公开(公告)号：TW201432871A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW103101573

申请日：2014-01-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 周正三 ,  CHOU, BRUCE C. S. ,  林志賢 ,  LIN, CHIH HSIEN ,  陸湘台 ,  LU, HSIANG TAI ,  杜榮國 ,  TU, JUNG KUO ,  謝東宏 ,  HSIEH, TUNG HUNG ,  林振華 ,  LIN, CHEN HUA ,  劉醇明 ,  LIU, MINGO

IPC: H01L23/52 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一種半導體裝置，包括：一第一晶粒，其包括一第一主動表面與相對於第一主動表面的一第一背側表面；一第二晶粒，其包括一第二主動表面與相對於第二主動表面的一第二背側表面；一中介片，第一晶粒的第一主動表面電性連接至中介片的一第一側，第二晶粒的第二主動表面電性連接至中介片的一第二側；一第一連接器，於中介片上方；一第一封裝材料，圍繞第二晶粒，第一封裝材料具有位於中介片上方的一第一表面；以及一導孔，電性連接至第一連接器與中介片，其中導孔之一第一端大抵上與第一封裝材料之第一表面共平面。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：一第一晶粒，其包括一第一主动表面与相对于第一主动表面的一第一背侧表面；一第二晶粒，其包括一第二主动表面与相对于第二主动表面的一第二背侧表面；一中介片，第一晶粒的第一主动表面电性连接至中介片的一第一侧，第二晶粒的第二主动表面电性连接至中介片的一第二侧；一第一连接器，于中介片上方；一第一封装材料，围绕第二晶粒，第一封装材料具有位于中介片上方的一第一表面；以及一导孔，电性连接至第一连接器与中介片，其中导孔之一第一端大抵上与第一封装材料之第一表面共平面。

公开(公告)号：TWI563614B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：TW103145294

申请日：2014-12-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃文濬 ,  HUANG, WENCHUN ,  李建成 ,  LI, CHIENCHEN ,  劉國洲 ,  LIU, KUOCHIO ,  薛瑞雲 ,  SHIUE, RUEYYUN ,  鄭錫圭 ,  CHENG, HSIKUEI ,  林志賢 ,  LIN, CHIHHSIEN ,  林俊成 ,  LIN, JINGCHENG ,  陸湘台 ,  LU, HSIANGTAI ,  謝子逸 ,  SHIEH, TZIYI

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI538145B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW103101573

申请日：2014-01-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 周正三 ,  CHOU, BRUCE C. S. ,  林志賢 ,  LIN, CHIH HSIEN ,  陸湘台 ,  LU, HSIANG TAI ,  杜榮國 ,  TU, JUNG KUO ,  謝東宏 ,  HSIEH, TUNG HUNG ,  林振華 ,  LIN, CHEN HUA ,  劉醇明 ,  LIU, MINGO

IPC: H01L23/52 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

公开(公告)号：TW201608653A

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW104114915

申请日：2015-05-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃文濬 ,  HUANG, WENCHUN ,  李建成 ,  LI, CHIENCHEN ,  劉國洲 ,  LIU, KUOCHIO ,  薛瑞雲 ,  SHIUE, RUEYYUN ,  鄭錫圭 ,  CHENG, HSIKUEI ,  林志賢 ,  LIN, CHIHHSIEN ,  林俊成 ,  LIN, JINGCHENG ,  陸湘台 ,  LU, HSIANGTAI ,  謝子逸 ,  SHIEH, TZIYI

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本揭露的實施例包含半導體封裝體及其製造方法。一實施例為方法，包含安裝一晶粒至一基板的頂表面，以形成一元件，密封晶粒及基板的頂表面於一模塑化合物內，此模塑化合物於晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物於晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含對元件進行進一步的處理，以及移除模塑化合物於晶粒上的剩餘厚度。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露的实施例包含半导体封装体及其制造方法。一实施例为方法，包含安装一晶粒至一基板的顶表面，以形成一组件，密封晶粒及基板的顶表面于一模塑化合物内，此模塑化合物于晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物于晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含对组件进行进一步的处理，以及移除模塑化合物于晶粒上的剩余厚度。

公开(公告)号：TW201533861A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103145294

申请日：2014-12-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃文濬 ,  HUANG, WENCHUN ,  李建成 ,  LI, CHIENCHEN ,  劉國洲 ,  LIU, KUOCHIO ,  薛瑞雲 ,  SHIUE, RUEYYUN ,  鄭錫圭 ,  CHENG, HSIKUEI ,  林志賢 ,  LIN, CHIHHSIEN ,  林俊成 ,  LIN, JINGCHENG ,  陸湘台 ,  LU, HSIANGTAI ,  謝子逸 ,  SHIEH, TZIYI

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本揭露的實施例包含半導體封裝體及其製造方法。一實施例為方法，包含安裝一晶粒至一基板的頂表面，以形成一元件，密封晶粒及基板的頂表面於一模塑化合物內，此模塑化合物於晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物於晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含對元件進行進一步的處理，以及移除模塑化合物於晶粒上的剩餘厚度。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露的实施例包含半导体封装体及其制造方法。一实施例为方法，包含安装一晶粒至一基板的顶表面，以形成一组件，密封晶粒及基板的顶表面于一模塑化合物内，此模塑化合物于晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物于晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含对组件进行进一步的处理，以及移除模塑化合物于晶粒上的剩余厚度。

公开(公告)号：TWI320224B

公开(公告)日：2010-02-01

申请号：TW095116509

申请日：2006-05-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陸湘台 ,  郭政雄 ,  池育德

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01J9/025 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/7881

Abstract: 一種尖端結構之製造方法。首先，形成一結構層於基底上，形成一罩幕層於結構層上。接著，圖形化罩幕層，以形成一罩幕圖案，其中罩幕圖案包括一內部部分和一外部部分。後續，反應結構層未被罩幕圖案覆蓋之部分，以於結構層上形成一反應罩幕，其中於罩幕圖案之內部部分下方，結構層形成一尖端結構。 A method for forming a tip is disclosed. A layer is formed overlying a substrate. A mask layer is formed overlying the layer. The mask is patterned to form a mask pattern Comprising an inner portion and an outer portion, wherein the inner portion is surrounded by the outer portion. The layer uncovered by the mask pattern is treated to form a reaction mask, wherein at least one portion of the reaction mask connect to form a tip of the layer under the inner portion of the mask pattern. 【創作特點】 根據上述問題，本發明之一目的係為提供一種快閃記憶體元件之製造方法，可在不需要額外的黃光微影步驟下，於多晶矽閘極上形成接觸。此外，本發明之另一目的係為提供一種尖端結構之製造方法，其係以半導體製程製造微小之尖端結構。
本發明提供一種尖端結構之製造方法。首先，形成一結構層於基底上，形成一罩幕層於結構層上。接著，圖形化罩幕層，以形成一罩幕圖案，其中罩幕圖案包括一內部部分和一外部部分。後續，反應結構層未被罩幕圖案覆蓋之部分，以於結構層上形成一反應罩幕，其中於罩幕圖案之內部部分下方，結構層形成一尖端結構。
本發明提供一種形成閘極之接觸的方法。首先，形成一閘極層於基底上，其中閘極層包括一接觸部分和一非接觸部分，形成一罩幕層至少覆蓋閘極層之接觸部分。接下來，圖形化罩幕層，以形成一罩幕圖案，其中罩幕圖案包括一外部部分和一內部部分，且內部部分係為外部部分所包圍。後續，反應閘極層未被罩幕圖案覆蓋之部分，以於閘極層上形成一反應罩幕，其中於罩幕圖案之內部部分下方，結構層形成一尖端結構。
本發明提供一種快閃記憶體，包括一穿隧介電層，位於基底上、一浮置閘極，位於穿隧介電層上，其中浮置閘極包括一接觸部分和一非接觸部分，浮置閘極之接觸部分包括至少一尖端結構，尖端結構係不位於浮置閘極之邊緣，及一導電插塞，在尖端結構之位置接觸浮置閘極。

Abstract in simplified Chinese: 一种尖端结构之制造方法。首先，形成一结构层于基底上，形成一罩幕层于结构层上。接着，图形化罩幕层，以形成一罩幕图案，其中罩幕图案包括一内部部分和一外部部分。后续，反应结构层未被罩幕图案覆盖之部分，以于结构层上形成一反应罩幕，其中于罩幕图案之内部部分下方，结构层形成一尖端结构。 A method for forming a tip is disclosed. A layer is formed overlying a substrate. A mask layer is formed overlying the layer. The mask is patterned to form a mask pattern Comprising an inner portion and an outer portion, wherein the inner portion is surrounded by the outer portion. The layer uncovered by the mask pattern is treated to form a reaction mask, wherein at least one portion of the reaction mask connect to form a tip of the layer under the inner portion of the mask pattern. 【创作特点】 根据上述问题，本发明之一目的系为提供一种闪存组件之制造方法，可在不需要额外的黄光微影步骤下，于多晶硅闸极上形成接触。此外，本发明之另一目的系为提供一种尖端结构之制造方法，其系以半导体制程制造微小之尖端结构。 本发明提供一种尖端结构之制造方法。首先，形成一结构层于基底上，形成一罩幕层于结构层上。接着，图形化罩幕层，以形成一罩幕图案，其中罩幕图案包括一内部部分和一外部部分。后续，反应结构层未被罩幕图案覆盖之部分，以于结构层上形成一反应罩幕，其中于罩幕图案之内部部分下方，结构层形成一尖端结构。 本发明提供一种形成闸极之接触的方法。首先，形成一闸极层于基底上，其中闸极层包括一接触部分和一非接触部分，形成一罩幕层至少覆盖闸极层之接触部分。接下来，图形化罩幕层，以形成一罩幕图案，其中罩幕图案包括一外部部分和一内部部分，且内部部分系为外部部分所包围。后续，反应闸极层未被罩幕图案覆盖之部分，以于闸极层上形成一反应罩幕，其中于罩幕图案之内部部分下方，结构层形成一尖端结构。 本发明提供一种闪存，包括一穿隧介电层，位于基底上、一浮置闸极，位于穿隧介电层上，其中浮置闸极包括一接触部分和一非接触部分，浮置闸极之接触部分包括至少一尖端结构，尖端结构系不位于浮置闸极之边缘，及一导电插塞，在尖端结构之位置接触浮置闸极。

公开(公告)号：TW201828377A

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：TW106141440

申请日：2017-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 陸湘台 ,  LU, HSIANG-TAI ,  陳碩懋 ,  CHEN, SHUO-MAO ,  王敏哲 ,  WANG, MILL-JER ,  許峰誠 ,  HSU, FENG-CHENG ,  楊肇祥 ,  YANG, CHAO-HSIANG ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN-PUU ,  洪成佾 ,  HONG, CHENG-YI ,  林志賢 ,  LIN, CHIH-HSIEN ,  陳岱璋 ,  CHEN, DAI-JANG ,  林振華 ,  LIN, CHEN-HUA

IPC: H01L21/60

Abstract: 本發明實施例係關於一種製作一半導體結構之方法，該方法包含：形成一重佈層(RDL)；在該RDL上方形成一導電部件；透過該導電部件執行一第一電測試；在該RDL上方放置一第一晶粒；透過該導電部件執行一第二電測試；及在該第一晶粒及該導電部件上方放置一第二晶粒。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于一种制作一半导体结构之方法，该方法包含：形成一重布层(RDL)；在该RDL上方形成一导电部件；透过该导电部件运行一第一电测试；在该RDL上方放置一第一晶粒；透过该导电部件运行一第二电测试；及在该第一晶粒及该导电部件上方放置一第二晶粒。