-
公开(公告)号：TW201824471A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106120836
申请日：2017-06-22
发明人： 金亨俊 , KIM, HYOUNG JOON , 吳暻燮 , OH, KYUNG SEOB , 河京武 , HARR, KYOUNG MOO
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498
摘要： 本發明提供一種扇出型半導體封裝，包括：第一互連構件、半導體晶片、包封體以及第二互連構件。第一互連構件具有貫穿孔。半導體晶片配置於貫穿孔中，具有連接墊配置於其上的主動面及與主動面相對的非主動面，並具有配置於連接墊上的突出凸塊。包封體包封第一互連構件的至少部分以及半導體晶片的非主動面的至少部分。第二互連構件配置於第一互連構件及半導體晶片的主動面上。在扇出型半導體封裝中，突出凸塊的台階部分可被移除。
简体摘要： 本发明提供一种扇出型半导体封装，包括：第一互连构件、半导体芯片、包封体以及第二互连构件。第一互连构件具有贯穿孔。半导体芯片配置于贯穿孔中，具有连接垫配置于其上的主动面及与主动面相对的非主动面，并具有配置于连接垫上的突出凸块。包封体包封第一互连构件的至少部分以及半导体芯片的非主动面的至少部分。第二互连构件配置于第一互连构件及半导体芯片的主动面上。在扇出型半导体封装中，突出凸块的台阶部分可被移除。
-
公开(公告)号：TW201824467A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106107298
申请日：2017-03-07
发明人： 李相珍 , LEE, SANG JIN , 李東勳 , LEE, DONG HUN
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498
摘要： 一種扇出型半導體封裝包括：一第一互連構件，具有一貫穿孔；一半導體晶片，配置於貫穿孔中且具有彼此相對的一主動表面與一被動表面，而主動表面上配置有多個連接墊；一密封體，填充於貫穿孔的多個壁與半導體晶片的多個側表面之間的多個空間的至少某些部分；以及一第二互連構件，配置於半導體晶片的主動表面上且包括經由多個通孔而電性連接至半導體晶片的連接墊的重佈線層，其中半導體晶片的側表面具有一台階部。
简体摘要： 一种扇出型半导体封装包括：一第一互连构件，具有一贯穿孔；一半导体芯片，配置于贯穿孔中且具有彼此相对的一主动表面与一被动表面，而主动表面上配置有多个连接垫；一密封体，填充于贯穿孔的多个壁与半导体芯片的多个侧表面之间的多个空间的至少某些部分；以及一第二互连构件，配置于半导体芯片的主动表面上且包括经由多个通孔而电性连接至半导体芯片的连接垫的重布线层，其中半导体芯片的侧表面具有一台阶部。
-
公开(公告)号：TW201824466A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106105820
申请日：2017-02-22
发明人： 金亨俊 , KIM, HYOUNG JOON , 李斗煥 , LEE, DOO HWAN
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498
摘要： 一種扇出型半導體封裝。半導體晶片安置於第一連接構件的貫穿孔中。所述半導體晶片的至少一部分被囊封體囊封。在所述半導體晶片的主動表面上形成有包括重佈線層的第二連接構件。在所述囊封體上形成有具有優異的可靠性的外部連接端子。
简体摘要： 一种扇出型半导体封装。半导体芯片安置于第一连接构件的贯穿孔中。所述半导体芯片的至少一部分被囊封体囊封。在所述半导体芯片的主动表面上形成有包括重布线层的第二连接构件。在所述囊封体上形成有具有优异的可靠性的外部连接端子。
-
公开(公告)号：TWI627236B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103108581
申请日：2014-03-12
申请人： 漢高股份有限及兩合公司 , HENKEL AG & CO. KGAA
发明人： 吳起立 , WU, QILI , 恩肯斯 安雅 , HENCKENS, ANJA
IPC分类号： C09D11/52 , C08G65/44 , C08K3/08 , H01B1/22 , H05K1/11 , H01L31/042 , H05K3/12 , B05D5/12 , H05K3/40 , H05K1/09 , H05K3/46 , H01L23/498 , H01L23/538
-
公开(公告)号：TW201822322A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105140864
申请日：2016-12-09
申请人： 美麗微半導體股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/498
摘要： 本發明為一種具有多個晶粒結構的覆晶封裝二極體元件，係於一下導板的頂面水平向間隔設置至少兩個覆晶，該二覆晶底面分別與下導板電性連接，頂面則分別設置有一導電層，且二覆晶之間以及外周圍填充有絕緣物質，使二覆晶頂面的導電層彼此隔離而形成供外部電路電連接的第一電極及第二電極；通過上述結構，二覆晶之間形成一串聯迴路，相較於傳統多個晶片只能垂直向堆疊串聯的封裝方式，不但能降低二極體元件的高度，還能夠視耐壓需求很方便地擴充覆晶數量，適合一般整流/保護型二極體元件，特別是高壓二極體元件之覆晶封裝。
简体摘要： 本发明为一种具有多个晶粒结构的覆晶封装二极管组件，系于一下导板的顶面水平向间隔设置至少两个覆晶，该二覆晶底面分别与下导板电性连接，顶面则分别设置有一导电层，且二覆晶之间以及外周围填充有绝缘物质，使二覆晶顶面的导电层彼此隔离而形成供外部电路电连接的第一电极及第二电极；通过上述结构，二覆晶之间形成一串联回路，相较于传统多个芯片只能垂直向堆栈串联的封装方式，不但能降低二极管组件的高度，还能够视耐压需求很方便地扩充覆晶数量，适合一般整流/保护型二极管组件，特别是高压二极管组件之覆晶封装。
-
公开(公告)号：TW201820574A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106123730
申请日：2017-07-17
申请人： 聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人： 郭哲宏 , KUO, CHE-HUNG , 周哲雅 , CHOU, CHE-YA , 陳南誠 , CHEN, NAN-CHENG
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/50
摘要： 本發明提供了一種預先凸起的重分佈層（RDL）結構及含有該預先凸起的RDL結構的半導體封裝。該預先凸起的RDL結構包括：至少一介電層，具有相對的第一和第二表面；一在該第一表面上的第一金屬層；一在該第二表面上的第二金屬層；以及一通孔層，電性連接該第一金屬層和該第二金屬層。至少一凸塊墊形成於該第一金屬層內。一凸塊設置在該凸塊墊上。該凸塊包括：一銅層，其底端直接接合至該凸塊墊的頂面。
简体摘要： 本发明提供了一种预先凸起的重分布层（RDL）结构及含有该预先凸起的RDL结构的半导体封装。该预先凸起的RDL结构包括：至少一介电层，具有相对的第一和第二表面；一在该第一表面上的第一金属层；一在该第二表面上的第二金属层；以及一通孔层，电性连接该第一金属层和该第二金属层。至少一凸块垫形成于该第一金属层内。一凸块设置在该凸块垫上。该凸块包括：一铜层，其底端直接接合至该凸块垫的顶面。
-
公开(公告)号：TW201818517A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106104178
申请日：2017-02-09
发明人： 李潤泰 , LEE, YUN TAE , 金成漢 , KIM, SUNG HAN , 金漢 , KIM, HAN
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/525 , H01L23/538
摘要： 一種扇出型半導體封裝包括：第一連接構件，具有貫穿孔；半導體晶片，安置於貫穿孔中且具有主動表面及被動表面，主動表面上安置有連接墊且被動表面與主動表面相對地安置；虛設晶片，安置於貫穿孔中且與半導體晶片間隔開；第二連接構件，安置於第一連接構件上、虛設晶片上及半導體晶片的主動表面上；以及囊封體，囊封第一連接構件的至少某些部分、虛設晶片的至少某些部分及半導體晶片的被動表面的至少某些部分。第一連接構件及第二連接構件各自包括重佈線層，重佈線層電性連接至連接墊。
简体摘要： 一种扇出型半导体封装包括：第一连接构件，具有贯穿孔；半导体芯片，安置于贯穿孔中且具有主动表面及被动表面，主动表面上安置有连接垫且被动表面与主动表面相对地安置；虚设芯片，安置于贯穿孔中且与半导体芯片间隔开；第二连接构件，安置于第一连接构件上、虚设芯片上及半导体芯片的主动表面上；以及囊封体，囊封第一连接构件的至少某些部分、虚设芯片的至少某些部分及半导体芯片的被动表面的至少某些部分。第一连接构件及第二连接构件各自包括重布线层，重布线层电性连接至连接垫。
-
公开(公告)号：TWI620235B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW104112708
申请日：2015-04-21
发明人： 谷田一真 , TANIDA, KAZUMASA , 吉田貴光 , YOSHIDA, TAKAMITSU , 內海邦朗 , UTSUMI, KUNIAKI , 川崎敦子 , KAWASAKI, ATSUKO
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L21/76885 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14643 , H01L2224/03462 , H01L2224/03616 , H01L2224/03831 , H01L2224/05547 , H01L2224/05557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/08059 , H01L2224/08111 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80203 , H01L2224/80345 , H01L2224/80365 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
-
公开(公告)号：TWI619210B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105122195
申请日：2016-07-14
发明人： 林 文強 , LIN, CHARLES W. C , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L2224/16227 , H01L2224/81005 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2924/15313 , H01L2224/81
-
公开(公告)号：TWI619177B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW104118077
申请日：2015-06-03
申请人： 英凡薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人： 沈 宏 , SHEN, HONG , 渥奇克 查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 斯塔拉姆 阿爾卡爾古德R , SITARAM, ARKALGUD R. , 高 朱利安 , GAO, GUILIAN
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/16
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/162 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/167 , H01L2924/16788 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2224/83
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
674 条记录 (耗时 0.024 秒)
