公开(公告)号：TW201343533A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW101140051

申请日：2012-10-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED

Inventor： 張嘉誠 ,  CHANG, CHIA CHENG ,  范成至 ,  FAN, CHEN CHIH ,  周正三 ,  CHOU, BRUCE C. S.

IPC: B81C3/00 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0067 ,  B81B3/007 ,  B81B7/00 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0016 ,  B81B7/0029 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00325 ,  B81C2203/0118

Abstract: 一種微電機系統(MEMS)裝置可包括一於一第一基材上之微電機系統結構，微電機系統結構包括一中央靜態元件、一可移動元件、以及一外側靜態元件。一接合材質之部份位於中央靜態元件以及第一基材之間。一第二基材為於微電機系統結構上。一介電層之部份位於中央靜態元件以及第二基材之間。一支撐柱包括前述部份之接合材質、中央靜態元件、以及前述部份之介電材料。

Abstract in simplified Chinese: 一种微电机系统(MEMS)设备可包括一于一第一基材上之微电机系统结构，微电机系统结构包括一中央静态组件、一可移动组件、以及一外侧静态组件。一接合材质之部份位于中央静态组件以及第一基材之间。一第二基材为于微电机系统结构上。一介电层之部份位于中央静态组件以及第二基材之间。一支撑柱包括前述部份之接合材质、中央静态组件、以及前述部份之介电材料。

公开(公告)号：TWI500573B

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：TW101140051

申请日：2012-10-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED

Inventor： 張嘉誠 ,  CHANG, CHIA CHENG ,  范成至 ,  FAN, CHEN CHIH ,  周正三 ,  CHOU, BRUCE C. S.

IPC: B81C3/00 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0067 ,  B81B3/007 ,  B81B7/00 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0016 ,  B81B7/0029 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00325 ,  B81C2203/0118

公开(公告)号：TW201722840A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105128381

申请日：2016-09-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 周正三 ,  CHOU, CHENG SAN ,  林志旻 ,  LIN, CHIN MIN ,  楊辰雄 ,  YANG, CHEN HSIUNG

IPC: B81B7/02 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/08 ,  H01L21/768 ,  H01L43/00

CPC classification number: H01L43/12 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/019 ,  H01L43/08

Abstract: 本發明實施例揭露一種半導體結構，其包含：一第一基板；一第二基板；一第一感測結構，其位於該第一基板上方且介於該第一基板與該第二基板之間；一通路，其延伸穿過該第二基板；及一第二感測結構，其位於該第二基板上方且包含與該通路電連接之一互連結構及至少部分覆蓋該互連結構之一感測材料。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露一种半导体结构，其包含：一第一基板；一第二基板；一第一传感结构，其位于该第一基板上方且介于该第一基板与该第二基板之间；一通路，其延伸穿过该第二基板；及一第二传感结构，其位于该第二基板上方且包含与该通路电连接之一互链接构及至少部分覆盖该互链接构之一传感材料。

公开(公告)号：TWI538145B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW103101573

申请日：2014-01-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 周正三 ,  CHOU, BRUCE C. S. ,  林志賢 ,  LIN, CHIH HSIEN ,  陸湘台 ,  LU, HSIANG TAI ,  杜榮國 ,  TU, JUNG KUO ,  謝東宏 ,  HSIEH, TUNG HUNG ,  林振華 ,  LIN, CHEN HUA ,  劉醇明 ,  LIU, MINGO

IPC: H01L23/52 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

公开(公告)号：TWI443723B

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW100103347

申请日：2011-01-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 周正三 ,  CHOU, BRUCE C. S.

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/76

CPC classification number: B81B7/0032 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0714 ,  H01L2224/83805

公开(公告)号：TW201209897A

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：TW100103347

申请日：2011-01-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 周正三

IPC: H01L

CPC classification number: B81B7/0032 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0714 ,  H01L2224/83805

Abstract: 一種複合晶圓半導體元件,其包含第一晶圓和第二晶圓。第一晶圓具有第一側與第二側,而第二側係實質相對於第一側。複合晶圓半導體元件亦包含隔離組與自由空間,其中隔離組係形成於第一晶圓的第一側,且於隔離組中蝕刻出上述自由空間。第二晶圓接合至上述隔離組。形成如慣性感測元件之浮動結構於上述自由空間之上的第二晶圓之中。在一實施例中,表面接合墊形成於第一晶圓之第二側。接著,使用穿透矽介層窗(TSV)導體電性連結浮動結構至表面接合墊。

Abstract in simplified Chinese: 一种复合晶圆半导体组件,其包含第一晶圆和第二晶圆。第一晶圆具有第一侧与第二侧,而第二侧系实质相对于第一侧。复合晶圆半导体组件亦包含隔离组与自由空间,其中隔离组系形成于第一晶圆的第一侧,且于隔离组中蚀刻出上述自由空间。第二晶圆接合至上述隔离组。形成如惯性传感组件之浮动结构于上述自由空间之上的第二晶圆之中。在一实施例中,表面接合垫形成于第一晶圆之第二侧。接着,使用穿透硅介层窗(TSV)导体电性链接浮动结构至表面接合垫。

公开(公告)号：TW201432871A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW103101573

申请日：2014-01-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 周正三 ,  CHOU, BRUCE C. S. ,  林志賢 ,  LIN, CHIH HSIEN ,  陸湘台 ,  LU, HSIANG TAI ,  杜榮國 ,  TU, JUNG KUO ,  謝東宏 ,  HSIEH, TUNG HUNG ,  林振華 ,  LIN, CHEN HUA ,  劉醇明 ,  LIU, MINGO

IPC: H01L23/52 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一種半導體裝置，包括：一第一晶粒，其包括一第一主動表面與相對於第一主動表面的一第一背側表面；一第二晶粒，其包括一第二主動表面與相對於第二主動表面的一第二背側表面；一中介片，第一晶粒的第一主動表面電性連接至中介片的一第一側，第二晶粒的第二主動表面電性連接至中介片的一第二側；一第一連接器，於中介片上方；一第一封裝材料，圍繞第二晶粒，第一封裝材料具有位於中介片上方的一第一表面；以及一導孔，電性連接至第一連接器與中介片，其中導孔之一第一端大抵上與第一封裝材料之第一表面共平面。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：一第一晶粒，其包括一第一主动表面与相对于第一主动表面的一第一背侧表面；一第二晶粒，其包括一第二主动表面与相对于第二主动表面的一第二背侧表面；一中介片，第一晶粒的第一主动表面电性连接至中介片的一第一侧，第二晶粒的第二主动表面电性连接至中介片的一第二侧；一第一连接器，于中介片上方；一第一封装材料，围绕第二晶粒，第一封装材料具有位于中介片上方的一第一表面；以及一导孔，电性连接至第一连接器与中介片，其中导孔之一第一端大抵上与第一封装材料之第一表面共平面。