公开(公告)号：TW201248857A

公开(公告)日：2012-12-01

申请号：TW101110119

申请日：2012-03-23

申请人： 三星電子股份有限公司

发明人： 金志永 ,  吳容哲 ,  禹東秀 ,  鄭鉉雨 ,  秦教英 ,  崔成菅 ,  洪亨善 ,  黃有商

IPC分类号： H01L

CPC分类号： G11C11/4096 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4085 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7831

摘要： 一種半導體裝置可以包括一具有在它們之間界定一通道區域之第一和第二分隔源極/汲極區域的半導體基體及一在該等第一與第二分隔源極/汲極區域之間之該通道區域上的控制閘極結構。更特別地,該控制閘極結構可以包括一在該通道區域上相鄰於該第一源極/汲極區域的第一閘極電極,和一在該通道區域上相鄰於該第二源極/汲極區域的第二閘極電極。此外,該等第一和第二閘極電極可以是電氣地隔離。相關的裝置、結構、運作方法以及製造方法也被討論。

简体摘要： 一种半导体设备可以包括一具有在它们之间界定一信道区域之第一和第二分隔源极/汲极区域的半导体基体及一在该等第一与第二分隔源极/汲极区域之间之该信道区域上的控制闸极结构。更特别地,该控制闸极结构可以包括一在该信道区域上相邻于该第一源极/汲极区域的第一闸极电极,和一在该信道区域上相邻于该第二源极/汲极区域的第二闸极电极。此外,该等第一和第二闸极电极可以是电气地隔离。相关的设备、结构、运作方法以及制造方法也被讨论。

公开(公告)号：TW201242023A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：TW100146627

申请日：2011-12-15

申请人： 南亞科技股份有限公司

发明人： 蘇爾氏 希亞姆 ,  楊勝威

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/10826 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 本發明提供一種單邊存取裝置,包含:一主動鰭式結構包含一源極區域以及一汲極區域;一絕緣層介於源極區域以及汲極區域之間;一溝渠絕緣結構設置於主動鰭式結構的一側;一單邊側壁閘電極設置於主動鰭式結構相對於溝渠絕緣結構的另一側,因而主動鰭式結構夾置於溝渠絕緣結構以及單邊側壁閘電極之間;以及一閘極突出部自單邊側壁閘電極橫向且電性延伸並嵌入於源極區域以及汲極區域之間的絕緣層下方。

简体摘要： 本发明提供一种单边存取设备,包含:一主动鳍式结构包含一源极区域以及一汲极区域;一绝缘层介于源极区域以及汲极区域之间;一沟渠绝缘结构设置于主动鳍式结构的一侧;一单边侧壁闸电极设置于主动鳍式结构相对于沟渠绝缘结构的另一侧,因而主动鳍式结构夹置于沟渠绝缘结构以及单边侧壁闸电极之间;以及一闸极突出部自单边侧壁闸电极横向且电性延伸并嵌入于源极区域以及汲极区域之间的绝缘层下方。

公开(公告)号：TW201242016A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：TW101105786

申请日：2012-02-22

申请人： 富士通股份有限公司

发明人： 鎌田陽一

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/189 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/451

摘要： 一種半導體裝置之製造方法,其係包含下列步驟:形成半導體層於基板上;用乾蝕刻法以含氟成分之氣體形成凹槽於該半導體層中,該凹槽在該半導體層之表面上有開口部;藉由加熱該半導體層從而使附著至該凹槽的側表面及底表面之氟成分擴散進入該半導體層,以形成含氟區;在該凹槽之內表面上及該半導體層上形成絕緣膜;以及在形成該凹槽的區域中之該絕緣膜上形成電極。

简体摘要： 一种半导体设备之制造方法,其系包含下列步骤:形成半导体层于基板上;用干蚀刻法以含氟成分之气体形成凹槽于该半导体层中,该凹槽在该半导体层之表面上有开口部;借由加热该半导体层从而使附着至该凹槽的侧表面及底表面之氟成分扩散进入该半导体层,以形成含氟区;在该凹槽之内表面上及该半导体层上形成绝缘膜;以及在形成该凹槽的区域中之该绝缘膜上形成电极。

公开(公告)号：TW201241993A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：TW101108181

申请日：2012-03-09

申请人： 住友電氣工業股份有限公司

发明人： 增田健良 ,  日吉透 ,  和田圭司

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

摘要： 碳化矽層磊晶形成於基板(1)之主表面上。於碳化矽層設置有具有相對於主表面傾斜之側壁(6)之溝槽。側壁(6)相對於{0001}面具有50�以上且65�以下之傾斜角。閘極絕緣膜(8)設置於碳化矽層之側壁(6)上。碳化矽層包括:主體區域(3),其隔著閘極絕緣膜(8)而與閘極電極(9)對向且具有第1導電型;及1對區域(2、4),其藉由主體區域(3)而相互分離且具有第2導電型。主體區域(3)具有5�1016cm-3以上之雜質密度。藉此,可一面抑制通道移動度之降低,一面提高臨限電壓之設定自由度。

简体摘要： 碳化硅层磊晶形成于基板(1)之主表面上。于碳化硅层设置有具有相对于主表面倾斜之侧壁(6)之沟槽。侧壁(6)相对于{0001}面具有50�以上且65�以下之倾斜角。闸极绝缘膜(8)设置于碳化硅层之侧壁(6)上。碳化硅层包括:主体区域(3),其隔着闸极绝缘膜(8)而与闸极电极(9)对向且具有第1导电型;及1对区域(2、4),其借由主体区域(3)而相互分离且具有第2导电型。主体区域(3)具有5�1016cm-3以上之杂质密度。借此,可一面抑制信道移动度之降低,一面提高临限电压之设置自由度。

公开(公告)号：TWI373101B

公开(公告)日：2012-09-21

申请号：TW096139023

申请日：2007-10-18

申请人： 南亞科技股份有限公司

发明人： 林瑄智

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L27/10867 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/4236

摘要： 一種凹入式閘極溝渠的製作方法。於半導體基底形成一墊層；於半導體基底中形成溝渠電容結構，使該墊層與該溝渠電容結構的溝渠上蓋層表面切齊；蝕刻掉部分該溝渠上蓋層，形成凹洞；於該凹洞內填入犧牲材料層，使該犧牲材料層表面與該墊層切齊；形成淺溝絕緣結構，使該淺溝絕緣結構表面與該墊層切齊；選擇性的蝕刻掉部分的該淺溝絕緣結構；剝除該墊層，使該犧牲材料層凸出於該主表面；於該犧牲材料層的側壁上形成一側壁子；利用該側壁子作為蝕刻遮罩，蝕刻該半導體基底，自我對準形成一凹入式閘極溝渠。

简体摘要： 一种凹入式闸极沟渠的制作方法。于半导体基底形成一垫层；于半导体基底中形成沟渠电容结构，使该垫层与该沟渠电容结构的沟渠上盖层表面切齐；蚀刻掉部分该沟渠上盖层，形成凹洞；于该凹洞内填入牺牲材料层，使该牺牲材料层表面与该垫层切齐；形成浅沟绝缘结构，使该浅沟绝缘结构表面与该垫层切齐；选择性的蚀刻掉部分的该浅沟绝缘结构；剥除该垫层，使该牺牲材料层凸出于该主表面；于该牺牲材料层的侧壁上形成一侧壁子；利用该侧壁子作为蚀刻遮罩，蚀刻该半导体基底，自我对准形成一凹入式闸极沟渠。

公开(公告)号：TW201236160A

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW101102257

申请日：2012-01-19

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司

发明人： 山崎舜平 ,  鄉戶宏充

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/108 ,  G11C11/403 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/22 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7869

摘要： 習知的DRAM為了保持資料而需要每隔幾十毫秒進行更新工作，因此導致耗電量的增大。此外，由於頻繁地切換電晶體的導通狀態和截止狀態，電晶體的劣化成為問題。上述問題隨著儲存容量增大和電晶體微型化的進展而變得明顯。使用具有氧化物半導體的電晶體形成具有閘極電極用溝槽及元件隔離用溝槽的溝槽結構的電晶體。即使將源極電極與汲極電極之間的距離設定得較窄，藉由適當地設定閘極電極用溝槽的深度，可以抑制短通道效應。

简体摘要： 习知的DRAM为了保持数据而需要每隔几十毫秒进行更新工作，因此导致耗电量的增大。此外，由于频繁地切换晶体管的导通状态和截止状态，晶体管的劣化成为问题。上述问题随着存储容量增大和晶体管微型化的进展而变得明显。使用具有氧化物半导体的晶体管形成具有闸极电极用沟槽及组件隔离用沟槽的沟槽结构的晶体管。即使将源极电极与汲极电极之间的距离设置得较窄，借由适当地设置闸极电极用沟槽的深度，可以抑制短信道效应。

公开(公告)号：TW201234495A

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：TW100138486

申请日：2011-10-24

申请人： 富士通股份有限公司

发明人： 牧山剛三 ,  吉川俊英

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 一化合物半導體裝置係設有一化合物半導體層,以及經由一閘極絕緣膜形成於該化合物半導體層上之一閘極電極,其中,閘極絕緣膜係其中SixNy被包括作為一絕緣材料者,SixNy係0.638≦x/y≦0.863,且以氫終結之基團之濃度係設定為在不少於2�1022/cm3亦不多於5�1022/cm3之範圍內之一値。

简体摘要： 一化合物半导体设备系设有一化合物半导体层,以及经由一闸极绝缘膜形成于该化合物半导体层上之一闸极电极,其中,闸极绝缘膜系其中SixNy被包括作为一绝缘材料者,SixNy系0.638≦x/y≦0.863,且以氢终结之基团之浓度系设置为在不少于2�1022/cm3亦不多于5�1022/cm3之范围内之一値。

公开(公告)号：TW201230292A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：TW101109556

申请日：2005-05-16

申请人： 瑞薩電子股份有限公司

发明人： 白石正樹 ,  宇野友彰 ,  松浦伸悌

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48253 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M3/155 ,  H02M7/003

摘要： 本發明提高半導體裝置之電源電壓之轉換效率。本發明之非絕緣型DC-DC轉換器係具有高側開關用之功率MOS‧FET及低側開關用之功率MOS‧FET串聯地連接之電路者;而於同一半導體晶片5b內形成:低側開關用之功率MOS‧FET,及並聯地連接於該低側開關用之功率MOS‧FET之蕭特基障壁二極體D1。蕭特基障壁二極體D1之形成區域SDR配置於半導體晶片5b之短方向之中央,於其兩側配置低側之功率MOS‧FET之形成區域。而且從半導體晶片5b之主面之兩長邊附近之閘極指叉6a,朝向中央之蕭特基障壁二極體D1之形成區域SDR,以夾入該形成區域SDR之方式,延伸配置複數條閘極指叉6b。

简体摘要： 本发明提高半导体设备之电源电压之转换效率。本发明之非绝缘型DC-DC转换器系具有高侧开关用之功率MOS‧FET及低侧开关用之功率MOS‧FET串联地连接之电路者;而于同一半导体芯片5b内形成:低侧开关用之功率MOS‧FET,及并联地连接于该低侧开关用之功率MOS‧FET之萧特基障壁二极管D1。萧特基障壁二极管D1之形成区域SDR配置于半导体芯片5b之短方向之中央,于其两侧配置低侧之功率MOS‧FET之形成区域。而且从半导体芯片5b之主面之两长边附近之闸极指叉6a,朝向中央之萧特基障壁二极管D1之形成区域SDR,以夹入该形成区域SDR之方式,延伸配置复数条闸极指叉6b。

公开(公告)号：TW201230252A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：TW100141886

申请日：2011-11-16

申请人： 美光科技公司

发明人： 鐘琳 華納 ,  克許 霍華德C

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7855

摘要： 本發明提供一種半導體裝置,其包含一鰭(12),該鰭(12)具有在一第一溝渠(24)中形成於該鰭(12)之一第一側壁上之一第一閘極(54)及一第二閘極(42),其中該第一閘極(54)係形成於該第二閘極(42)上方。該裝置包含在一第二溝渠(24)中形成於該鰭(12)之一第二側壁上之一第三閘極(54)及一第四閘極(42),其中該第三閘極(54)係形成於該第四閘極(42)上方。本發明亦包含製作及運作該裝置之方法。一種運作方法可包含加偏壓於該第一閘極(54)及該第四閘極(42)以跨越該鰭(12)形成一電流路徑(124)。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备,其包含一鳍(12),该鳍(12)具有在一第一沟渠(24)中形成于该鳍(12)之一第一侧壁上之一第一闸极(54)及一第二闸极(42),其中该第一闸极(54)系形成于该第二闸极(42)上方。该设备包含在一第二沟渠(24)中形成于该鳍(12)之一第二侧壁上之一第三闸极(54)及一第四闸极(42),其中该第三闸极(54)系形成于该第四闸极(42)上方。本发明亦包含制作及运作该设备之方法。一种运作方法可包含加偏压于该第一闸极(54)及该第四闸极(42)以跨越该鳍(12)形成一电流路径(124)。

公开(公告)号：TWI366236B

公开(公告)日：2012-06-11

申请号：TW097133886

申请日：2008-09-04

申请人： 茂達電子股份有限公司

发明人： 林偉捷 ,  徐信佑 ,  邱信諺 ,  洪世杰 ,  陳和泰 ,  葉人豪 ,  林禮政

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734

摘要： 本發明係關於一種功率元件之製作方法。首先提供一基底、一具有溝槽之半導體層設置於基底上、一閘極絕緣層覆蓋於半導體層上，與一導電材料設置於溝槽中。依序進行一離子佈植製程與一斜向離子佈植製程，以形成一基體與一重摻雜區。接著，全面形成一第一介電層，再進行一化學機械研磨製程，直到暴露出位於重摻雜區下之基體，且使得溝槽旁之重摻雜區形成源極區。之後，形成一源極導線覆蓋於溝槽兩側之源極區上。

简体摘要： 本发明系关于一种功率组件之制作方法。首先提供一基底、一具有沟槽之半导体层设置于基底上、一闸极绝缘层覆盖于半导体层上，与一导电材料设置于沟槽中。依序进行一离子布植制程与一斜向离子布植制程，以形成一基体与一重掺杂区。接着，全面形成一第一介电层，再进行一化学机械研磨制程，直到暴露出位于重掺杂区下之基体，且使得沟槽旁之重掺杂区形成源极区。之后，形成一源极导线覆盖于沟槽两侧之源极区上。