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公开(公告)号：TWI650846B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW105116541
申请日：2016-05-27
发明人： 林 文強 , LIN, CHARLES W. C , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
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公开(公告)号：TWI619210B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105122195
申请日：2016-07-14
发明人： 林 文強 , LIN, CHARLES W. C , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L2224/16227 , H01L2224/81005 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2924/15313 , H01L2224/81
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公开(公告)号：TWI593076B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW103139082
申请日：2014-11-11
发明人： 林 文強 , LIN, CHARLES W. C , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/58
CPC分类号： H01L25/105 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2225/1094 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/15793 , H01L2924/16153 , H01L2924/16172 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2924/1676 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201709474A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105116541
申请日：2016-05-27
发明人： 林 文強 , LIN, CHARLES W. C , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4817 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/055 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/8314 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06558 , H01L2225/06572 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/37001 , H01L2224/83 , H01L2224/81
摘要： 本發明面朝面半導體組體之特徵在於，第一及第二半導體元件面朝面地接置於第一路由電路之兩相反側上，並藉由第一路由電路電性連接至互連板。該互連板具有散熱座及第二路由電路，該散熱座可提供第二半導體元件散熱的途徑，而形成於散熱座上之第二路由電路則電性耦接至第一路由電路。藉此，第一路由電路可對第一及第二半導體元件提供初級的扇出路由，而第二路由電路則對第一路由電路提供進一步的扇出線路結構。
简体摘要： 本发明面朝面半导体组体之特征在于，第一及第二半导体组件面朝面地接置于第一路由电路之两相反侧上，并借由第一路由电路电性连接至互连板。该互连板具有散热座及第二路由电路，该散热座可提供第二半导体组件散热的途径，而形成于散热座上之第二路由电路则电性耦接至第一路由电路。借此，第一路由电路可对第一及第二半导体组件提供初级的扇出路由，而第二路由电路则对第一路由电路提供进一步的扇出线路结构。
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公开(公告)号：TW201533869A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW104105448
申请日：2015-02-17
发明人： 林 文強 , LIN, CHARLES W. C , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/4825 , H01L21/486 , H01L21/4871 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/76895 , H01L23/142 , H01L23/3121 , H01L23/3157 , H01L23/3675 , H01L23/49811 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/13023 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16113 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2924/00014
摘要： 本發明是關於一種半導體元件之製作方法，其具有下述特徵步驟：將晶片-中介層堆疊次組體貼附至散熱件，並使晶片插入散熱件之凹穴中，且中介層側向延伸於凹穴外。在貼附中介層堆疊次組體及封膠後，執行中介層背面製程，以完成中介層製作。散熱件可作為散熱用，製作完成之中介層則提供晶片之初級扇出路由。此外，於此製作方法中，增層電路係電性耦接至中介層，以提供進一步之扇出路由。
简体摘要： 本发明是关于一种半导体组件之制作方法，其具有下述特征步骤：将芯片-中介层堆栈次组体贴附至散热件，并使芯片插入散热件之凹穴中，且中介层侧向延伸于凹穴外。在贴附中介层堆栈次组体及封胶后，运行中介层背面制程，以完成中介层制作。散热件可作为散热用，制作完成之中介层则提供芯片之初级扇出路由。此外，于此制作方法中，增层电路系电性耦接至中介层，以提供进一步之扇出路由。
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公开(公告)号：TWI611541B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105118313
申请日：2016-06-13
发明人： 林 文強 , LIN, CHARLES W. C , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H01L23/367
CPC分类号： H01L2224/16227 , H01L2224/18
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公开(公告)号：TWI585926B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105110185
申请日：2016-03-31
发明人： 林 文強 , LIN, CHARLES W. C , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/56
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/16 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/42 , H01L23/4334 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68372 , H01L2221/68386 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/8314 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/15313 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/83
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公开(公告)号：TW201715665A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105119531
申请日：2016-06-22
发明人： 林 文強 , LIN, CHARLES W. C , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L25/065
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/561 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5389 , H01L25/117 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/81005 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2224/81
摘要： 本發明之封裝疊加半導體組體特徵在於，一核心基座之介電材凹穴中設有一半導體元件，且該半導體元件被一系列金屬柱所環繞。該核心基座之凹穴可控制該元件，避免元件相對於該些金屬柱發生側向位移，且該些金屬柱係提供核心基座兩相反側間之垂直連接，其可利用凹穴之深度，以降低金屬柱所需之最小高度。此外，另一半導體元件係設於核心基座之頂面上，其可藉由核心基座底面處之增層電路，電性耦接至介電材凹穴中之半導體元件。
简体摘要： 本发明之封装叠加半导体组体特征在于，一内核基座之介电材凹穴中设有一半导体组件，且该半导体组件被一系列金属柱所环绕。该内核基座之凹穴可控制该组件，避免组件相对于该些金属柱发生侧向位移，且该些金属柱系提供内核基座两相反侧间之垂直连接，其可利用凹穴之深度，以降低金属柱所需之最小高度。此外，另一半导体组件系设于内核基座之顶面上，其可借由内核基座底面处之增层电路，电性耦接至介电材凹穴中之半导体组件。
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公开(公告)号：TW201523754A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103140003
申请日：2014-11-19
发明人： 林 文強 , LIN, CHARLES W. C , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
IPC分类号： H01L21/58 , H01L23/488 , H01L23/492
CPC分类号： H01L23/49816 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/36 , H01L23/49827 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/92224 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/15793 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2224/16225 , H01L2924/00
摘要： 本發明是關於一種半導體組體之製作方法，其具有下述特徵步驟：將一晶片-中介層堆疊次組體貼附至一基底載體，並使該晶片插入該基底載體之一貫穿開口中，且中介層側向延伸於貫穿開口外。該基底載體可作為該晶片-中介層堆疊次組體貼附用之平台，而該中介層提供該晶片之初級扇出路由。此外，於此製作方法中，增層電路係電性耦接至中介層，且可選擇性提供蓋板或另一增層電路於該晶片上。
简体摘要： 本发明是关于一种半导体组体之制作方法，其具有下述特征步骤：将一芯片-中介层堆栈次组体贴附至一基底载体，并使该芯片插入该基底载体之一贯穿开口中，且中介层侧向延伸于贯穿开口外。该基底载体可作为该芯片-中介层堆栈次组体贴附用之平台，而该中介层提供该芯片之初级扇出路由。此外，于此制作方法中，增层电路系电性耦接至中介层，且可选择性提供盖板或另一增层电路于该芯片上。
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公开(公告)号：TWI599284B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105112525
申请日：2016-04-22
发明人： 林 文強 , LIN, CHARLES W. C , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
CPC分类号： H05K3/4038 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/18 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153 , H05K1/185 , H05K3/4015 , H05K3/4605 , H05K3/4647 , H05K3/4679 , H05K3/4697 , H05K2201/09036 , H05K2201/096 , H05K2203/167 , H05K2203/308
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