孔(28)中的電線(30)，該電線具有一與該基板接點(20)相連的被焊接連接線(42)；一位於靠近該第一側(17)的該電線上的第一接點(32)；以及一位於靠近該第二側(18)之該電線(30)上的第二接點(46)。該穿線交互連結(TWI)(14)還包含一聚合物層(16)，其會部份包封該穿線交互連結(TWI)(14)，同時讓該第一接點(32)露出。該半導體元件(10)可用來製造堆疊式系統(54)、模組系統(74)、以及測試系統(72)。一種用於製造該半導體元件(10)的方法則可包含一用於形成該聚合物層(16)的膜輔助成型製程。
简体摘要： 一种半导体组件(10)包含：一半导体基板(12)，其具有一基板接点(20)；以及一被附着至该基板接点(20)的穿线交互链接(TWI)(14)。该穿线交互链接(14)会提供一多层级交互链接，其会在该半导体基板(12)中彼此相对的第一侧(17)与第二侧(18)上具有接点(32、48)。该穿线交互链接(TWI)(14)包含：一通孔(28)，该通孔会贯穿该基板接点(20)与该基板(12)；一位于该通孔(28)中的电线(30)，该电线具有一与该基板接点(20)相连的被焊接连接线(42)；一位于靠近该第一侧(17)的该电线上的第一接点(32)；以及一位于靠近该第二侧(18)之该电线(30)上的第二接点(46)。该穿线交互链接(TWI)(14)还包含一聚合物层(16)，其会部份包封该穿线交互链接(TWI)(14)，同时让该第一接点(32)露出。该半导体组件(10)可用来制造堆栈式系统(54)、模块系统(74)、以及测试系统(72)。一种用于制造该半导体组件(10)的方法则可包含一用于形成该聚合物层(16)的膜辅助成型制程。
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公开(公告)号：TW201145490A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW099133196
申请日：2010-09-30
申请人： 日月光半導體製造股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/13 , H01L23/3171 , H01L23/48 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/0401 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/731 , H01L2224/85 , H01L2225/06527 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01076 , H01L2924/014 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本發明係關於一種半導體封裝結構,其包括一基板、一第一晶片及一第二晶片。該基板具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔。該第一晶片係鄰接於該基板之第一表面。該第一晶片包括一第一主動面及複數個第一訊號墊。部分該第一主動面係顯露於該穿孔。該等第一訊號墊之位置係對應該穿孔。該第二晶片係鄰接於該第二表面。該第二晶片包括一第二主動面及複數個第二訊號墊。部分該第二主動面係顯露於該穿孔。該等第二訊號墊之位置係對應該穿孔,且該等第二訊號墊係與該第一晶片之第一訊號墊電容耦合,以提供該第一晶片及該第二晶片間之鄰近通訊。因此,在附著於該基板後,該第一晶片及該第二晶片之强度提升,進而提升該半導體封裝結構之良率。
简体摘要： 本发明系关于一种半导体封装结构,其包括一基板、一第一芯片及一第二芯片。该基板具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔。该第一芯片系邻接于该基板之第一表面。该第一芯片包括一第一主动面及复数个第一信号垫。部分该第一主动面系显露于该穿孔。该等第一信号垫之位置系对应该穿孔。该第二芯片系邻接于该第二表面。该第二芯片包括一第二主动面及复数个第二信号垫。部分该第二主动面系显露于该穿孔。该等第二信号垫之位置系对应该穿孔,且该等第二信号垫系与该第一芯片之第一信号垫电容耦合,以提供该第一芯片及该第二芯片间之邻近通信。因此,在附着于该基板后,该第一芯片及该第二芯片之强度提升,进而提升该半导体封装结构之良率。
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36.发明专利
公开(公告)号：TW201140768A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100103446
申请日：2011-01-28
申请人： 馬維爾國際貿易有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/04 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/3677 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13024 , H01L2224/14181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2224/83904 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1515 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本公開的實施方式提供一種裝置，該裝置包括半導體基底和耦合到該半導體基底的裸片，該半導體基底具有第一表面、與第一表面相反佈置的第二表面以及一個或更多個過孔，其中第一表面的至少一部分凹陷以形成半導體基底的凹陷區域，該一個或更多個過孔形成在半導體基底的凹陷區域中，以提供在半導體基底的第一表面和第二表面之間的電通路或熱通路，該裸片電耦合到在半導體基底的凹陷區域中形成的一個或更多個過孔。可以描述和/或請求保護其他實施方式。
简体摘要： 本公开的实施方式提供一种设备，该设备包括半导体基底和耦合到该半导体基底的裸片，该半导体基底具有第一表面、与第一表面相反布置的第二表面以及一个或更多个过孔，其中第一表面的至少一部分凹陷以形成半导体基底的凹陷区域，该一个或更多个过孔形成在半导体基底的凹陷区域中，以提供在半导体基底的第一表面和第二表面之间的电通路或热通路，该裸片电耦合到在半导体基底的凹陷区域中形成的一个或更多个过孔。可以描述和/或请求保护其他实施方式。
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37.发明专利用於凹陷的半導體基底的技術和配置 TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS FOR RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES 审中-公开用于凹陷的半导体基底的技术和配置 TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS FOR RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
公开(公告)号：TW201140713A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100103443
申请日：2011-01-28
申请人： 馬維爾國際貿易有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/04 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/3677 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13024 , H01L2224/14181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2224/83904 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1515 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本公開的實施方式提供了一種方法，包括：提供半導體基底，該半導體基底具有（i）第一表面和（ii）與第一表面相反地佈置的第二表面；在半導體基底的第一表面上形成電介質膜；在電介質膜上形成再分佈層；將一個或多個裸片電耦合到再分佈層；在半導體基底上形成模塑膠；使半導體基底的第二表面凹陷；形成通過半導體基底的凹陷的第二表面的一個或多個溝道以暴露再分佈層；以及在該一個或多個溝道中形成一個或多個封裝互連結構，該一個或多個封裝互連結構電耦合到再分佈層，該一個或多個封裝互連結構用以路由該一個或多個裸片的電信號。可以描述和/或要求保護其他實施方式。
简体摘要： 本公开的实施方式提供了一种方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底具有（i）第一表面和（ii）与第一表面相反地布置的第二表面；在半导体基底的第一表面上形成电介质膜；在电介质膜上形成再分布层；将一个或多个裸片电耦合到再分布层；在半导体基底上形成模塑胶；使半导体基底的第二表面凹陷；形成通过半导体基底的凹陷的第二表面的一个或多个沟道以暴露再分布层；以及在该一个或多个沟道中形成一个或多个封装互链接构，该一个或多个封装互链接构电耦合到再分布层，该一个或多个封装互链接构用以路由该一个或多个裸片的电信号。可以描述和/或要求保护其他实施方式。
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38.发明专利電子元件封裝結構及其製造方法 ELECTRONIC DEVICE PACKAGE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF 审中-公开电子组件封装结构及其制造方法 ELECTRONIC DEVICE PACKAGE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF
公开(公告)号：TW201133726A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099107774
申请日：2010-03-17
申请人： 財團法人工業技術研究院
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/3178 , H01L23/3192 , H01L23/585 , H01L24/94 , H01L2224/0401 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/16145 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06589 , H01L2224/81
摘要： 本發明提供一種電子元件封裝結構及其製造方法,上述電子元件封裝結構包括一晶片,其具有一主動區表面和一背面;一介電層,設置於上述晶片的上述主動區表面上;至少二溝槽,穿過上述介電層;一第一保護層,覆蓋上述介電層和上述些溝槽的側壁;一第二保護層,覆蓋上述第一保護層並填滿上述些溝槽。
简体摘要： 本发明提供一种电子组件封装结构及其制造方法,上述电子组件封装结构包括一芯片,其具有一主动区表面和一背面;一介电层,设置于上述芯片的上述主动区表面上;至少二沟槽,穿过上述介电层;一第一保护层,覆盖上述介电层和上述些沟槽的侧壁;一第二保护层,覆盖上述第一保护层并填满上述些沟槽。
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39.发明专利堆疊裝置的製造方法及裝置晶圓處理方法 METHODS OF FABRICATING STACKED DEVICE AND HANDLING DEVICE WAFER 审中-公开堆栈设备的制造方法及设备晶圆处理方法 METHODS OF FABRICATING STACKED DEVICE AND HANDLING DEVICE WAFER
公开(公告)号：TW201130022A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099123933
申请日：2010-07-21
申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/6835 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/01019 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本發明揭示一種半導體裝置製造期間處理薄化的晶圓所使用的臨時承載板的接合與卸離方法，其包括經由第一黏著層及第二黏著層而將一晶圓接合至一承載板，其中晶圓與承載板的邊緣區被第一黏著層覆蓋，但未被第二黏著層覆蓋。進行晶圓邊緣清潔製程，以去除鄰近晶圓邊緣的第一黏著層而露出承載板的邊緣區，接著自承載板處去除第二黏著層。自晶圓卸離承載板之後，去除餘留在晶圓上的第一黏著層。
简体摘要： 本发明揭示一种半导体设备制造期间处理薄化的晶圆所使用的临时承载板的接合与卸离方法，其包括经由第一黏着层及第二黏着层而将一晶圆接合至一承载板，其中晶圆与承载板的边缘区被第一黏着层覆盖，但未被第二黏着层覆盖。进行晶圆边缘清洁制程，以去除邻近晶圆边缘的第一黏着层而露出承载板的边缘区，接着自承载板处去除第二黏着层。自晶圆卸离承载板之后，去除余留在晶圆上的第一黏着层。
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40.发明专利在堆疊的積體電路中使用斷開的穿矽介層 USING INTERRUPTED THROUGH-SILICON-VIAS IN INTEGRATED CIRCUITS ADAPTED FOR STACKING 失效在堆栈的集成电路中使用断开的穿硅介层 USING INTERRUPTED THROUGH-SILICON-VIAS IN INTEGRATED CIRCUITS ADAPTED FOR STACKING
公开(公告)号：TW201126673A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099128089
申请日：2010-08-23
申请人： 莫斯艾得科技有限公司
发明人： 吉凌瀚 彼得B
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , G11C5/02 , G11C5/06 , H01L21/02697 , H01L21/82 , H01L23/481 , H01L23/5286 , H01L23/544 , H01L24/03 , H01L24/16 , H01L2223/54433 , H01L2223/5444 , H01L2224/0401 , H01L2224/06181 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06562 , H01L2924/01055 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H03K17/00 , H01L2924/00
摘要： 在用於互連積體電路堆疊中的積體電路(IC)中,除了連續穿矽介層(TSVs),還提供斷開的穿矽介層。斷開的穿矽介層提供除了在堆疊的積體電路間常見並行路徑之訊號路徑。如此容許利用穿矽介層實施積體電路識別方案及其他功能,而不需要堆疊中交替積體電路之角旋轉。
简体摘要： 在用于互连集成电路堆栈中的集成电路(IC)中,除了连续穿硅介层(TSVs),还提供断开的穿硅介层。断开的穿硅介层提供除了在堆栈的集成电路间常见并行路径之信号路径。如此容许利用穿硅介层实施集成电路识别方案及其他功能,而不需要堆栈中交替集成电路之角旋转。
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